英诺赛科宣布ITC专利案关键胜利：现有GaN器件确认不侵权，在美销售畅通无阻

中国氮化镓功率半导体龙头英诺赛科（Innoscience）5月8日对外宣布，其在与英飞凌（Infineon）的专利战中赢得关键阶段性成果。美国国际贸易委员会（ITC）已就第337-TA-1414号调查作出最终裁定，确认英诺赛科目前制造并销售的氮化镓（GaN）器件不构成对所涉专利的侵权，公司所有在美商业活动可继续保持正常。

这场始于一年前的专利争议，焦点在于英飞凌指控英诺赛科部分GaN功率器件侵犯其在美国注册的专利权，并要求ITC颁布有限排除令及禁止令，以阻止相关产品进入美国市场。然而，随着ITC终裁的落地，英诺赛科当前的全线GaN产品均被认定为未落入专利保护范围，避免了任何形式的销售中断。

英诺赛科在声明中强调，此次裁定有力验证了公司核心技术的原创性与独立性。公司始终坚持自主研发，并已在全球范围内积累了大量自主知识产权。此次胜利不仅为美国客户消除了供应不确定性，也进一步巩固了英诺赛科在高速增长的氮化镓功率半导体市场中的声誉。业内分析认为，该裁决将增强下游数据中心、快充和新能源等领域客户对英诺赛科GaN器件长期稳定供应的信心。

目前，英诺赛科正加速推进全球化布局，其苏州与珠海生产基地继续保持高产能运转，面向北美市场的物流与技术支持体系亦未受影响。公司表示，未来将持续以技术创新为驱动，与行业伙伴共同推动第三代半导体的规模化应用。