三星与SK海力士自HBM5起规划新型散热技术：三大存储原厂散热路线引关注

围绕下一代高带宽内存的功耗与散热博弈正在成为存储产业的新战场。2026年台北国际电脑展期间，三星电子首次向外界展示了HBM5工程样品，SK海力士也同步亮出HBM4E的迭代方向，双方不约而同地将热管理能力置于宣讲核心。展会信息显示，随着堆叠层数持续增加、数据带宽向TB/s级别迈进，仅依靠传统底部填充或被动散热已难以满足工作温度约束。

据《亚洲商业日报》援引供应链消息，三星、SK海力士及美光均已在HBM5世代规划全新的热解决方案，技术路径呈现明显分化。三星尝试在逻辑芯片与DRAM堆栈之间引入混合键合，配合晶圆级导热层设计，试图缩短散热路径并降低热阻。SK海力士则继续改进其批量回流模制底部填充技术，并在HBM5预研中测试集成微流道液冷板的可行性，以应对1.2kW以上栈内功耗。美光则采取了更为保守但可快速量产的策略，聚焦在热界面材料配方升级与封装基板内埋铜柱，强调在不改变现有产线的前提下将结温压降15%以上。

业界人士指出，三家原厂的技术偏好实际上反映了其在先进封装和系统级散热上的不同积累。三星的路线高度依赖晶圆代工与封装协同，SK海力士凭借MR-MUF工艺的规模经验持续推进液冷集成，美光则更注重成本与良率的平衡。无论哪种方案，关键挑战都在于如何在维持高带宽信号完整性的同时，将散热结构对封装应力与可靠性的影响控制在可接受范围。随着HBM5有望在2027年初进入客户验证，这场散热竞赛的结果或将重塑数据中心GPU与AI加速器的配套格局。