<img style="width: 600px; height: auto; margin: 0 auto; display: block;" src="http://oksht-mall.oss-cn-shenzhen.aliyuncs.com/news/e5fi50pr.jpg" alt="[新闻] Meta被曝裁员8000人：AI转型推进下成本削减仅30亿美元 远不及资本支出增长" /><div style="font-family: Georgia, 'Times New Roman', '宋体', serif; font-size: 17px; line-height: 1.9; color: #2c2c2c; padding: 20px 0; letter-spacing: 0.3px;">    <div style="border-left: 4px solid #bf2722; padding-left: 20px; margin-bottom: 28px;">        <p style="margin: 0; font-size: 17.5px; color: #1a1a1a; letter-spacing: 0.4px;">据知情人士透露，Meta Platforms正在执行一项涉及约<span style="color: #bf2722; font-weight: 600; border-bottom: 2px solid #bf2722; padding-bottom: 2px;">8000人</span>的裁员计划，这是该公司在全力押注人工智能之际，旨在精简组织架构、压缩运营成本的最新动作。彭博社援引Meta内部备忘录称，通知已于当地时间周三上午启动，亚太地区总部新加坡的员工首批接到裁员通知，随后将扩展至欧洲及美国本土团队。</p>    </div>    <p style="margin: 0 0 22px 0; text-indent: 2em; color: #333333;">此次裁员是Meta持续推进<span style="color: #bf2722; font-weight: 600;">"效率之年"</span>战略的一部分。尽管裁员将为公司节省约30亿美元的人力开支，但有分析指出，同一期间Meta在人工智能基础设施和研发领域的资本支出正加速攀升。根据公司上月发布的最新指引，2026年全年资本支出预计将达到<span style="color: #bf2722; font-weight: 600;">340亿至390亿美元</span>规模，主要用于数据中心和AI专用芯片的采购。这意味着，裁员带来的成本节省仅相当于资本支出增量的很小一部分。</p>    <p style="margin: 0 0 22px 0; text-indent: 2em; color: #333333;">扎克伯格此前在内部信中强调，公司必须将资源从非核心项目转移至生成式AI、推荐系统等新兴技术领域。随着广告业务增长趋缓，Meta正试图通过AI提高广告转化率和用户体验，同时开源其大型语言模型以构建开发者生态。不过，大规模裁员也带来团队士气与人才流失的隐忧，部分核心技术岗位的流失或对长期研发节奏产生影响。</p>    <div style="background-color: #faf7f7; border-left: 4px solid #bf2722; padding: 16px 20px; margin: 24px 0; border-radius: 0 6px 6px 0;">        <p style="margin: 0; color: #444444; font-size: 16px; line-height: 1.85;">截至发稿，Meta方面尚未对裁员规模与影响作出正式置评。市场对此次调整反应相对平稳，Meta股价在盘前交易中微幅波动。业内人士认为，科技巨头的降本增效与AI投入之间的张力正在加剧，未来可能会有更多类似的结构性调整。</p>    </div></div>

Meta已启动全球裁员8000人计划，以聚焦人工智能转型并压缩成本。但预计节省的30亿美元难抵迅猛增长的AI资本支出，凸显科技巨头效率与投资的矛盾。

Meta被曝裁员8000人：AI转型推进下成本削减仅30亿美元 远不及资本支出增长

<img style="width: 600px; height: auto; margin: 0 auto; display: block;" src="http://oksht-mall.oss-cn-shenzhen.aliyuncs.com/news/k28qixpw.jpg" alt="ADATA：三星罢工将助推存储价格上扬，中国扩产影响最早2028年显现" /><div style="font-family: -apple-system, BlinkMacSystemFont, 'Segoe UI', Roboto, 'Helvetica Neue', Arial, sans-serif; color: #333; line-height: 1.8; font-size: 16px; padding: 20px 0;">  <p style="margin: 0 0 20px 0; padding: 0 0 0 15px; border-left: 3px solid #bf2722;">三星电子工会宣布将于5月21日发起罢工，市场高度关注这一事件对全球记忆体供应链的冲击。尽管分析认为此次罢工对三星全年的产出影响相对有限，但存储器模组大厂ADATA认为，罢工消息已在短期内诱发明显的涨价预期。</p>  <p style="margin: 0 0 20px 0; padding: 0 0 0 15px; border-left: 3px solid #bf2722;">ADATA指出，受三星罢工消息影响，下游客户备货意愿明显增强，现货市场反应迅速，DRAM与NAND Flash价格已出现上涨势头。业界普遍预期，存储原厂极有可能借此机会收紧低价供应，进一步巩固第二季合约价上调的走势。</p>  <p style="margin: 0 0 20px 0; padding: 0 0 0 15px; border-left: 3px solid #bf2722;">与此同时，针对中国本土存储厂商产能扩张对全球供给格局的扰动，ADATA评估认为，由于技术爬坡和客户验证周期较长，其大规模有效供给的影响预计最早也要到2028年才会显现。短期内市场供需仍由三大原厂主导，价格趋势偏向正面。</p></div>

