台积电驳斥高NA EUV投资疑虑，确认购机投入研发并视成本定投产时机
随着英特尔不断推进其14A节点的高数值孔径极紫外光（High-NA EUV）路线图，业界目光再次聚焦晶圆代工龙头台积电的相对谨慎姿态。这套由ASML提供的下一代光刻系统每台造价约4亿美元，是延续摩尔定律的关键武器。6月4日台积电在年度股东会上对此做出直接回应，董事长魏哲家明确表示，公司并非犹豫投入，而是遵循一贯的成本纪律，已实际购入设备投入研发，量产时程则视经济性而定。
魏哲家指出，台积电早已完成首台High-NA EUV的采购，并已在研发中心装机，用于开发下一代工艺平台的基础光刻技术。他强调，不同于竞争对手直接将新设备导入量产线，台积电会先在实验室充分验证其光学性能、掩模技术和光刻胶的成熟度，确保未来导入晶圆厂时能迅速达成可量产、可靠的产出效率与良率。这一策略并非"慢半拍"，而是为降低技术迭代初期的巨额摊销风险。
魏哲家进一步解释，现阶段0.33 NA EUV设备与多重图案化技术的组合仍能支撑先进制程的微缩需求，High-NA EUV将在真正需要单次曝光实现更细微线宽、且每片晶圆成本开始具备竞争力的时间点，自然进入生产体系。他透露，研发团队正与ASML紧密合作优化光源功率与吞吐量，预期相关成果将在2纳米以下工艺世代的决策中扮演关键角色。
市场原本担忧台积电因成本过高对High-NA EUV却步，可能拖慢其冲击更高晶体管密度的节奏。但魏哲家的说明显示，台积电并未缺席，只是用更务实的采购与研发并行模式，将四亿美元级别的资本开支锁定在最恰当的放大时点——当客户产品的性能增益与晶圆成本达成平衡时，才是大规模部署的最佳时机。