根据各大原厂发布的涨价函及官方通知，2026年全球半导体及电子元器件行业正经历一轮覆盖广、涨幅大的涨价潮。本轮涨价从存储芯片、功率器件蔓延至模拟芯片、MCU、被动元件及封测环节，主要驱动力包括上游原材料（铜、银、金）价格飙升、AI需求激增导致的产能挤占以及晶圆代工/封测成本上涨。
为方便各位快速了解行情、提前备货，圣禾堂在线整理最新原厂涨价动态，以下数据截至 2026 年 3 月 31 日：
| 一、 模拟芯片与MCU（涨价重灾区） | ||||
| 品牌 | 涨价范围 | 涨幅 | 生效日期 | 涨价的关键原因 |
| 德州仪器 (TI) | 数字隔离器、隔离驱动、电源管理IC | 15% - 85% | 2026年4月1日 | 8英寸晶圆代工价格攀升，年内第二次全面涨价 |
| 亚德诺 (ADI) | 全线产品（含军规级） | 整体约15% (部分军规达30%) | 2026年2月1日 | 人力、能源及物流通胀压力 |
| 恩智浦 (NXP) | 车规级MCU及模拟芯片 | 未公开 | 2026年4月1日 | 对冲原材料、能源、物流成本 |
| 微芯科技 (Microchip) | MCU、模拟及FPGA等 | 未公开 | 2026年3月中旬 | 贵金属及封装成本上涨 |
| 芯海科技 | 信号链MCU、电池管理 | 10% - 20% | 2026年3月2日 | 上游原材料、贵金属及晶圆封装成本攀升 |
| 中微半导 | MCU、Nor Flash | 15% - 50% | 2026年1月27日 | 封装成品交期变长，成本大幅增加 |
| 新唐科技 | 晶圆代工（MCU为主） | 约20% | 2026年4月1日 | 上游成本传导 |
| 二、 存储芯片（DRAM / NAND / NOR） | ||||
| 品牌 | 涨价范围 | 涨幅 | 生效日期 | 涨价的关键原因 |
| 三星 | NAND Flash、服务器DRAM | NAND涨超100%，DRAM涨60%-70% | 2026年Q1 | AI需求爆发，产能高度集中 |
| SK海力士 | 服务器DRAM、手机LPDDR | DRAM涨60%-70%，部分LPDDR涨近100% | 2026年Q1 | 与苹果等大厂谈判后大幅提价 |
| 美光 | DRAM / NAND | 约20% | 2026年2月起 | 市场供需紧张 |
| 国科微 | 合封KGD存储、外挂DDR | 40% - 80% | 2026年1月 | 供应缺口扩大，基板/封测费用上涨 |
| 旺宏 | NOR Flash（编码型闪存） | 约30% | 2026年Q1 | 数据中心需求增加，供不应求 |
| 长江存储 | NAND闪存晶圆 | 晶圆涨超10% (成品SSD涨15%-20%) | 2025年12月起 | 逐步提价策略 |
| 三、 功率半导体（MOSFET / IGBT） | ||||
| 品牌 | 涨价范围 | 涨幅 | 生效日期 | 涨价的关键原因 |
| 英飞凌 | 电源开关、功率IC | 未公开 | 2026年4月1日 | AI数据中心需求激增，需扩产投资 |
| 安森美 | 功率半导体、图像传感器 | 未公开 | 2026年4月1日 | 原材料、能源及基础设施成本持续上涨 |
| 士兰微 | 二极管、MOS、沟槽TMBS | 10% | 2026年3月1日 | 关键贵金属价格上涨 |
| 华润微 | 全系列微电子产品 | 最低10% | 2026年2月1日 | 原材料+产能利用率偏满 |
| 新洁能 | MOSFET | 10%起 | 2026年3月1日 | 贵金属攀升，晶圆代工及封测成本上涨 |
| 捷捷微电子 | MOS成品 | 10% - 20% | 2026年2月1日 | 原材料价格大幅上涨 |