ADATA指出，三星即将开始的罢工虽对全年产出直接影响有限，但已激起市场看涨情绪，带动存储器价格上涨；中国存储厂商扩产影响预计最早2028年才会显现。

ADATA：三星罢工将助推存储价格上扬，中国扩产影响最早2028年显现

<img style="width: 600px; height: auto; margin: 0 auto; display: block;" src="http://oksht-mall.oss-cn-shenzhen.aliyuncs.com/news/sbblg4me.jpg" alt="中微半导体实现刻蚀设备重大突破，中芯国际已购入逾800台" /><div style="padding: 32px 28px; background: #fefefe; font-family: 'PingFang SC', 'Hiragino Sans GB', 'Microsoft YaHei', 'Noto Sans SC', sans-serif; color: #2c2c2c; line-height: 1.9; letter-spacing: 0.02em; border-radius: 4px; box-shadow: 0 1px 6px rgba(0,0,0,0.06);">    <div style="margin-bottom: 28px; padding-left: 20px; border-left: 3px solid #bf2722;">    <p style="margin: 0; font-size: 17px; color: #1a1a1a; line-height: 2; letter-spacing: 0.03em;">中国半导体设备制造商中微半导体（AMEC）近期披露了技术攻关的重大进展。公司创始人、董事长兼首席执行官尹志尧在接受中国中央电视台采访时表示，由中微自主研发的等离子体刻蚀机已在多个关键指标上达到世界领先水平，能够满足5纳米及以下先进制程的严苛要求。这一成就意味着中国在半导体核心装备领域正加速摆脱对外依赖。</p>  </div>  <div style="margin-bottom: 24px; padding: 0 4px;">    <p style="margin: 0; font-size: 15px; color: #333; line-height: 2; text-indent: 2em;">刻蚀设备是芯片制造中与光刻机同等重要的核心装备，负责在晶圆上精确雕刻电路图形。尹志尧指出，中微的等离子体刻蚀技术凭借极高的选择比和均匀性，已在全球主要逻辑芯片和存储器生产线上得到验证。他强调：<span style="color: #bf2722; font-weight: 500;">"我们的设备不仅进入了国内主流产线，也在某些技术节点上实现了对国际顶尖同类产品的超越。</span>"</p>  </div>  <div style="margin-bottom: 24px; padding: 20px 20px; background: #fdf8f8; border-radius: 3px; border-left: 3px solid #bf2722;">    <p style="margin: 0; font-size: 15px; color: #333; line-height: 2; text-indent: 2em;">突破性技术带来的商业化成果同样显著。据透露，中国最大的晶圆代工企业中芯国际（SMIC）已累计采购中微刻蚀设备超过<strong style="color: #bf2722;">800台</strong>，覆盖其从成熟制程到先进节点的多条产线。这批设备在产线运行中表现出高稳定性和良率优势，成为中芯国际扩产先进工艺的重要支撑。市场分析人士认为，大规模采购印证了下游晶圆厂对国产刻蚀工具的信任度已发生质变。</p>  </div>  <div style="padding: 0 4px;">    <p style="margin: 0; font-size: 15px; color: #333; line-height: 2; text-indent: 2em;">在全球半导体供应链重构的背景下，中微的进展为中国芯片制造业提供了坚实的设备底座。公司表示将继续加大研发投入，聚焦高深宽比刻蚀、极紫外光刻配套刻蚀等前沿方向，推动国产设备向更高端迈进。业内预计，随着国产刻蚀机在更多产线铺开，中国半导体产业在关键环节的自主可控能力将得到系统性增强。</p>  </div></div>

