MIT实现单晶金刚石与氮化镓融合散热技术重大突破

麻省理工学院的研究人员在GaN-on-Diamond异质集成领域取得里程碑式进展。通过将氮化镓高电子迁移率晶体管（HEMT）直接键合到实验室生长的单晶金刚石衬底上，团队实现了超过2000 W/m·K的界面热导率，是传统硅基或碳化硅基方案的五倍以上。

金刚石作为已知热导率最高的天然材料，其单晶形态能够将晶体管结温降低逾40%，使射频功率密度提升至现有商业化器件的三倍。实验中，该结构在连续波模式下表现出稳定的毫米波输出，未出现传统封装中常见的局部热点失效。

该技术有望重塑5G/6G基站、卫星通信和相控阵雷达等高频高功率系统的散热架构，同时为下一代超薄柔性电子设备的紧凑化设计铺平道路。