ASML预计数月内首批High-NA EUV存储与逻辑产品问世，台积电因成本推迟采用

ASML首席执行官Christophe Fouquet近日对媒体表示，高数值孔径极紫外光（High-NA EUV）光刻设备已在生产效率和良率上取得显著进展，预计未来几个月内将交付首批面向存储和逻辑器件的高性能量产芯片。这一表态恰逢台积电宣布其规划中的A13和A12制程（均锁定2029年）无需引入High-NA EUV，引发业界对下一代光刻技术采用节奏的关注。

据透露，英特尔已率先将High-NA EUV部署于18A节点，三星与SK海力士也正积极评估该技术在DRAM及先进逻辑中的应用。Fouquet指出，尽管部分客户基于成本考量暂未导入，但High-NA EUV有望在2028年前后成为2纳米以下制程的关键推动力。台积电目前则依靠创新的三维晶体管架构与先进封装，在不依赖High-NA EUV的情况下持续推进微缩，其成本敏感的决策逻辑折射出行业在尖端光刻投资上的审慎态度。

分析人士认为，随着工具成熟度和生产效率进一步提升，High-NA EUV的单位晶圆成本将逐步下降，最终可能促使所有先进逻辑和存储制造商将其纳入关键技术路线，阿斯麦长期增长轨迹依旧稳固。