半导体基础知识（详细篇）
2.1.1 概念
　　根据物体导电能力(电阻率)的不同，来划分导体、绝缘体和半导体。
<ol>
<li>导体：容易导电的物体。如：铁、铜等</li>
<li>绝缘体：几乎不导电的物体。如：橡胶等</li>
<li>半导体：半导体是导电性能介于导体和半导体之间的物体。在一定条件下可导电。 半导体的电阻率为10-3～109 &Omega;&middot;cm。典型的半导体有硅Si和锗Ge以及砷化镓GaAs等。</li>
</ol>
半导体特点： 　　 1) 在外界能源的作用下，导电性能显著变化。光敏元件、热敏元件属于此类。 　　 2) 在纯净半导体内掺入杂质，导电性能显著增加。二极管、三极管属于此类。
2.1.2 本征半导体
1.本征半导体&mdash;&mdash;化学成分纯净的半导体。制造半导体器件的半导体材料的纯度要达到99.9999999%，常称为&ldquo;九个9&rdquo;。它在物理结构上呈单晶体形态。电子技术中用的最多的是硅和锗。 　　硅和锗都是4价元素，它们的外层电子都是4个。其简化原子结构模型如下图：
　　外层电子受原子核的束缚力最小，成为价电子。物质的性质是由价电子决定的 。
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2.本征半导体的共价键结构
　　本征晶体中各原子之间靠得很近，使原分属于各原子的四个价电子同时受到相邻原子的吸引，分别与周围的四个原子的价电子形成共价键。共价键中的价电子为这些原子所共有，并为它们所束缚，在空间形成排列有序的晶体。如下图所示：
<img style="display: block; margin-left: auto; margin-right: auto;" src="https://oksht-mall.oss-cn-shenzhen.aliyuncs.com/images/2020-11-19/27516135af5844f39f18b2b3f0443fe7-mceu_25123721871605751576397.png" />
硅晶体的空间排列与共价键结构平面示意图
3.共价键
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　　共价键上的两个电子是由相邻原子各用一个电子组成的，这两个电子被成为束缚电子。束缚电子同时受两个原子的约束，如果没有足够的能量，不易脱离轨道。因此，在绝对温度T=0&deg;K（-273&deg;C）时，由于共价键中的电子被束缚着，本征半导体中没有自由电子，不导电。只有在激发下，本征半导体才能导电。
&nbsp;
4.电子与空穴
　　当导体处于热力学温度0&deg;K时，导体中没有自由电子。当温度升高或受到光的照射时，价电子能量增高，有的价电子可以挣脱原子核的束缚，而参与导电，成为自由电子。这一现象称为本征激发，也称热激发。
　　自由电子产生的同时，在其原来的共价键中就出现了一个空位，原子的电中性被破坏，呈现出正电性，其正电量与电子的负电量相等，人们常称呈现正电性的这个空位为空穴。
电子与空穴的复合
　　可见因热激发而出现的自由电子和空穴是同时成对出现的，称为电子空穴对。游离的部分自由电子也可能回到空穴中去，称为复合，如图所示。本征激发和复合在一定温度下会达到动态平衡。
空穴的移动
　　由于共价键中出现了空穴，在外加能源的激发下，邻近的价电子有可能挣脱束缚补到这个空位上，而这个电子原来的位置又出现了空穴，其它电子又有可能转移到该位置上。这样一来在共价键中就出现了电荷迁移&mdash;电流。
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　　电流的方向与电子移动的方向相反，与空穴移动的方向相同。本征半导体中，产生电流的根本原因是由于共价键中出现了空穴。由于空穴数量有限，所以其电阻率很大。
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空穴在晶体中的移动（动画）
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2.1.3 杂质半导体
