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<section data-brushtype="text">今年二连涨！又一国际大厂发涨价函，10月全线产品再涨7%</section>
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<section><img style="display: block; margin-left: auto; margin-right: auto;" src="https://oksht-mall.oss-cn-shenzhen.aliyuncs.com/images%2F2021-08-13%2F8b2e0fa1c7da40c9ba8a85906bf90da0-bWNldV8zNzI3NDY5MDE4MTYyODg0OTQ5NDMwMy5qcGc%3D.jpg" width="527" height="351" /></section>
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今日，朋友圈传出molex的涨价函，涨价函显示，受原材料不断上涨等外部因素的影响，经慎重决定，将全线产品价格整体上调至少7%，2021年10月1日起生效，10月1日之后出货的订单以及新订单，均按新价格处理。
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据悉，这已经是Molex今年的第二次涨价，今年5月12日该公司发布了一张涨价函，称为应对全球需求、产能限制和物流问题的持续影响，Molex将于2021年7月1日调整部分产品价格。除了涨价，交期也是很不稳定，产品交期普遍在24周以上，随时都有顺延的可能。
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从全球连接器厂商竞争领域来看，目前高端层面的连接器生产技术主要是掌握在国外厂商手中，以TE Connectivity(泰科电子)、Molex(莫仕)、Amphenol(安费诺)这三家美国大型厂商为主，三家厂商的市场份额约占全球总体份额的30%以上。
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此外，8月12日，有媒体曝出新唐科技涨价函。不同于以往调涨MCU价格，这一次，新唐罕见地将涨价对准了晶圆，反映出芯片成熟制程从材料到产品全线吃紧的现状。
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该涨价函表示：由于今年第三季度的晶圆继续供不应求，产能失调，新唐科技将于9月1日开始上调晶圆代工价格，将在现行基础上提高15％。
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<section data-brushtype="text">美议员：三星或在美国伊利诺州新建车用电池厂，邻近Rivian</section>
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<section><img style="display: block; margin-left: auto; margin-right: auto;" src="https://oksht-mall.oss-cn-shenzhen.aliyuncs.com/images%2F2021-08-13%2F912f96e1a0e048ccbcbaa3ab8c19060c-bWNldV8zMDg4NzczMDgxMDE2Mjg4NDk1MjI2MzUuanBn.jpg" width="480" height="315" /></section>
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美国参议员杜宾（DickDurbin）周四（12日）透露，南韩三星集团正考虑在美国伊洛诺州中部兴建车用电池工厂。
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杜宾在记者会上说：「我们正在争取三星盖大型车用电池工厂。三星本周从南韩派来代表团，我们彼此商谈过，希望三星的车用电池工厂盖在Rivian的隔壁，不过目前一切尚未定案。」
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路透上个月曾报导，三星SDI可能在美国盖车用电池工厂。报导也指出，三星SDI持续与Stellantis和Rivian等电动车制造商洽谈，以供应其未来在美国生产的车用电池。
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知情人士表示，三星正考虑投资至少3兆韩元为Stellantis生产电池，并投资至少1兆韩元为Rivian生产电池。此外，三星SDI在南韩、中国、匈牙利都有车用电池工厂，为BMW、福特、Volvo、福斯等客户提供电池。
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<section data-brushtype="text">DRAM报价传出降温，存储产业或将进入冬天</section>
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据MarketWatch、Barron's报导，摩根士丹利(通称大摩)分析师Shawn Kim将镁光的投资评等从「加码」调降至「中性权值」，警告产业凛冬将至，预测DRAM报价恐将走低。分析人士担忧存储器产业即将迎来冬天，冲击美国存储器大厂镁光。
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大摩报告称，DRAM景气循环已开始翻转，大摩担忧，即便需求一直「相对」强劲，过去几周却有恶化迹象，进而引发报价降温的预期。报告指出，初步迹象显示，Q3经过冗长协商、厂商决定调高报价后，Q4恐面临较为艰巨的订价环境，预测2022年趋势可能反转。
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针对镁光，大摩指出，他们对该公司的结构性改善印象深刻，但报价走势依旧令人忧心。虽然过去两季DRAM价格跳增了35%，还有望温和上涨至今(2021)年底，但明年报价却可能面临「较深的跌幅」，主因部分市场的客户库存偏高。大摩因而将镁光目标价从105美元下修75美元。
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此外，大摩也将SK海力士的投资评等从「加码」调降至「减码」，南韩科技产业的展望则从「符合预期」调降至「保守」。
