1月5日，三星电子与SK海力士计划在2026年第一季度将服务器DRAM价格较2025年第四季度提升60%至70%。报道称，两家公司同时向个人电脑与智能手机DRAM客户提出了相近幅度的涨价方案。
此次提价策略基于企业对市场需求持续走强的预判。据悉，三星与SK海力士坚持采用季度合约而非长期协议，以灵活适应价格变动。行业预计，在AI算力需求爆发及数据中心投资扩大的推动下，DRAM价格有望在2027年前保持逐季度阶梯式上涨的态势。
产业咨询机构集邦咨询今日发布最新研报也显示：
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预估1Q26一般型DRAM合约价季增55-60%，NAND Flash季增33-38%;
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DRAM供需差距扩大，美系CSP锁定货源致使其他买家被迫接受高价，Server DRAM价格估计季增逾60%;
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消费类、AI用NAND Flash需求两极化，Enterprise SSD将占据最大份额，预估Client SSD价格涨幅40%以上。
1、涨价动因
AI需求转变：生成式AI从训练转向推理阶段，通用服务器DRAM需求激增，推理任务对快速数据存取的要求使其成本优势凸显。
产能挤压：HBM3e生产占用晶圆面积为标准DRAM的3倍，导致传统DRAM产能受限，加剧供需失衡。
TrendForce预测2026年DRAM需求增长26%，供给仅增20%。
2、市场反应
韩国综合股价指数（KOSPI）当日上涨3.43%，创历史新高4457.52点。
花旗预计三星电子2026年营业利润将达155万亿韩元（较2025年增长253%），摩根士丹利预测SK海力士利润为148万亿韩元（较2025年增长224%）。
3、行业影响
云服务商：被迫接受高价锁定供应，可能将成本转嫁至企业客户。
终端企业：服务器整机成本上升，IT投资回报周期延长，中小企业面临供应短缺风险。
存储厂商：加速转向HBM及先进制程DRAM，行业集中度进一步提高。
4、未来趋势
机构预测2026年服务器DRAM平均售价（ASP）同比涨幅最高达144%，供需缺口至少持续至2028年。企业需通过供应链优化、技术升级应对成本压力，效率与架构创新成竞争关键。