 　　在本征半导体中掺入某些微量元素作为杂质，可使半导体的导电性发生显著变化。掺入的杂质主要是三价或五价元素。掺入杂质的本征半导体称为杂质半导体。
<ol>
<li>N型半导体</li>
</ol>
　　在本征半导体中掺入五价杂质元素，例如磷，可形成 N型半导体,也称电子型半导体。因五价杂质原子中只有四个价电子能与周围四个半导体原子中的价电子形成共价键，而多余的一个价电子因无共价键束缚而很容易形成自由电子。k在N型半导体中自由电子是多数载流子,它主要由杂质原子提供；另外，硅晶体由于热激发会产生少量的电子空穴对，所以空穴是少数载流子。
　　在N型半导体中自由电子是多数载流子,它主要由杂质原子提供；另外，硅晶体由于热激发会产生少量的电子空穴对，所以空穴是少数载流子。
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N型半导体结构
　　提供自由电子的五价杂质原子因带正电荷而成为正离子，因此五价杂质原子也称为施主杂质。N型半导体的结构示意图如图所示。
<img src="https://oksht-mall.oss-cn-shenzhen.aliyuncs.com/images/2020-11-19/f0219793fd0c47828efc3fbe874c0750-mceu_190277047111605751923795.png" />
空穴&mdash;&mdash;少数载流子
所以，N型导体中的导电离子有两种：自由电子&mdash;&mdash;多数载流子（由两部分组成）；
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<ol start="2">
<li>P型半导体</li>
</ol>
　　在本征半导体中掺入三价杂质元素，如硼、镓、铟等形成了P型半导体，也称为空穴型半导体。 　　 因三价杂质原子在与硅原子形成共价键时，缺少一个价电子而在共价键中留下一个空穴。当相邻共价键上的电子因受激发获得能量时，就可能填补这个空穴，而产生新的空穴。空穴是其主要载流子。
<img style="display: block; margin-left: auto; margin-right: auto;" src="https://oksht-mall.oss-cn-shenzhen.aliyuncs.com/images/2020-11-19/2e23c9b89df245d087accdd6285746d7-mceu_45105157121605751961930.png" />
P型半导体结构
　　在P型半导体中，硼原子很容易由于俘获一个电子而成为一个带单位负电荷的负离子，三价杂质 因而也称为受主杂质。 而硅原子的共价键由于失去一个电子而形成空穴。所以P型半导体的结构示意图如图所示。
<img style="display: block; margin-left: auto; margin-right: auto;" src="https://oksht-mall.oss-cn-shenzhen.aliyuncs.com/images/2020-11-19/1f79d29923744272aeb8ed00d745409c-mceu_602825957131605751975568.png" />
　　P型半导体中空穴是多数载流子，主要由掺杂形成；电子是少数载流子，由热激发形成。
<ol start="3">
<li>杂质对半导体导电性的影响</li>
</ol>
　　掺入杂 质对本征半导体的导电性有很大的影响，一些典型的数据如下: 　　1.T=300 K室温下,本征硅的电子和空穴浓度: n = p =1.4&times;1010/cmз
　　2.本征硅的原子浓度: 4.96&times;1022/cmз 　　3.掺杂后 N 型半导体中的自由电子浓度: n=5&times;1016/cmз
　　以上三个浓度基本上依次相差1000000/cmз 。
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　根据物体导电能力(电阻率)的不同，来划分导体、绝缘体和半导体。

