三星发布UFS 5.0闪存，顺序读取速度达10.8GB/s创行业新高

三星电子今日宣布推出业界首款UFS 5.0通用闪存存储方案，再次刷新移动存储性能纪录。该新品基于三星最新V-NAND技术和自研控制器，顺序读取速度高达10.8 GB/s，较上一代UFS 4.0提升近一倍，可支持设备在瞬间加载大型游戏、超高分辨率视频和复杂的AI模型。

顺序写入速度同样表现亮眼，结合多通道设计，多任务场景下的随机读写延迟进一步降低。

三星表示，UFS 5.0针对未来的AI手机、边缘推理设备和折叠屏产品进行了深度优化，不仅能满足终端侧大模型高速缓存的需求，还在功耗控制上实现了显著突破，能效比提升超过30%。目前该产品已向主要移动处理器厂商和OEM合作伙伴送样，预计于今年底进入量产阶段。