美光广岛工厂扩建奠基，聚焦1γ DRAM与HBM产能，设备安装锁定2028下半年

美光科技正加速其在日本的先进存储器制造布局。就在韩国主要存储芯片厂商公布总计800万亿韩元扩产投资的同一周，美光在日本广岛县的东广岛工厂举行了隆重的扩建奠基仪式。据彭博社和日经电子版披露，该项目总投资高达1.5万亿日元（按当前汇率约合93亿美元），主要面向新一代1γ（Gamma）DRAM和高带宽存储器HBM的规模化生产。

广岛工厂长期承担着美光高端DRAM的研发与量产重任，此次扩建被视为其强化尖端制程能力的里程碑。消息人士指出，新产线将重点部署极紫外（EUV）光刻等关键制造设备，确保1γ制程能够顺利从开发阶段迈向高良率大规模量产。1γ节点是美光在DRAM微缩路线图上的重要一步，可带来更低的功耗与更高的位密度，尤其适配人工智能、高性能计算等数据密集型负载对内存带宽的严苛需求。

市场观察人士认为，美光选择此时在广岛大举投资，不仅呼应了全球AI服务器出货激增带来的HBM供不应求局面，也旨在巩固其在存储器产业的技术话语权。根据工厂规划，设备运送及安装调试工作将集中在2028年下半年展开，届时新增的洁净室面积将能容纳先进制造集群，使美光在HBM竞争中的产能弹性得到质的提升。