华为、小米被曝计划自研HBM风格LLW DRAM，2027下半年发力手机端侧AI

由于手机内部空间极为紧凑且散热条件严苛，高带宽内存（HBM）至今难以直接应用于智能手机。不过，中国的头部手机品牌正在转向受HBM启发的全新内存架构，试图在功耗与物理限制中找到平衡。

据Wccftech报道，微博爆料人"定焦数码"透露，华为与小米计划在2027年下半年引入定制的低延迟宽I/O DRAM（LLW DRAM）。该方案借鉴了HBM的宽接口和堆叠思路，但专为移动端优化，目标是在不显著增加功耗的前提下，大幅提升内存带宽、降低数据访问延迟，从而直接服务于日益重要的端侧AI推理任务。

LLW DRAM通过将内存芯片垂直堆叠并通过硅通孔或类似互连技术与SoC紧密集成，有望打破当前LPDDR内存在AI负载下的带宽瓶颈。若该计划顺利推进，2027年下半年亮相的华为Mate系列或小米数字旗舰可能率先搭载，为本地大模型运行、实时影像处理等场景提供更强的存储支撑。