3 月 4 日，上海松江官方发布消息，尼西半导体科技（上海）有限公司打造的全球首条 35 微米功率半导体超薄晶圆工艺及封装测试生产线正式建成投产，标志我国在高端功率半导体超薄晶圆制造领域实现关键突破，为高端功率芯片规模化量产提供核心支撑。
晶圆是芯片制造的核心基底，厚度直接决定芯片性能与散热能力。35 微米厚度仅为普通头发丝直径的一半，厚度低于 50 微米后极易碎裂，加工难度极高，长期是行业技术难题。
尼西半导体通过多项工艺创新攻克难关，将35 微米厚度误差严格控制在 ±1.5 微米，采用化学腐蚀技术消除92% 的研磨应力损伤，碎片率控制在0.1% 以内。切割环节采用定制化激光技术，切割良率提升至98.5%，11 微米切缝宽度让芯片有效面积利用率提升约 10%。
产线核心设备实现自主突破，研磨机加工精度达0.1 微米，键合机单日产能约 400 片，测试环节单日产能可达12 万颗成品芯片。临时键合机、研磨机、激光切割机等核心装备均为联合研发，实现工艺与装备自主可控。
35 微米超薄晶圆可显著降低芯片热阻、提升功率循环寿命，适配新能源汽车、5G 基站、大功率快充等高功率密度场景。同等晶圆面积下芯片产出量增加20%，可实现手机快充模块体积缩小、电动汽车电控单元减重，兼顾能效与成本优化。
此次投产填补国内超薄晶圆加工应用空白，推动我国半导体高端制造向更精密、更自主方向迈进，为新能源与通信领域核心器件升级奠定坚实基础。