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<section data-brushtype="text">正寻找后继者！夏普会长兼CEO戴正吴拟在今年度内卸任</section>
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<section><img style="display: block; margin-left: auto; margin-right: auto;" src="https://oksht-mall.oss-cn-shenzhen.aliyuncs.com/images%2F2021-08-13%2F1fd981b5afc74b7b9966a61474e57942-bWNldV80NzY3NzI1MDAxMjE2Mjg4NDk1NDkxNTkuanBn.jpg" width="464" height="317" /></section>
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鸿海于2016年收购夏普(Sharp)后，在8月12日满5年，而鸿海出身的夏普会长兼CEO戴正吴(见图)在发给员工的信件中透露，拟在今年度(2022年3月底前)内卸任。
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综合日本媒体报导，戴正吴12日在发给员工的信件中透露，有意在今年度内卸任，并将在明年的股东会之前敲定后继者。戴正吴强调，下个月自己就将满70岁。
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戴正吴原先担任夏普会长兼社长职务，之后于2020年6月卸下社长一职，改担任会长兼CEO职务，而当时的副社长野村胜明则升任社长且兼任COO(首席营运官)一职。
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回顾夏普收编在鸿海旗下的5年时间来，戴正吴表示，「在改善成本结构等部分、夏普已大幅改变，且夏普成功重返东证一部、业绩大幅改善」。
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<section data-brushtype="text">全球最大铜生产商工人将正式罢工</section>
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<section><img style="display: block; margin-left: auto; margin-right: auto;" src="https://oksht-mall.oss-cn-shenzhen.aliyuncs.com/images%2F2021-08-13%2F2897101f893d4f79ac04645af8eda32d-bWNldV8zMTIxNDM4ODkxMzE2Mjg4NDk1NjYxOTYuanBn.jpg" width="479" height="270" /></section>
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据路透社8月11日消息，智利国家铜业公司旗下安迪纳(Andina)铜矿的劳工整合工业联盟(SIIL)和统一工人工会(SUT)最新表示，他们将在24小时内辞职罢工。
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工会联合声明显示，这两个工会的成员以82%的票数，否决了智利国家铜业公司在政府调解谈判后提出的最新合同。
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工会在声明中表示，这一拒绝是因为智利国家铜业公司已表明要取消工人医疗保健等历史福利，却不承担改善工人新社会福利的责任，并忽视了铜价的高企。目前，智利国家铜业公司尚未回应工会的请求。
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此外，智利国家铜业公司旗下的厄尔特尼恩特(El Teniente)铜矿，与五个工会的劳资谈判也十分紧张。8月10日，五个工会的工人们拒绝了该矿的最新提议，并称在劳资等基本问题上双方仍存在分歧。
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厄尔特尼恩特铜矿与工会的劳资合同将于今年10月底到期，大约涉及3345名工人。
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<section><img style="display: block; margin-left: auto; margin-right: auto;" src="https://oksht-mall.oss-cn-shenzhen.aliyuncs.com/images%2F2021-08-13%2F284db7e62da34728bfcc9b69cf75af3c-bWNldV80OTI0ODYxMjIxNDE2Mjg4NDk1ODMyMTcuanBn.jpg" width="393" height="262" /></section>
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<section data-brushtype="text">通知：2021年STM32全国研讨会延期</section>
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今日STM发布通知表示，因国内疫情状况，决定延期举办&ldquo;2021 STM32全国研讨会&rdquo;。具体举办时间将根据实际情况另行发布。
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十五年以来，STM32全国研讨会每年都会如期举办，但今年因疫情暂时受阻。目前线上报名渠道均已关闭，疫情稳定后STM将重新启动各渠道的线上报名。
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据悉，此次STM32研讨会将会走进全国12个城市，汇聚活跃在科技前沿的行业人士带来基于STM32在人工智能、计算能力、无线连接、功耗、安全和性能的最新技术创新，深入解读最新的产品技术、解决方案、生态系统、市场策略以及多样化的应用案例。

