中国宽禁带芯片厂商业绩分化：5G驱动GaN射频高歌猛进，SiC盈利承压

2026年开年，中国宽禁带半导体市场呈现出冰火两重天的格局。以氮化镓射频器件为主的企业延续了高景气度，业绩亮眼。受国内5G基站建设进入密集扩容期，以及新一代基站中GaN功率放大器渗透率持续提升的推动，相关射频芯片厂商产能利用率接近满载，营收普遍实现同比大幅增长。同时，新能源汽车领域对高频率、高效率功率器件的渴望，也让用于车载OBC和激光雷达的GaN器件需求快速释放，成为第二增长极。

反观碳化硅领域，经历了两年的激进扩产后，行业正在承受阵痛。以SiC衬底和二极管为代表的细分市场，国产供给急剧增加，而同质化竞争日益激烈，价格较去年同期下滑超过15%。尽管下游新能源汽车主驱逆变器对SiC MOSFET的导入仍在加速，但高昂的生产成本、长晶环节的良率瓶颈以及国际大厂的降价反扑，使国内SiC企业利润空间被大幅压缩。部分头部企业Q1毛利率已跌破30%，部分中小厂商甚至陷入亏损，行业兼并重组传闻四起。

分析师认为，这种结构分化将贯穿2026全年。GaN射频将受益于国防和卫星通信等新需求继续保持强势；而SiC产业则进入洗牌期，拥有垂直集成能力和8英寸产线优势的企业有望在价格战中存活并最终整合市场。长期来看，两种材料将在中国功率半导体升级中扮演互补角色，但短期内的盈利分化将持续考验投资者的耐心。