半导体基础知识（详细篇）

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<section>今日早晨，多家企业发布联合声明完成对荣耀的全面收购工作，今后华为不再持有新荣耀公司的任何股份。</section>
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<section><img style="display: block; margin-left: auto; margin-right: auto;" src="https://oksht-mall.oss-cn-shenzhen.aliyuncs.com/images/2020-11-17/df63ece9a3e54e598aa1f8e9831be8e0-微信截图_20201117150149.png" alt="圣禾堂" width="534" height="774" /></section>
<section>随即华为回应了出售荣耀：一场自救行为，不占股经营，只为荣耀延续！双方的官宣也终结了业界的各种传闻。华为发表声明还表示，整体出售荣耀业务资产。对于交割后的荣耀，华为不占有任何股份，也不参与经营管理与决策。声明如下：</section>
<section><img style="display: block; margin-left: auto; margin-right: auto;" src="https://oksht-mall.oss-cn-shenzhen.aliyuncs.com/images/2020-11-17/d3d92f83cf3a42239d42eb07358e716a-mceu_88974804251605596782152.png" width="756" height="398" /></section>
关于荣耀：
<section>荣耀（HONOR），是面向年轻人群的科技潮牌，主打潮流设计和极致性能。荣耀不断推出不同系列产品，致力于打造手机+IoT产品生态圈。荣耀的使命，是创造一个属于年轻人的智慧新世界。荣耀将持续为全球年轻人提供潮酷的全场景智能化体验，打造年轻人向往的先锋文化和潮流生活方式。</section>
<section></section>
<section><img style="display: block; margin-left: auto; margin-right: auto;" src="https://oksht-mall.oss-cn-shenzhen.aliyuncs.com/images/2020-11-17/78d9663ea22d4aff869a1c5872307a7e-mceu_52874103161605596806151.png" /></section>
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<section>华为出售荣耀事件最终尘埃落定，此次收购事件彰显了产业链自救决心，同时也是市场化的投资行为。希望华为不再持股后的新荣耀能够一如既往的为消费者提供高品质，高性价比的智能终端，再次赢得消费者信任和青睐！</section>
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今日早晨，多家企业发布联合声明完成对荣耀的全面收购工作，今后华为不再持有新荣耀公司的任何股份。

华为官宣出售，今后再无持股，请让“荣耀”延续！

苹果苹果发布了他们全新的MacBook系列产品，很多人都在关注其使用的M1芯片，有的朋友甚至说古往今来只此一家，M1重新搭建生态，英特尔看到都得绕着走！下面我们深度剖析一下M1究竟有什么过人之处！
<div class="pgc-img"><img src="https://p26-tt.byteimg.com/img/pgc-image/2c57722dc0be42c9ba374d2c516f0bbe~tplv-tt-shrink:640:0.image" data-ic="false" data-width="640" data-height="360" data-ic-uri="" /></div>
<h3 class="pgc-h-arrow-right" spellcheck="false">一、 M1制作工艺：</h3>
苹果 M1芯片所采用的制作工艺是5nm 制程工艺，有购买了苹果12系列手机的小伙伴，一定都为同样采用5nm 制程工艺的A14处理器所折服了吧?相信同样采用了5nm 制程工艺的苹果 M1芯片的性能也是非常优异的。
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<div class="pgc-img"><img style="display: block; margin-left: auto; margin-right: auto;" src="https://p1-tt-ipv6.byteimg.com/img/pgc-image/302d5764599144fba05dd17b08ab1e26~tplv-tt-shrink:640:0.image" data-ic="false" data-width="1174" data-height="626" data-ic-uri="" /></div>
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<h3 class="pgc-h-arrow-right" spellcheck="false">二、 M1的晶体管</h3>
这次苹果公司带来的苹果 M1芯片的晶体管个数高达160 亿个，这和传统的笔记本芯片多了一倍以上，自然而然性能相较于市面上的其他笔记本有了更强的性能，根据发布会资料来看，这次苹果 M1的性能是传统笔记本的一倍以上。
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<div class="pgc-img"><img style="display: block; margin-left: auto; margin-right: auto;" src="https://p6-tt-ipv6.byteimg.com/img/pgc-image/379e3c17280d4b51a16a141b61fa4d61~tplv-tt-shrink:640:0.image" width="389" height="340" data-ic="false" data-width="1162" data-height="1016" data-ic-uri="" /></div>
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除此之外，苹果 M1在SOC中还将CPU、GPU、缓存和众多芯片集成在一起，并做到了将大部分的电脑接口和总线集合在一起。这一点传统电脑或者笔记本暂时是无法做到的。
<h3 class="pgc-h-arrow-right" spellcheck="false">三、苹果 M1芯片的GPU性能</h3>
苹果 M1芯片的GPU通用采用的是8核心设计，并采用了苹果公司目前所掌握的最先进的2.6 teraflops 的浮点运算能力。另外这款芯片的GPU功耗比是传统电脑GPU的两倍以上。完全可以说，苹果 M1芯片的GPU性能是全球最好的集成显卡了。所以说，苹果 M1芯片的CPU性能完全是能够吊打目前市面上的所有电脑和笔记本的。
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<div class="pgc-img"><img style="display: block; margin-left: auto; margin-right: auto;" src="https://p26-tt.byteimg.com/img/pgc-image/81eb45e60b484402969c6859e4e6fba7~tplv-tt-shrink:640:0.image" data-ic="false" data-width="1178" data-height="526" data-ic-uri="" /></div>
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由于 M1 芯片与苹果 iPhone 和 iPad 中的芯片具有相同的 ARM 架构，因此为它们创建的应用程序可以在新的 Mac 产品上运行。这使得 macOS 成为目前应用生态最丰富的桌面操作系统。
借助于 M1 的强大性能，苹果打造了三款新的 Mac 产品&mdash;&mdash;MacBook Pro、MacBook Air、和 Mac mini。
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<div class="pgc-img"><img style="display: block; margin-left: auto; margin-right: auto;" src="https://p1-tt-ipv6.byteimg.com/img/pgc-image/885353dc775d40daaaa9a5f288a3fe9a~tplv-tt-shrink:640:0.image" data-ic="false" data-width="1190" data-height="564" data-ic-uri="" /></div>
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换了 Arm 架构都是好处没有坏处？细心的人可以发现这些新电脑上 USB C 接口的数量变少了，可能是由于 Arm 架构芯片带宽的限制，13 英寸的 MacBook Pro 竟只有两个 USB 接口，内存的最大配置也被限制在 16G。苹果操刀的 Arm 芯片，并没有在所有指标上和 X86 平齐，要想获得更完整的体验或许要等下一代。
因此，Mac 产品线正式向苹果芯片过渡，预计会花费两年时间！

