三星、SK海力士、美光遭美国集体诉讼,被控以HBM为名操纵DRAM供应

三星、SK海力士、美光遭美国集体诉讼,被控以HBM为名操纵DRAM供应

全球前三大内存制造商三星电子、SK海力士与美光科技正遭遇来自美国消费者的集体诉讼,原告方指控三家企业联手操纵通用型DRAM的市场供给,以牟取不当利润。根据韩国媒体IT朝鲜获取的诉状信息,17名美国消费者于当地时间6月28日向加州北区联邦法院递交诉状,主张自2024年起,三家公司持续以“将产能转向高带宽存储器(HBM)以满足AI需求”为由,人为压缩PC、服务器等终端大量使用的DDR4与DDR5等标准DRAM的供给,导致市场出现非自然的供给紧张,并最终转嫁给下游消费者。

诉状详细列举了多个时间节点的供应变化与价格波动,认为厂商在HBM投资扩产的同时,完全具备维持通用DRAM合理产出的能力,却选择通过减少投片量、延长交货周期等方式制造供给缺口。原告称此举构成对市场竞争秩序的破坏,使美国消费者在购买搭载DRAM的电子产品时付出了更高的价格。诉讼要求三家公司停止相关行为并做出赔偿,具体金额未予披露。

业界分析指出,HBM由于搭载于AI加速器,近年处于严重供不应求状态,三家巨头确实将大量先进制程产能分配给HBM,客观上挤压了标准型存储器的晶圆投入。但诉讼的关键在于,这一供给偏移是被动顺应市场格局,还是主动利用AI叙事实施的策略性减产。目前,三星、SK海力士及美光均未就诉讼做出公开回应。如果法院受理并进入实质性审理,可能促使行业重新审视DRAM供应链的透明化议题,甚至引发更多地区监管机构的跟进调查。

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