据悉，这已经是Molex今年的第二次涨价，今年5月12日该公司发布了一张涨价函

今年二连涨！又一国际大厂发涨价函，10月全线产品再涨7%

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<section data-brushtype="text">已立案！蓝普视讯实名举报富满电子，指其恶意抬价垄断市场</section>
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<section><img style="display: block; margin-left: auto; margin-right: auto;" src="https://oksht-mall.oss-cn-shenzhen.aliyuncs.com/images%2F2021-08-13%2F2c46df1d5b4f41a885848f057b60397a-bWNldV84Nzg0ODI5OTkxMTYyODg0OTA5MTkzNi5qcGc%3D.jpg" width="432" height="262" /></section>
&nbsp;
12日消息，国内LED显示屏厂商蓝普视讯起诉上市公司富满电子案，已经于8月3号前后获法院立案。蓝普视讯总经理戴志明表示，公司已经收集了一些证据，组建了律师团队，并向法院提起了诉讼。
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&nbsp;
据悉，蓝普视讯于今年7月8日发起了一份倡议，表示国内上市IC封装企业富满电子恶意哄抬价格，扰乱市场秩序，且在多次不执行已签订的采购合同，哄抬芯片价格，国内多家LED屏幕厂商因无法承受压力而被迫倒闭。
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&nbsp;
蓝普视讯还称，已经向中国光学光电子行业协会和国家市场监督管理总局反垄断局提交了《关于富满电子涉嫌滥用市场支配地位垄断相关芯片市场的举报信》，截至目前，已收到了行业近100家受害企业的声援，9家显示屏幕企业请求参与联合诉讼。
&nbsp;
蓝普视讯董事长戴志明表示，今年，富满电子的IC产品涨价太离谱，从0.27元涨到1.4元，而别人同样类型的涨价只有10%~20%。
&nbsp;
对此，富满电子董秘表示，富满电子和蓝普视讯没有直接的供货关系，后者是和代理商拿货的，富满电子和代理商才是供货关系。并且，市场的销售价格受市场调控，不是三方调价。蓝普视讯曾多次诋毁公司，现在富满电子要反诉他们不当竞争、侵犯公司名誉。
&nbsp;
资料显示，深圳蓝普视讯科技有限公司主要生产大屏拼接用LED屏幕。富满微电子集团股份有限公司目前已经在深证A股上市，拥有模拟及数模混合集成电路设计研发、封装、测试和销售业务，目前的产品涵盖电源管理、LED驱动、MOSFET等IC芯片产品四百余种。
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<section data-brushtype="text">MCU大厂再发通知，9月起上提晶圆代工价格15%</section>
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<section><img style="display: block; margin-left: auto; margin-right: auto;" src="https://oksht-mall.oss-cn-shenzhen.aliyuncs.com/images%2F2021-08-13%2F58cbf96941d14ff38b82a3a8db7c5df5-bWNldV8zNjEyNzQwNTQ0MTYyODg0OTE1MzE4NS5qcGc%3D.jpg" width="392" height="351" /></section>
<section></section>
&nbsp;
<section></section>
<section>MCU市场供货紧张状况未见舒缓，晶圆缺货状况几乎确定延伸到明年，MUC为反映晶圆成本，也陆续喊出涨价。有业内人士透露，新唐科技已发布晶圆代工涨价通知，9月起上提晶圆代工价格15%。</section>
&nbsp;
通知内容：2021年第三季晶圆依然供不应求，产能供需仍然失调。新唐科技将于2021年9月1日起调整晶圆代工价，在现行价格基础上提高15%，所有2021年9月1日起上线的晶圆都须使用新价格，包含未上线订单部分皆须修改为新单价。
&nbsp;
有业内人士称，按照以往涨价的情况，新唐和松翰等MCU厂几乎都是同时调涨，此次新唐发布涨价函，或许这两天还有其它厂商跟进。
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<section data-brushtype="text">新加坡芯片业急起直追，格芯、英飞凌投资</section>
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<section><img style="display: block; margin-left: auto; margin-right: auto;" src="https://oksht-mall.oss-cn-shenzhen.aliyuncs.com/images%2F2021-08-13%2F7b8910af3b7c4d15814b26bef7310b83-bWNldV84NzMwMjMxODc1MTYyODg0OTE4MDU1NC5qcGc%3D.jpg" width="483" height="241" /></section>
&nbsp;
芯片荒燃起全球对晶圆制造产业的重视，多国挹注大笔资金提振自身半导体产业，亚洲金融中心新加坡正致力扶植自身电子产业，随着许多国外半导体厂于该国的投资，对其晶圆制造基地的地位有着显著提升。
&nbsp;
《日经亚洲》报导，新加坡订定到2030年，电子制造产业成长50％的目标，其中又以半导体芯片为重。美国半导体晶圆大厂格芯、德国晶圆大厂英飞凌都已宣布在新加坡投资，分别投资40亿、2020万美元。
&nbsp;
半导体研调机构TrendForce指出，新加坡确实会从这些投资中受惠，但晶圆代工市场的主要参与者仍是台湾、韩国和大陆，它们几乎囊括了全球所有的市占。
&nbsp;
资料显示，全球约900亿美元的代工利润中，台湾占64％，南韩和大陆分别占18％、6％，其他则占12％，其中晶圆代工龙头台积电就占了全球55％的市占。
&nbsp;
<section data-tools="135编辑器" data-id="101848">
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<section></section>
<section data-brushtype="text">日月光出招留才，离职率大降</section>
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<section><img style="display: block; margin-left: auto; margin-right: auto;" src="https://oksht-mall.oss-cn-shenzhen.aliyuncs.com/images%2F2021-08-13%2F2ca3a69a3e3547ef9fc1374bf6a7d611-bWNldV82NzkxODAwODY2MTYyODg0OTE5NDQ2NS5qcGc%3D.jpg" width="446" height="223" /></section>
&nbsp;
日月光投控重视人才，透过激励奖金、育儿措施等，吸引与留任人才，近年来管理阶层及基层工程师离职率已大幅低降。日月光投控并强调，也重视与供应商伙伴的关系，确保供应链具备安全的工作环境。
&nbsp;
日月光投控为争取人才，提供具竞争力的薪资与薪酬，以及生育福利与育婴留停制度等；以日月光半导体高雄厂为例，2006年发放激励奖金开始，厂区管理阶层及基层工程师的离职率产生很大变化，1995年至2005年离职率在12.4%至16.3%区间，而2007年至2020年已降为2.7%至9.8%区间，有效提升整体人力留任与竞争优势。
&nbsp;
去年日月光投控共有1,042位员工申请育婴留职停薪，其中预计复职人数为761位，实际复职人数有582位，回任率为76%，而留任率更高达82%。
&nbsp;
仅从薪资方面来看，国内大陆半导体产业薪资水平跟其他的企业的差距还很大，要走的路还很长。
&nbsp;
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12日消息，国内LED显示屏厂商蓝普视讯起诉上市公司富满电子案，已经于8月3号前后获法院立案