中微半导体创始人尹志尧透露，公司等离子体刻蚀技术已达国际一流水准，部分设备领先全球，中芯国际累计采购超800台刻蚀机，标志着中国半导体设备自主化取得重大突破。

中微半导体实现刻蚀设备重大突破，中芯国际已购入逾800台

<img style="width: 600px; height: auto; margin: 0 auto; display: block;" src="http://oksht-mall.oss-cn-shenzhen.aliyuncs.com/news/spv91ff2.jpg" alt="[新闻] 上海AI实验室联合团队攻克光刻胶稳定生产瓶颈" /><div style="background: #ffffff; padding: 24px 28px; border-left: 5px solid #bf2722; font-family: 'PingFang SC', 'Hiragino Sans GB', 'Microsoft YaHei', sans-serif;">  <p style="font-size: 16px; line-height: 1.8; color: #1a1a1a; margin: 0 0 20px 0; text-indent: 2em;">近日，上海人工智能实验室联合产业合作伙伴宣布，在半导体制造核心材料光刻胶的稳定量产方面取得<span style="color: #bf2722; font-weight: bold;">重要突破</span>。光刻胶是芯片光刻工序中不可或缺的材料，其分辨率、敏感度及批次一致性直接影响着晶圆制造的良率和器件性能。长期以来，稳定生产高质量光刻胶一直是全球产业链的难点，相关技术被少数外国企业垄断。</p>  <p style="font-size: 16px; line-height: 1.8; color: #1a1a1a; margin: 0 0 20px 0; text-indent: 2em;">该联合团队聚焦光刻胶配方设计与工艺控制，引入<span style="color: #bf2722; font-weight: bold;">深度学习与强化学习等人工智能技术</span>，对树脂、光敏剂、添加剂等配方组分进行高通量筛选，同时结合制造过程中的实时传感数据，动态优化生产参数，最终实现了光刻胶关键指标的精确调控。通过AI训练出的模型，不仅大幅缩短了配方研发周期，还保证了不同批次间产品性能的高度一致。</p>  <p style="font-size: 16px; line-height: 1.8; color: #1a1a1a; margin: 0; text-indent: 2em;">据悉，此次突破意味着在高端光刻胶领域，我国具备了<span style="color: #bf2722; font-weight: bold;">自主稳定供应的能力</span>，有望打破长期以来对进口的依赖，对保障国内半导体产业链安全具有重要意义。目前，相关成果已完成中试验证，即将进入规模化生产阶段。</p></div>

上海AI实验室领头攻克光刻胶稳定生产难题，利用AI技术优化配方和工艺，提升芯片制造良率，实现光刻胶自主可控。

上海AI实验室联合团队攻克光刻胶稳定生产瓶颈

<img style="width: 600px; height: auto; margin: 0 auto; display: block;" src="http://oksht-mall.oss-cn-shenzhen.aliyuncs.com/news/1ffal7g6.jpg" alt="SCHMID透露台积电面板级封装新进展：310×310mm基板推进，玻璃基板整合评估中" /><div style="padding: 24px; background: #ffffff; border-left: 4px solid #bf2722; box-shadow: 0 2px 8px rgba(0,0,0,0.06);">  <p style="font-size: 16px; color: #333333; line-height: 1.8; margin: 0 0 16px 0;">    随着英伟达等AI加速器厂商持续推出计算芯片尺寸不断增大的产品，<span style="font-weight: bold; color: #bf2722;">面板级封装</span>正在获得越来越高的关注。  </p>  <p style="font-size: 16px; color: #333333; line-height: 1.8; margin: 0 0 16px 0;">    <span style="font-weight: bold; color: #333;">德国PCB与IC载板设备供应商SCHMID</span>日前在接受采访时指出，<span style="font-weight: bold; color: #bf2722;">台积电</span>在<span style="font-weight: bold;">310×310mm</span>大尺寸面板级封装技术上已取得实质性进展，相关工艺开发进入关键阶段。同时，台积电也在积极评估<span style="font-weight: bold; color: #bf2722;">玻璃基板</span>作为新型材料的整合可行性，这一方向有望进一步提升封装的电气性能与散热能力，满足高性能计算对大尺寸、高密度互连的严苛需求。  </p>  <p style="font-size: 16px; color: #333333; line-height: 1.8; margin: 0;">    <span style="font-weight: bold; color: #bf2722;">面板级封装</span>相较于传统晶圆级封装，在面积利用率与产出效率上具有显著优势，正成为突破AI芯片尺寸限制的关键路径之一。  </p></div>