苹果苹果发布了他们全新的MacBook系列产品，很多人都在关注其使用的M1芯片，有的朋友甚至说古往今来只此一家，M1重新搭建生态，英特尔看到都得绕着走！下面我们深度剖析一下M1究竟有什么过人之处！

从内到外，深度剖析让英特尔绕道走的苹果M1芯片

&nbsp;电阻器的规格标志方法目前，我国生产的电阻器品种繁多，要想、正确识别、使用电阻器，必须了解电阻器的规格标志方法。
1、直标法：用数字和单位符号在自电阻器表面标出阻值，其允许误差直接用百分数表示，若电阻上未注偏差，则均为&plusmn;20%。
<img style="display: block; margin-left: auto; margin-right: auto;" src="https://oksht-mall.oss-cn-shenzhen.aliyuncs.com/images/2020-11-11/194822686a0f43089f78ff42aacc9a8c-mceu_98247757711605084513318.png" width="426" height="148" />
2、文字符号法：用阿拉伯数字和文字符号两者有规律的组合来表示标称阻值，其允许偏差也用文字符号表示。符号前面的数字表示整数阻值，后面的数字依次表示第一位小数阻值和第二位小数阻值。
表示允许误差的文字符号
文字符号
D、F、G、J、K、M
允许偏差
&plusmn;0.5%、&plusmn;1%、&plusmn;2%、&plusmn;5%、&plusmn;10%、&plusmn;20%
3、数码法：在电阻器上用三位数码表示标称值的标志方法。数码从左到右，第一、二位为有效值，第三位为指数，即零的个数，单位为欧。偏差通常采用文字符号表示。
4、色标法：用不同颜色的带或点在电阻器表面标出标称阻值和允许偏差。国外电阻大部分采用色标法。
<img style="display: block; margin-left: auto; margin-right: auto;" src="https://oksht-mall.oss-cn-shenzhen.aliyuncs.com/images/2020-11-11/a64ad56da12040fd9a9de4fb4fac1712-mceu_48029103531605084708961.png" width="491" height="446" />
黑-0、棕-1、红-2、橙-3、黄-4、绿-5、蓝-6、紫-7、灰-8、白-9、金-&plusmn;5%、银-&plusmn;10%、无色-&plusmn;20%
当电阻为四环时，最后一环必为金色或银色，前两位为有效数字，第三位为乘方数，第四位为偏差。当电阻为五环时，最後一环与前面四环距离较大。前三位为有效数字，第四位为乘方数，第五位为偏差。