已立案！蓝普视讯实名举报富满电子，指其恶意抬价垄断市场

&nbsp; &nbsp; &nbsp; &nbsp;1、 尽量大的输出功率由于功率放大器要向负载提供足够大的功率，功放管在安全工作的前提下工作电压和工
作电流接近极限值，即管子工作在极限值状态。
　　2、 尽可能高的功率转换效率功率放大器的输出功率是通过晶体管将直流电源的直流功率转换而来，转换时
功率管和电路中的耗能元件都要消耗功率，用P0表示负载所得功率，PE表示直流电源提供的总功率，&eta;表示转换
效率，则 &eta;＝（Po/PE）*100% ，&eta;的大小反映了电源的利用率。例如，某放大器的效率 &eta;＝50％，说明电源提供
的直流功率只有一半转换成了输出功率传给了负载，另一半消耗在电路内部，这部分电能使管子和元件等温度升
高，严重时会烧坏晶体管。要重视功放管的散热问题，为了保证功率管的安全工作，一般给大功率管加装散热
片。如何提高效率、减小功耗是功率放大器的一个重要问题。
　　3、 允许的非线性失真功放管工作在大信号状态不可避免地产生非线性失真。同一功放管的输出功率越大，
其非线性失真就越严重。在不同场合对功率放大器非线性失真的要求是不一样的，在测量系统和电声设备中必须
把非线性失真限制在允许范围内，在驱动电动机或控制继电器中非线性失真就降为次要矛盾。此外，分析功率放
大器只能用图解法，微变等效电路法已不再适用。为了获得较大的输山功率和效率，功率放大器与负载要匹配，
传统的功率放大器与负载之间采用变压器耦合，这类功率放大器的优点是便于实现阻抗匹配、输出功率大等，但
出于变压器体积大、笨重、频率特性差，而且不利于集成。在现在生产的功率放大器中已很少采用，逐渐由互补
对称功率放大器所取代。互补对称电路省去了笨重的变压器，具有电路结构简单、效率高、频率响应好、易实现
集成化等优点。互补对称功率放大器有两种形式：一种采用单电源及大容量电容器与负载耦合，称为OTL电路；
一种采用双电源而个需电容器的直接耦合互补对称功率放大器，称为0CL电路。