设备厂商SCHMID透露，台积电在310×310mm面板级封装技术上取得进展，并正在评估玻璃基板整合方案，以满足AI芯片对大尺寸高密度封装的需求。

SCHMID透露台积电面板级封装新进展：310×310mm基板推进，玻璃基板整合评估中

<img style="width: 600px; height: auto; margin: 0 auto; display: block;" src="http://oksht-mall.oss-cn-shenzhen.aliyuncs.com/news/8s8sti16.jpg" alt="英特尔 18A 良率月增 7%-8%，下半年客户预计导入，传推 18A CPU 应对供应短缺" /><div style="font-family: -apple-system, BlinkMacSystemFont, 'Segoe UI', Roboto, 'Helvetica Neue', Arial, sans-serif; color: #222; line-height: 1.9; font-size: 16px; padding: 20px 0;">  <p style="margin: 0 0 24px 0; padding-left: 16px; border-left: 4px solid #bf2722; color: #333;">    英特尔近期扭转局面的努力正显现出更清晰的向上轨迹。据 CNBC 报道，英特尔 CEO 陈立武（Lip-Bu Tan）对外释放了积极信号，称公司晶圆代工业务正在稳步推进，其中关键的 <span style="font-weight: 600; color: #bf2722;">18A 制程</span> 良率已进入稳定爬坡阶段，目前以每月 <span style="font-weight: 600; color: #bf2722;">7% 到 8%</span> 的幅度持续改善。这一进展表明英特尔已经克服了该节点早期的技术挑战，逐步靠近量产成熟度。  </p>  <p style="margin: 0 0 24px 0; padding-left: 0; color: #333;">    <span style="font-weight: 700; color: #222;">更为重要的是，</span>良率的快速提升为代工业务的客户导入创造了窗口。陈立武明确指出，相关改善为 <span style="font-weight: 600; color: #bf2722;">2026 年下半年</span> 外部客户的正式导入奠定了信心基础，侧面印证了英特尔在先进制程代工领域的竞争力正在恢复。市场分析认为，18A 是英特尔重夺制程领先地位的关键节点，其良率曲线的陡峭程度将直接决定客户采纳节奏。  </p>  <p style="margin: 0 0 24px 0; padding-left: 0; color: #333;">    <span style="font-weight: 700; color: #222;">与此同时，</span>有消息人士透露，面对当前部分芯片产品供应紧张的状况，英特尔内部正加速推动将自有 CPU 产品线迁移至 18A 工艺。这一策略不仅能率先在自家产品上验证制程稳定性，还有望在产能分配上赢得主动，从而在供应短缺的窗口期抢占市场先机。不过，英特尔官方并未就具体 CPU 型号的制程切换时间表予以置评。  </p></div>

英特尔 CEO 陈立武表示，18A 制程良率每月提升 7%-8%，预计 2026 年下半年将迎来代工客户导入。同时，为应对芯片短缺，英特尔拟率先推出采用 18A 工艺的 CPU。

英特尔 18A 良率月增 7%-8%，下半年客户预计导入，传推 18A CPU 应对供应短缺

<p><img style="width: 600px; height: auto; margin: 0 auto; display: block;" src="http://oksht-mall.oss-cn-shenzhen.aliyuncs.com/news/odf96bjm.jpg" alt="英伟达拟为Vera Rubin引入GPU直连存储，HBF崛起预期升温" /></p>
<p style="border-left: 4px solid #bf2722; padding-left: 14px; margin-bottom: 22px; font-size: 16px; line-height: 1.75; color: #2c2c2c; text-align: justify;">大模型参数量的指数级增长正让传统高带宽内存（HBM）捉襟见肘，单纯依靠HBM堆叠已难以填平&ldquo;内存墙&rdquo;鸿沟。为此，英伟达据传将在下一代Vera Rubin GPU架构中引入GPU Direct Storage技术，让GPU直连高速闪存，绕过CPU和系统内存，直接读取大规模数据集。这一设计可将NVMe SSD等设备映射为GPU可用的扩展内存池，大幅降低数据搬运延迟，同时突破HBM容量上限。</p>
<p style="border-left: 4px solid #bf2722; padding-left: 14px; margin-bottom: 22px; font-size: 16px; line-height: 1.75; color: #2c2c2c; text-align: justify;">韩国媒体The Elec的报道指出，亚马逊也在同步研发类似的存储直通方案，但英伟达的动作更为激进。Vera Rubin平台若能原生支持GPU直连存储，将为万亿参数模型的训练和推理提供全新的内存层次结构。该路径不再仅仅依赖HBM的带宽，而是结合大容量闪存构建近存储计算（near-storage compute）能力，在成本和扩展性上更具优势。</p>
<p style="border-left: 4px solid #bf2722; padding-left: 14px; margin-bottom: 0; font-size: 16px; line-height: 1.75; color: #2c2c2c; text-align: justify;">这一转变也瞬间点燃了业界对高带宽闪存（HBF）的热情。由铠侠和西部数据旗下闪迪提出的HBF概念，通过堆叠3D NAND并优化接口，旨在提供接近HBM带宽级别、同时拥有数倍容量的存储方案。一旦GPU直连存储架构成熟，HBF有望填补HBM与NAND SSD之间的空白，成为AI基础设施中新的关键拼图。业界普遍认为，随着Vera Rubin等下一代芯片的推出，HBF的商用化进程将显著加速。</p>

