存储现货价格更新：品牌需求与竞价攀升推动DDR5走强，DDR4表现疲软

根据内存现货价格追踪报告，DDR5与DDR4产品之间的走势分化进一步加剧。尽管整体终端需求尚未全面复苏，但针对新一代DDR5平台的备货动作明显转趋积极，带动现货市场出现结构性强弱并存的格局。

在DRAM领域，DDR5现货市场本周维持活跃交投氛围，尤其是原厂品牌颗粒的询价热度显著升温。模组厂与部分工控客户针对特定品牌DDR5芯片的探价动作频繁，且愿意接受较前期更高的报价，以期锁定供应。这一现象主要受到两大因素驱动：一是下半年服务器与高端笔电新平台进入量产备货阶段，对DDR5的刚性需求稳步增加；二是原厂端将更多产能和晶圆分配转向DDR5与HBM，导致DDR5在现货市场的流通量相对有限，只要出现真实需求，便容易推高成交价位。相比之下，DDR4现货市场则延续清冷态势，买卖双方多持观望态度。下游模组厂对DDR4颗粒的采购依旧以急单和短单为主，且对价格极为敏感，压价意愿强烈，整体交易量能较上周进一步萎缩，部分品牌DDR4颗粒出现微幅让步成交。

NAND Flash现货市场方面，本周得到来自合约市场的间接提振。第二季度末敲定的NAND Flash合约价格普遍高于早前业界普遍预期，尤其在大容量3D NAND晶圆和部分嵌入式存储领域，原厂强势议价的态度遏制了现货市场的持续探底势头。现货贸易商对库存价值的减计担忧缓解，惜售情绪逐渐浮现，致使部分主流容量颗粒（如512Gb、1Tb TLC）的报价尝试性上调，但实际成交放量仍待需求端进一步信号确认。渠道SSD与存储卡等消费类产品则依旧面临终端消化缓慢的挑战，价格徘徊在低位。

整体而言，存储现货市场正经历代际切换带来的结构性波动。DDR5在品牌需求与供应偏紧的双重支撑下，短期内有望保持相对坚挺的走势；DDR4则需等待消费类电子需求回温及库存调整完成后方能企稳。NAND Flash市场在合约价超预期的支撑下，或逐步进入筑底阶段，但供需再平衡仍需时间。