内存价格2026年Q1暴涨：三星ASP飙146%，SK海力士DRAM涨幅达65%

存储芯片超级周期在2026年首季继续释放巨大动能。三星电子与SK海力士最新公布的财报清楚地勾勒出这波史无前例的涨势：三星全系内存产品平均售价（ASP）较上季飙升146%，而SK海力士的DRAM均价涨幅亦高达中六成区间，约在65%上下。

三星于5月15日披露的完整财报显示，内存业务成为驱动公司净利润翻倍的核心引擎。DRAM与NAND Flash的出货虽仅有个位数增长，但ASP的绝对涨幅完全主导了收入端弹性。一位三星高层在电话会议中指出，服务器DDR5与HBM3e等高附加值产品持续面临客户溢价抢购，128GB以上高容量模组的溢价幅度甚至超过两倍季度均价涨幅。

SK海力士的业绩同样印证了这一趋势。该公司DRAM平均售价上涨约65%，大容量企业级SSD在NAND端的价格提振更为迅速。管理层特别强调，12层堆叠HBM4验证进度超前，预计下半年起将显著贡献营收，而当前HBM3e产能仍满载至年底。两大厂判断，AI训练与推理带来的存储密度升级远未触顶，内存价格高位运行的基本盘至少贯穿2026全年。

供给端维持纪律，是此番超级周期区别于过往波动的重要背景。以三星为首的头部厂商并未因高毛利急剧扩张资本支出，反而将更多投资倾斜于1b纳米级DRAM和超过400层的V-NAND制程迁移。这意味着在先进制程良率爬坡阶段，整体位元产出增幅受限，结构性供需缺口将持续为价格提供支撑。

需求侧则呈现多极驱动。北美超大规模云服务商的定制化存储订单环比增长三成以上，同时边缘AI设备对低功耗LPDDR5X的拉货潮刚揭开序幕。产业跟踪显示，DDR5 64GB与128GB RDIMM已连续两个季度交期延长至20周以上，现货市场少量流通的拆板颗粒溢价达合约价1.5倍。市场人士普遍认为，此番超级周期的涨势梯队比2024年至2025年的周期更为扎实。