英伟达计划在下一代Vera Rubin GPU中引入直连存储架构，以突破HBM容量瓶颈，此举进一步推升高带宽闪存（HBF）的市场预期，有望重塑AI存储层次。

英伟达拟为Vera Rubin引入GPU直连存储，HBF崛起预期升温

<p><img style="width: 600px; height: auto; margin: 0 auto; display: block;" src="http://oksht-mall.oss-cn-shenzhen.aliyuncs.com/news/qjn84bzm.jpg" alt="首款英特尔Wildcat Lake笔记本即将上市：搭载18A工艺，剑指苹果MacBook Neo" /></p>
<div style="padding: 32px 36px; background: #ffffff; border-radius: 16px; box-shadow: 0 8px 30px rgba(0,0,0,0.05); font-family: -apple-system, BlinkMacSystemFont, 'Segoe UI', Roboto, 'PingFang SC', 'Microsoft YaHei', 'Hiragino Sans GB', sans-serif;">
<div style="height: 4px; width: 50px; background: #bf2722; margin-bottom: 32px; border-radius: 2px;">&nbsp;</div>
<p style="font-size: 17px; line-height: 1.9; color: #2d2d2d; margin: 0 0 28px 0; text-align: justify;"><span style="font-weight: 600; color: #bf2722;">据Wccftech报道</span>，首批搭载英特尔<strong style="font-weight: 600;">&ldquo;Wildcat Lake&rdquo;酷睿300系列</strong>处理器的笔记本电脑已进入上市倒计时。该平台基于英特尔最先进的<strong style="font-weight: 600; color: #bf2722;">18A制程节点</strong>，专攻入门级PC市场，首发型号将覆盖<strong>14英寸</strong>与<strong>16英寸</strong>两种规格，预计最早下周就能摆上零售货架。</p>
<div style="background: #faf9f9; border-left: 5px solid #bf2722; padding: 20px 24px; margin: 16px 0 24px 0; border-radius: 0 8px 8px 0;">
<p style="font-size: 16px; line-height: 1.8; color: #404040; margin: 0; text-align: justify;">业内普遍认为，这一产品线在定位与能效策略上直接瞄准了苹果传闻中的<strong style="color: #bf2722;">MacBook Neo</strong>系列，意图在轻薄本市场掀起新一轮竞争。</p>
</div>
</div>

