三星调整GaN功率半导体战略：转向代工服务，预计7月启动运营
三星电子在氮化镓（GaN）功率半导体领域的战略正发生显著转向。据韩国媒体《The Elec》援引知情人士消息，三星已决定将GaN业务重心从自有器件销售切换至晶圆代工服务，并计划最快于今年7月开始代工运营。这一调整背后，是三星在GaN器件市场拓展客户受阻，而代工需求端却展现出更强的增长确定性。
报道指出，尽管三星早在数年前就开始布局GaN功率半导体，并推出了面向快充、数据中心电源等应用的器件产品，但实际市场表现未达预期。消息人士透露，三星的GaN器件在成本、性能匹配度以及客户认证周期等方面面临英诺赛科、英飞凌、纳微半导体等既有玩家的激烈竞争，导致其难以获得规模性订单。相比之下，多家无晶圆厂芯片设计公司对先进GaN代工产能的需求持续上升，这促使三星重新评估资源分配。
三星的GaN代工服务预计将依托其现有的8英寸（200mm）GaN-on-Si技术平台展开，可能在器兴或华城园区设置专用产线。初期代工产能主要瞄准消费类快充、电源适配器以及工业级电源等市场，后续有望向数据中心和车载高压应用延伸。产业链人士认为，三星在该节点切入代工，既能复用部分成熟的硅基设备与工艺经验，又能利用其在化合物半导体领域积累的缺陷控制能力，形成差异化竞争力。
从行业格局看，GaN功率半导体代工市场目前由台积电、X-Fab等占据主导，三星的加入无疑将加剧该领域的产能争夺。对于三星整体代工战略而言，此举也是在其晶圆代工部门加速先进制程（如GAA 3nm/2nm）商业化之外，对特殊制程多元化布局的重要补强。若7月按期启动，三星有望率先满足一批中小型芯片设计公司对低成本、高良率GaN代工的需求，从而在功率半导体代工细分市场建立新的据点。