尽量大的输出功率由于功率放大器要向负载提供足够大的功率，功放管在安全工作的前提下工作电压和工  作电流接近极限值，即管子工作在极限值状态。

电子管功放的三个特点

&nbsp; &nbsp; &nbsp; &nbsp;电子管功放，电子管音频功率放大器，是一种电器器材，主要用于传导电流。是利用控制输入回路的电场
效应来 控制输出回路电流的一种半导体器件.电子管放大器是在高电压、低电流状态下工作。
电子管功放优点
　　1、电子管功放输入动态范围大，转换速率快。
　　2、电子管功放大多是采用分立元件、手工搭线、&nbsp;焊接&nbsp;，效率低，成本高。这在发达国家尤为明显。
　　3、电子管功放的开环指标优于晶体管，不需加深度的负反馈，不加相位补偿&nbsp;电容&nbsp;也能稳定地工作，因而
其动态指标较优。
　　4、电子管功放的音质总体来讲是柔和动听，更具体一点说，电子管功放低频声柔和清晰，高频声纤细嫩雨
而洁净。表现人声是其强项。
　　5、电子管机的高音较平滑，有足够的空气感，具有一种相当部分人所喜欢的声染色，柔和而稍带模糊的声
音是很美丽的。
　　6、电子管放大器引起的主要是偶数的二次谐波，这种谐波成份非常讨人喜欢，恰如添加了丰富的泛音，美
化了声音。
<img style="display: block; margin-left: auto; margin-right: auto;" src="https://oksht-mall.oss-cn-shenzhen.aliyuncs.com/images%2F2021-08-13%2F43e80e487a5e4997801a2b677ca0f80b-bWNldV85MDE3NjMzMzEzMTYyODg0NTMwMDE3MC5qcGc%3D.jpg" width="470" height="277" />
&nbsp;
电子管功放缺点
　　1、电子管寿命较低，使用一两千小时后某些技术指标明显下降。
　　2、电子管放大器耗电高，又常常工作在甲类状态，更降低了效率，但基本不存在瞬态互调失真、&nbsp;开关&nbsp;失
真及交越失真等有害音质的因素。
　　3、电子管放大器在重量、效率、寿命方面相比晶体管放大器一点都不占优势。
　　4、使用上，电子管要有良好的通风散热，温度的过热必然缩短电子管寿命，所以要尽可能使电子管保持较
低的温度。
　　5、电子管怕振动，所以采取防震措施尽量避免振动也是很重要的。

电子管功放，电子管音频功率放大器，是一种电器器材，主要用于传导电流

电子管功放的优缺点

&nbsp; &nbsp; &nbsp; &nbsp;mos管是金属（metal）&mdash;氧化物（oxide）&mdash;半导体（semiconductor）场效应晶体管，或者称是金属&mdash;绝缘
体（insulator）&mdash;半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多
数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。
&nbsp;
<img style="display: block; margin-left: auto; margin-right: auto;" src="https://oksht-mall.oss-cn-shenzhen.aliyuncs.com/images%2F2021-08-13%2F279c5e70c03d4b13a51a6d12757a13ef-bWNldV85NDAyMzE1NjgyMTYyODg0NDAwMTY4Ny5qcGc%3D.jpg" width="407" height="305" />
&nbsp;
mos管优势
　　1.可以用作电子开关。
　　2.可以用作可变电阻。
　　3.很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。
　　4.可以方便地用作恒流源。
　　5.可应用于放大。由于场效应管放大器的输入阻抗很高，因此耦合电容可以容量较小，不必使用电解电容器。
　　6.在电路设计上的灵活性大。栅偏压可正可负可零，三极管只能在正向偏置下工作，电子管只能在负偏压下工
作。另外输入阻抗高，可以减轻信号源负载，易于跟前级匹配。

 mos管是金属（metal）—氧化物（oxide）—半导体（semiconductor）场效应晶体管，或者称是金属—绝缘  体（insulator）—半导体

mos管的优势有哪些？

&nbsp; &nbsp; &nbsp; &nbsp;伏安特性是指加在二极管两端的电压u与流过=极管的电流，之间的关系，即，I=f（U）。2CP12（普通型
硅=极管）和2AP9（普通型锗二极管）的伏安特。
正向特性
&nbsp; &nbsp; &nbsp; &nbsp;二极管伏妄特性曲线的第一象限称为正向特性，它表示外加正向电压时二极管的工作情况。在正向特性的
起始部分，由于正向电压很小，外电场还不足以克服内电场对多数载流子的阻碍作用，正向电流几乎为零，这
一区域称为正向二极管的伏安特性曲线
&nbsp; &nbsp; &nbsp; &nbsp;死区，对应的电压称为死区电压。硅管的死区电压约为0.5V，锗管的死区电压约为0. 2V.
&nbsp; &nbsp; &nbsp; &nbsp;当正向电压超过某一数值后， 内电场就被大大削弱，正向电流迅速增大，二极管导通，这一区域称为正向
导通区。二极管一旦正向导通后，只要正向电压稍有变化，就会使正向电流变化较大，二极管的正向特性曲线
很陡。因此，二极管正向导通时，管子上的正向压降不大，正向压降的变化很小，一般硅管为o. 7V左右，锗管
为0. 3V左右。因此，在使用二极管时，如果外加电压较大，一般要在电路中串接限流电阻，以免产生过大电流
烧坏二极管。
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反向特性
&nbsp; &nbsp; &nbsp; &nbsp;二极管伏妄特性曲线的第三象限称为反向特性，它表示外加反向电压时二极管的工作情况。在一定的反向
电压范围内，反向电流很小且变化不大，这一区域称为反向截止区。这是因为反向电流是少数载流子的漂移运
动形成的;一定温度下，少子的数目是基本不变的，所以反向电流基本恒定，与反向电压的大小无关，故通常称
其为反向饱和电流。
反向击穿特性
&nbsp; &nbsp; &nbsp; &nbsp;当反向电压继续增加到某一数值时，二极管中的反向电流会突然增大，我们称此时二极管发生了反向击
穿，该段特性如图1.2.6的D段所示。发生反向击穿时PN结有很大的反向电流，严重时将导致PN结损坏，所以普
通二极管应该避免被击穿，但稳压二 极管则必须要 I作于击穿状态，因为在击穿区虽然电流变化较大而电压却
能保持基本不变，正是利用这个特性，稳压管才能够起到稳压的作用。