英特尔Wildcat Lake笔记本即将发布，采用18A工艺，对标苹果MacBook Neo，首批14和16英寸型号最早下周上市。

首款英特尔Wildcat Lake笔记本即将上市：搭载18A工艺，剑指苹果MacBook Neo

<img style="width: 600px; height: auto; margin: 0 auto; display: block;" src="http://oksht-mall.oss-cn-shenzhen.aliyuncs.com/news/z9oholbk.jpg" alt="内存价格2026年Q1暴涨：三星ASP飙146%，SK海力士DRAM涨幅达65%" /><div style="font-family: -apple-system, 'PingFang SC', 'Microsoft YaHei', 'Hiragino Sans GB', 'STHeiti', sans-serif; font-size: 16px; color: #2d2d2d; line-height: 1.9; letter-spacing: 0.02em; padding: 20px 0;"><p style="margin: 0 0 28px 0; padding: 0 0 0 18px; border-left: 4px solid #bf2722; font-size: 17px; font-weight: 500; color: #1a1a1a; line-height: 1.95; text-indent: 0;">存储芯片超级周期在2026年首季继续释放巨大动能。三星电子与SK海力士最新公布的财报清楚地勾勒出这波史无前例的涨势：三星全系内存产品平均售价（ASP）较上季飙升146%，而SK海力士的DRAM均价涨幅亦高达中六成区间，约在65%上下。</p><p style="margin: 0 0 22px 0; text-indent: 2em; line-height: 1.9;">三星于5月15日披露的完整财报显示，内存业务成为驱动公司净利润翻倍的核心引擎。DRAM与NAND Flash的出货虽仅有个位数增长，但ASP的绝对涨幅完全主导了收入端弹性。一位三星高层在电话会议中指出，服务器DDR5与HBM3e等高附加值产品持续面临客户溢价抢购，128GB以上高容量模组的溢价幅度甚至超过两倍季度均价涨幅。</p><p style="margin: 0 0 22px 0; text-indent: 2em; line-height: 1.9;">SK海力士的业绩同样印证了这一趋势。该公司DRAM平均售价上涨约65%，大容量企业级SSD在NAND端的价格提振更为迅速。管理层特别强调，12层堆叠HBM4验证进度超前，预计下半年起将显著贡献营收，而当前HBM3e产能仍满载至年底。两大厂判断，AI训练与推理带来的存储密度升级远未触顶，内存价格高位运行的基本盘至少贯穿2026全年。</p><div style="height: 1px; margin: 26px 0; background: linear-gradient(to right, #bf2722 0%, #bf2722 60px, #e8e8e8 60px, #e8e8e8 100%);"></div><p style="margin: 0 0 22px 0; text-indent: 2em; line-height: 1.9;">供给端维持纪律，是此番超级周期区别于过往波动的重要背景。以三星为首的头部厂商并未因高毛利急剧扩张资本支出，反而将更多投资倾斜于1b纳米级DRAM和超过400层的V-NAND制程迁移。这意味着在先进制程良率爬坡阶段，整体位元产出增幅受限，结构性供需缺口将持续为价格提供支撑。</p><p style="margin: 0 0 0 0; text-indent: 2em; line-height: 1.9;">需求侧则呈现多极驱动。北美超大规模云服务商的定制化存储订单环比增长三成以上，同时边缘AI设备对低功耗LPDDR5X的拉货潮刚揭开序幕。产业跟踪显示，DDR5 64GB与128GB RDIMM已连续两个季度交期延长至20周以上，现货市场少量流通的拆板颗粒溢价达合约价1.5倍。市场人士普遍认为，此番超级周期的涨势梯队比2024年至2025年的周期更为扎实。</p></div>

2026年第一季度内存市场量价齐升，三星平均内存售价暴涨146%，SK海力士DRAM均价涨幅超过65%。两大韩厂同步释放乐观信号，存储超级周期持续推高获利。

内存价格2026年Q1暴涨：三星ASP飙146%，SK海力士DRAM涨幅达65%

<img style="width: 600px; height: auto; margin: 0 auto; display: block;" src="http://oksht-mall.oss-cn-shenzhen.aliyuncs.com/news/f4p6cegv.jpg" alt="[新闻] 无水氢氟酸供应收紧，引发半导体材料链担忧" /><div style="background:#ffffff; padding:24px 28px; border-left:4px solid #bf2722; margin:12px 0; box-shadow:0 1px 4px rgba(0,0,0,0.06);">    <p style="font-size:16px; color:#333333; line-height:1.85; text-indent:2em; margin-bottom:16px;">据韩国媒体TheElec报道，韩国主要无水氢氟酸（AHF）生产商Solbrain、ENF Technology以及Huseong已从本月起转向中国市场采购无水氢氟酸，采购价格与今年年初相比上涨约40%。上述企业将原料加工为电子级氢氟酸后，供应给三星电子、SK海力士等半导体制造商。</p>    <p style="font-size:16px; color:#333333; line-height:1.85; text-indent:2em; margin-bottom:0;">业界分析认为，中国对氟化工关键原料出口管控的持续收紧，叠加全球半导体产能扩张带来的上游材料需求增长，是导致AHF供应收紧和价格攀升的主要原因。随着成本压力与供货不确定性同时上升，半导体材料供应链各环节均面临考验，下游芯片制造环节的稳定生产恐将受到波及。</p></div>

韩国Solbrain、ENF Technology等无水氢氟酸厂商开始从中国进口原料，价格较年初上涨40%，引发对半导体材料供应链稳定性的担忧。

无水氢氟酸供应收紧，引发半导体材料链担忧

为您提供最新的元器件原厂最新全部动态相关公告与新闻资讯。

热销型号

热门资讯