SK海力士完成12层混合键合HBM验证，量产良率获提升

据韩媒The Elec报道，SK海力士在混合键合高带宽内存（HBM）上的良率已出现改善，但该公司并未公开具体良率数据。SK海力士技术负责人金钟勋（Kim Jong-hoon）透露，采用混合键合技术的12层堆叠HBM已完成全面验证，目前团队正集中精力提升量产阶段的良率，为大规模供货做好准备。

混合键合省去了传统TCB工艺中的微凸块，直接在芯片间实现铜-铜互连，可大幅缩小间距、提升散热性能和信号完整性，被认为是HBM3E及下一代HBM4的关键封装路径。此次12层混合键合HBM验证的完成，标志着SK海力士在先进封装竞争中的又一次突破，尤其是在层数堆叠和良率管控方面进一步拉大了与追赶者的距离。业界分析认为，良率爬坡的顺利与否将直接影响该公司在AI/GPU客户端的供应份额，其进展值得持续关注。