伏安特性是指加在二极管两端的电压u与流过=极管的电流，之间的关系，即，I=f（U）。

二极管的伏安特性

1．一般高频晶体管的选用&nbsp; 一般小信号处理（例如图像中放、伴音中放、缓冲放大等）电路中使用的高频晶体
管，可以选用特征频率范围在30~300MHZ的高频晶体管，例如3DG6、3DG8、3CG21、2SA1015、
2SA673、2SA733、S9011、S9012、S9014、S9015、2N5551、2N5401、BC337、BC338、
BC548、BC558等型号的小功率晶体管，可根据电路的要求选择晶体管的材料与极性，还要考虑被选晶体管的
耗散功率、集电极最大电流、最大反向电压、电流放大系数等参数及外地人形尺寸等是否符合应用电路的要
求。
&nbsp;2．末级视放输出管的选用&nbsp; 彩色电视机中使用的末级视放输出管，应选用特征频率高于80MHZ的高频晶体
管。
&nbsp; &nbsp; &nbsp; &nbsp; 21in（in=0.0254m）以下的中小屏幕彩色电视机中使用的末级视放输出管,其耗散功率应大于或等于
750mW,最大集电极电流应大于或等于50mA,最高反向电压应大于200V,一般可选用3DG182J、2SC2229、
2SC3942等型号的晶体管。
&nbsp; &nbsp; &nbsp; &nbsp; 25英寸以上的大屏幕彩色电视机中使用的末级视放输出管，其耗散功率应大于或等于1.5W，最大集电极
电流应大于或等于50mA，最高反向电压应大于300V，一般可选用3DG182N、2SC2068、2SC2611、
2SC2482等型号的晶体管。
&nbsp;3．行推动管的选用&nbsp; 彩色电视机中使用的行推动管，应选用中、大功率的高频晶体管。其耗散功率应大于或等
于10W，最大集电极电流应大于150mA，最高反向电压应大于或等于250V。一般可选用3DK204、
2SC1569、2SC2482、2SC2655、2SC2688等型号的三极管。
&nbsp;4．行输出管的选用&nbsp; 彩色电视机中使用的行输出管属于高反压大功率晶体管，其最高反向电压应大于或等于
1200V，耗散功率应大于或等于50W，最大集电极电流应大于或等于3.5A（大屏幕彩色电视机行输出管的耗
散功率应大于或等于60W，最大集电极电流应大于5A）。
&nbsp; &nbsp; &nbsp; &nbsp; 21英寸以下小屏幕彩色电视机的行输出管可选用2SD869、2SD870、2SD871、2SD899A、
2SD950、2SD951、2SD1426、2SD1427、2SD1556、2SD1878等型号的晶体管。
&nbsp; &nbsp; &nbsp; &nbsp; 25英寸以上的大屏幕彩色电视机的行输出管可选用2SD1433、2SD2253、2SD1432、2SD1941、
2SD953、2SC3153、2SD1887等型号的晶体管。
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&nbsp;
&nbsp;5．开关三极管的选用&nbsp; 小电流开关电路和驱动电路中使用的开关晶体管，其最高反向电压低于100V，耗散功
率低于1W，最大集电极电流小于1A，可选用3CK3、3DK4、3DK9、3DK12等型号的小功率开关晶体管。
&nbsp; &nbsp; &nbsp; &nbsp; 大电流开关电路和驱动电路中使用的开关晶体管，其最高反向电压大等于100V，耗散功率高于30W，最
大集电极电流大于或等于5A，可选用3DK200、DK55、DK56等型号的大功率开关晶体管。
&nbsp; &nbsp; &nbsp; &nbsp; 开关电源等电路中使用的开关晶体管，其耗散功率大于或等于50W，最大集电极电流大于或等于3A，最
高反向电压高于800V。一般可选用2SD820、2SD850、2SD1403、2SD1431、2SD1553、2SD1541等
型号的高反压大功率开关晶体管。
&nbsp;6．带阻晶体管的选用&nbsp; 带阻晶体管是录像机、影碟机、彩色电视机中常用的晶体管，其种类较多，但一般不能
作为普通晶体管使用，只能&ldquo;专管专用&rdquo;。
&nbsp; &nbsp; &nbsp; &nbsp; 选用带阻晶体管时，应根据电路的要求（例如输入电压的高低、开关速度、饱和深度、功耗等）及其内
部电阻器的阻值搭配，来选择合适的管型。
&nbsp;7．达林顿管的选用&nbsp; 达林顿管广泛应用于音频功率输出、开关控制、电源调整、继电器驱动、高增益放大等电
路中。
&nbsp; &nbsp; &nbsp; &nbsp; 继电器驱动电路与高增益放大电路中使用的达林顿管，可以选用不带保护电路的中、小功率普通达林顿
晶体管。而音频功率输出、电源调整等电路中使用的达林顿管，可选用大功率、大电流型普通达林顿晶体管或
带保护电路的大功率达林顿晶体管。
&nbsp;8．音频功率放大互补对管的选用&nbsp; 音频功率放大器的低放电路和功率输出电路，一般均采用互补推挽对管（通
常由1只NPN型晶体管和1只PNP型晶体管组成）。选用时要求两管配对，即性能参数要一致。
&nbsp; &nbsp; &nbsp; &nbsp; 低放电路中采用的中、小功率互补推挽对管，其耗散功率小于或等1W，最大集电极电流小于或等于
1.5A，最高反向电压为50~300V。常见的有2SC945/2SA733、2SC1815/2SA1015、
2N5401/2N5551、S8050/S8550等型号。选用时应根据应用电路具体要求而定。
&nbsp; &nbsp; &nbsp; &nbsp; &nbsp;后级功率放大电路中使用的互补推挽对管，应选用大电流、大功率、低噪声晶体管，其耗散功率为
100~200W，集电极最大电流为10~30A，最高反向电压为120~200V。常用的大功率互补对管有
2SC2922/2SA1216、2SC3280/2SA1301、2SC3281/2SA1302、2N3055/MJ2955等型号。
&nbsp;9．光敏三极管的选用&nbsp; 光敏三极管和其它三极管一样，不允许其电参数超过最大值（例如最高工作电压、最大
集电极电流和最大允许功耗等），否则会缩短光敏三极管的使用寿命甚至烧毁三极管。
&nbsp; &nbsp; &nbsp; &nbsp;另外，所选光敏三极管的光谱响应范围必须与入射光的光谱牧场生相互匹配，以获得最佳的响应特性。