| 宏微科技 | IGBT单管/模块、MOSFET | 约10% | 2026年3月1日 | 上游金属材料价格波动 |
| 四、 被动元件（电阻 / 电容 / 电感） | ||||
| 品牌 | 涨价范围 | 涨幅 | 生效日期 | 涨价的关键原因 |
| 村田 | 铁氧体磁珠、功率电感、RF电感 | 15% - 35% | 2026年4月1日 | 核心原材料银价大幅上涨 |
| 国巨 | 钽电容、芯片电阻(R-Chip) | 10% - 20% | 2026年2月/4月起 | 维持服务水平、成本压力 |
| 华新科 | 电阻(0201-1206尺寸) | 未公开 | 2026年2月1日 | 银、钯、钌等金属成本上升 |
| 风华高科 | 电感、压敏电阻、瓷介电容、厚膜电阻 | 5% - 30% | 2025年11月-2026年1月 | 核心原材料价格攀升 |
| 松下 | 钽电容(30-40款) | 15% - 30% | 2026年2月1日 | 成本压力 |
| 台庆科 | 积层芯片电感及磁珠 | 15%以上 | 未公开 | 成本上涨 |
| 五、 晶圆代工与封测（上游成本传导） | ||||
| 品牌 | 涨价范围 | 涨幅 | 生效日期 | 涨价的关键原因 |
| 台积电 | 5nm以下先进制程（连续第四年涨价） | 5nm以下涨8%-10%，2nm涨约50% | 2026年起 | 连续四年调价，2nm成本极高 |
| 中芯国际 | 8英寸BCD工艺平台等 | 约10% | 2025年12月起 | 产能紧张 |
| 日月光 (封测) | 后段晶圆代工服务 | 5% - 20% | 2026年 | AI需求致产能极限 |
| 力成/华东 (封测) | 存储器封测 | 高达30% | 近期 | 产能利用率直逼满载 |
| 六、 驱动IC与逻辑芯片 | ||||
| 品牌 | 涨价范围 | 涨幅 | 生效日期 | 涨价的关键原因 |
| 矽创 | 驱动IC | 15% | 2026年4月1日 | 晶圆代工与封测成本双升 |
| 奕力 | 驱动IC | 15% - 20% | 2026年4月1日 | 原物料价格大幅上涨 |
| 联咏 | 时序控制IC (TCON) | 未公开 | 2026年4月起 | 面临成本上涨压力，正与客户协商 |
| 英特尔/AMD | 服务器CPU | 最高15% | 2026年 | 服务器CPU库存售罄，需求强劲 |
| 安路科技 | FPGA | 未公开 | 2026年1月 | 成本压力 |
| 七、 连接器与其他 | ||||
| 品牌 | 涨价范围 | 涨幅 | 生效日期 | 涨价的关键原因 |
| TE Connectivity | 全线产品 | 5% - 12%（部分品类） | 2026年1月5日/3月2日（两轮） | 原材料（金属）成本显著上升 |
| Molex (莫仕) | 产品价格调整 | 未公开 | 2026年2月1日 | 原材料成本上升 |
| 欧姆龙 | PLC、HMI、机器人、继电器等 | 最高50% | 2026年2月7日 | 多种成本因素 |
| 信息来源：企业涨价通知函与公开报道，信息截至2026年3月下旬。如有侵权，联系删除。 | ||||
涨价原因总结：本轮涨价的直接导火索是银、铜、金等贵金属价格飙升（如银价上涨直接影响村田、风华高科；铜价影响连接器），叠加AI算力需求挤占产能（如英飞凌、台积电），以及晶圆代工和封测环节的全面提价，最终导致成本逐级传导至终端元器件。
时效提示：以上价格调整多数集中在2026年4月1日及之前生效，目前正处于新旧价格交替的窗口期。建议采购方尽快确认在手订单的锁价情况，并关注原厂后续可能发布的新一轮调价通知。
