英飞凌被判侵犯英诺赛科氮化镓专利，中国最高法维持销售禁令

中国领先的氮化镓（GaN）功率半导体企业英诺赛科（Innoscience）宣布，最高人民法院已作出终审判决，维持此前对英飞凌科技（Infineon Technologies AG）部分 GaN 产品的销售禁令。该裁决为两家公司在中国的专利侵权诉讼画上句号，英飞凌被认定侵犯了英诺赛科的相关专利权，不得在中国市场继续销售涉及侵权的一系列氮化镓产品。

这场专利纠纷始于数年前，英诺赛科指控英飞凌在其 GaN 功率器件中使用了受保护的技术结构，向法院提起诉讼并申请禁令。一审法院支持了英诺赛科的诉求，出具了销售禁令。英飞凌随后提起上诉，最高人民法院终审驳回上诉，维持原判。这意味着英飞凌相关 GaN 器件在中国市场的供应将受到实质性限制。

氮化镓作为第三代半导体核心材料，在快充、数据中心电源、新能源汽车及射频等领域需求旺盛。此次判决对英飞凌在中国 GaN 市场的布局产生影响，同时进一步巩固了英诺赛科在自主知识产权方面的优势。英诺赛科在声明中表示，将继续强化专利保护，维护创新成果。