一般高频晶体管的选用  一般小信号处理（例如图像中放、伴音中放、缓冲放大等）电路中使用的高频晶体管，

选用晶体管时的九个小技巧

&nbsp; &nbsp; &nbsp; &nbsp;电力晶体管(Giant Transistor)简称GTR又称BJT（Bipolar Junction Transistor），GTR和BJT这两个名称是等效
的，结构和工作原理都和小功率晶体管非常相似。GTR由三层半导体、两个PN结组成。和小功率三极管一样，
有PNP和NPN两种类型，GTR通常多用NPN结构。
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电力晶体管特点
&nbsp; &nbsp; &nbsp; &nbsp;1、输出电压
　　可以采用脉宽调制方式，故输出电压为幅值等于直流电压的强脉冲序列。
　　2、 载波频率
　　由于电力晶体管的开通和关断时间较长，故允许的载波频率较低，大部分变频器的上限载波频率约为1.2～
1.5kHz左右。
　　3、 电流波形
　　因为载波频率较低，故电流的高次谐波成分较大。这些高次谐波电流将在硅钢片中形成涡流，并使硅钢片
相互间因产生电磁力而振动，并产生噪音。又因为载波频率处于人耳对声音较为敏感的区域，故电动机的电磁
噪音较强。
　　4 、输出转矩
　　因为电流中高次谐波的成分较大，故在50Hz时，电动机轴上的输出转矩与工频运行时相比，略有减小。

电力晶体管(Giant Transistor)简称GTR又称BJT（Bipolar Junction Transistor），GTR和BJT这两个名称是等效  的，结构和工作原理都和小功率晶体管非常相似

