杰盛微半导体推出升级替代型号——JSM5619

当工业驱动领域还在为 PT5619 的性能点赞时，杰盛微半导体已悄然推出升级替代型号 ——JSM5619。这款三相高低侧功率 MOSFET/IGBT 驱动芯片，不仅 100% 兼容 PT5619 的引脚与电气参数，更在抗干扰能力、温度适应性等细节实现技术突破，成为电机控制、逆变器等场景的新一代优选方案。

一、产品介绍

      JSM5619是一款高压、高速功率 MOSFET 高低侧驱动芯片，采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。JSM5619逻辑输入电平兼容低至3,3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平，输出具有大电流脉冲能力，和防直通的死区逻辑。        JSM5619的浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET，浮地通道最高工作电压可达250V。

      JSM5619为 TSSOP20封装，可以在-40℃至125℃温度范围内工作。

 

二、产品特性

自举工作的浮地通道

最高工作电压为+250V

兼容 3.3 /5V 输入逻辑

dVs/dt 耐受能力可达±50 V/ns

Vs 负偏压能力达-9V

栅极驱动电压范围 8V至20V

高、低侧欠压锁定电路

-高侧欠压锁定正向阅值7.1V

-高侧欠压锁定负向阀值 6.9V

-低侧欠压锁定正向阀值 7V

-低侧欠压锁定负向阅值6.6V

防直通死区逻辑

-死区时间设定 200ns

芯片传输廷时特性

-开通/关断传输延时 Ton/Toff=150ns/120ns

-延迟匹配时间小于 50ns

宽温度范围-40~125°C

输出级拉电流/灌电流能力 1.5AV1.8A

符合 RoSH 标准

三、应用范围

电机控制

空调/洗衣机

通用逆变器

微型逆变器驱动

 

四、技术参数详解：硬核实力看得见

极限工作范围：超过极限最大额定值可能造成器件永久性损坏。所有电压参数的额定值是以 COM 为参考的，环境温度为 25℃

推荐工作范围：为了正确地操作，姜器件应当在以下推荐条件下使用。Vs和 COM 的偏置额定值是在电源电压为 15V时进行测量的，无特殊说明的情况下，所有电压参数的额定值是以COM 为参考的，环境温度为25℃。

 

五、引脚功能描述

六、功能框图

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