英伟达拟为Vera Rubin引入GPU直连存储，HBF崛起预期升温

大模型参数量的指数级增长正让传统高带宽内存（HBM）捉襟见肘，单纯依靠HBM堆叠已难以填平“内存墙”鸿沟。为此，英伟达据传将在下一代Vera Rubin GPU架构中引入GPU Direct Storage技术，让GPU直连高速闪存，绕过CPU和系统内存，直接读取大规模数据集。这一设计可将NVMe SSD等设备映射为GPU可用的扩展内存池，大幅降低数据搬运延迟，同时突破HBM容量上限。

韩国媒体The Elec的报道指出，亚马逊也在同步研发类似的存储直通方案，但英伟达的动作更为激进。Vera Rubin平台若能原生支持GPU直连存储，将为万亿参数模型的训练和推理提供全新的内存层次结构。该路径不再仅仅依赖HBM的带宽，而是结合大容量闪存构建近存储计算（near-storage compute）能力，在成本和扩展性上更具优势。

这一转变也瞬间点燃了业界对高带宽闪存（HBF）的热情。由铠侠和西部数据旗下闪迪提出的HBF概念，通过堆叠3D NAND并优化接口，旨在提供接近HBM带宽级别、同时拥有数倍容量的存储方案。一旦GPU直连存储架构成熟，HBF有望填补HBM与NAND SSD之间的空白，成为AI基础设施中新的关键拼图。业界普遍认为，随着Vera Rubin等下一代芯片的推出，HBF的商用化进程将显著加速。