电力晶体管的四个基本特点

&nbsp; &nbsp; &nbsp; &nbsp;电子管，是一种最早期的电信号放大器件。被封闭在玻璃容器（一般为玻璃管）中的阴极电子发射部分、
控制栅极、加速栅极、阳极（屏极）引线被焊在管基上。利用电场对真空中的控制栅极注入电子调制信号，并
在阳极获得对信号放大或反馈振荡后的不同参数信号数据。
电子管的种类
&nbsp; &nbsp;　1、按用途分类
　　电子管按其用途的不同可分为电压放大管、功率大管、充气管、闸流管、引燃管、混频或变频管、整流
管、振荡管、检波管、调谐指过管、稳压管等。
　　2、按外形分类
　　电子管按其外形及外壳材料可分为瓶形玻璃管（ST管）、&ldquo;橡实&rdquo;管、筒形玻璃管（GT管）、大型玻璃管
（G式管）、金属瓷管、小型管（也称花生管或指形管、MT管）、塔形管、超小型管（铅笔形管）等多种。
　　3、按电极数分类
　　电子管按其电极数的不同可分为电压放大管、三极管、四极管、五极管、六极管、七极管、八极管、九极
管和复合管等。三极以上的电管又称为多极管或多栅管。
&nbsp;
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 　　4、按冷却方式分类
　　电子管按冷却方式可分为水冷式电子管、风冷式电子管和自然冷却式电子管。
　　5、按阴极的加热方式分类
　　电子管按阴极的加热方式可分为直热式阴极电子管（电流直接通过阴极使其达到热电子发射状态）和旁热
式阴极电子管（通过阴极旁的灯丝加热阴极）。
　　6、按屏蔽方式分类
　　电子管按屏蔽方式可分为锐截止屏蔽电子管和遥截止屏蔽电子管。
　　7、按内部结构分类
　　电子管按其内部结构可分为单二极管、二极管、双二极三极管、双二极管极管、单三极管、功率五极管、
束射四极管、束射五极管、双一极管、二极&mdash;&mdash;五极复合管、又束射四极管、三极-五极复合管、三极-六极复
合管、三极-七极复合管、束射功率各处室等多种类型。

电子管，是一种最早期的电信号放大器件。

电子管的七个分类

&nbsp; &nbsp; &nbsp; 二极管：
　　考虑一块被加热的金属板，当它的温度达到摄氏800度以上时，会形成电子的加速运动，以至能够摆脱金属
板本身对它们的吸引而逃逸到金属表面以外的空间。若在这一空间加上一个十几至几万伏的正向电压（踏雪留
痕在上面说到的显像管，阳极上就加有7000--27000伏的高压），这些电子就会被吸引飞向正向电压极，流经电
源而形成回路电流。
　　二极管
　　把金属板（阴极），加热源（灯丝），正向电压极板（阳极）封装在一个适当的壳里，即上面说的玻璃
（或金属，陶瓷）封装壳，再抽成几近真空，就是电子二极管。
　　需要说明的是由于制造工艺，杂质附着以及材料本身等原因，管内会残留微量余气，成品管都在管内涂敷
了一层吸气剂。吸气剂一般使用掺氮的蒸散型锆铝或锆钒材料。目前除特殊用途外（如超高频和高压整流
等），为便于使用和增加一至性，均为两只二极管，或二极三极，或三极三极以及二极五极等合装在一个管壳
内，这就是复合管。
　　三极管：
　　二极管的结构决定了它的单向导电的性质，当在阴极与阳极之间再加上一个带适当电压的极点，这个电压
就会改变阴极的表面电位，从而影响了阴极热电子飞向阳极的数量，这就是调制极，一般是用金属丝做成螺旋
状的栅网，所以又把它称为栅极。这就是阀门功能了。由此可以知道，当作为被放大的信号电压加在栅极----阴
极之间时，由于它的变化必然会使阳极电流发生相应的变化，又由于阳极电压远高于阴极，因此栅阴极间微小
的电压变化同样能使阳极产生相应的几十至上百倍的电压变化，这就是三极管放大电压
　　三极管
　　信号的原理。
　　四极管：
　　纯粹意义的四极管只是在电子管的发展史上作为验证管出现过而没有进入实用，在商品功放里超过半数以
上的机种用的是束射四极管。束射四极管全部是功率管，对功率管的要求是产生尽可能大的阳极电流。束射四
极管在电极的结构上做了一些特殊的安排，使其在保持和其它功率管体积差别不大的前提下，能够形成比其它
功率管更大的阳极电流。
　　束射四极管的几个结构特点：
　　1. 阴极为椭圆型，这就增加了阴极的有效发射面积，从而增加了热电子的发射量。
　　2. 和五极管一样，在抑制栅极和阳极之间加有帘栅极，作用前面说过了。
　　3. 在帘栅极和和阳极之间加了一对弓型金属板（说到重点了，注意下面的表述），这就是集束屏。集束屏
在管内和阴极相连即与阴极等电位，它迫使已经越过帘栅极的电子流只能沿弓型金属板的开口方向成束状射向
阳极。

考虑一块被加热的金属板，当它的温度达到摄氏800度以上时，会形成电子的加速运动，以至能够摆脱金属板本身对它们的吸引而逃逸到金属表面以外的空间

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