 电阻器的规格标志方法目前，我国生产的电阻器品种繁多，要想、正确识别、使用电阻器，必须了解电阻器的规格标志方法。

电阻器的规格标志方法

稳定性是表示电感线圈参数随环境条件变化而改变的程度。通常用电感温度系数&alpha;L 来评定线圈的稳定程度，它表示电感量相对泪度的稳定性，其用下式计算:
<img style="display: block; margin-left: auto; margin-right: auto;" src="https://oksht-mall.oss-cn-shenzhen.aliyuncs.com/images/2020-11-10/c40ca40c6df94afe985bbf7e41de756f-微信截图_20201110172059.png" alt="" width="392" height="132" />
电感温度系数主要是由于线圈导线受热作用后膨胀，使线圈产生几何变形而引起的。为了提高线圈温度的稳定性，可以采用热绕方法制作线圈:将绕制线圈的导线通上电流，使导线变热后再绕制线圈，这样可以使线圈冷却后收缩而紧贴在骨架上，不再容易发生受热后变形，相应地提高了稳定性。
 除了温度外，温度也会引起电感线圈参数的变化。例如，湿度增大时会使线圈的分布电容和损耗增大，使线圈的稳定性降低。为了防止湿度对线圈参数的影响，在制作电感线圈时，通常均要采取防潮措施，例如采用环氧树脂封装或进行浸渍处理。
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稳定性是表示电感线圈参数随环境条件变化而改变的程度。通常用电感温度系数αL 来评定线圈的稳定程度，它表示电感量相对泪度的稳定性

电阻的稳定性

前言：芯片产业链环节众多，分工程度极高，其中芯片制造是产业链核心环节。半导体产业链主要包括以下三大环节：IC 设计、晶圆制造加工以及封装测试、应用；
<img class="img" style="display: block; margin-left: auto; margin-right: auto;" src="https://mp.dayu.com/dayu/image?t=1604997881968&amp;s=ce622f144f82b21f9483d30bf9c80091&amp;p=95a1f4676e59df62512298bbc5fd7f4ed0372e3c8bffc14f54833e09b46de4ef2a80b2a710ac529f9db7e6c5d7628535d0b283c5734e211182459616f90b63a6a0cfa63d6e84d63d73934b8e1406d737&amp;w=3310df90a8c3abf931c10418091945e4" width="457" height="335" data-md5="fc1372bf6ca9f43d7443d74f99737b9e" data-alt="&nbsp;" data-infoed="1" data-width="641" data-height="470" data-format="jpeg" data-size="36318" data-phash="85B64DC5353BB249" data-source="outsite" />
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半导体的蝴蝶效应，上游IC集成电路的价格上涨，带动其制造的原材料晶圆和覆铜板增长，终端产品带动原材料上涨情有可原，可今天要讲的是上游价格上涨带动中间技术操作封装测试的价格上涨？这是怎么一回事呢？让我们来一起看看吧！
<img class="img" style="display: block; margin-left: auto; margin-right: auto;" src="https://mp.dayu.com/dayu/image?t=1604997881136&amp;s=19cf8a019ceca424c4484dd49e40d7f1&amp;p=95a1f4676e59df62512298bbc5fd7f4ed0372e3c8bffc14f54833e09b46de4ef162f7ff7a067021c4cd12f9dd721eddbda2cd2bb69c773220f9d7fb78cb3f576e0cf4b0f4e20fdb7906014668db99b98&amp;w=3310df90a8c3abf931c10418091945e4" width="612" height="427" data-md5="c3e566a19a96f6109dccf4655566464c" data-alt="&nbsp;" data-infoed="1" data-width="641" data-height="447" data-format="jpeg" data-size="95244" data-phash="E427113BFC24A5DA" data-source="outsite" />
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一、随着芯片不断向微型化发展,工艺制程开始向着更小的5nm、3nm推进,已经越来越逼近物理极限,付出的代价也将越来越大；
以5G智能型手机为例，因为支援Sub-6GHz及mmWave（毫米波）多频段，手机核心处理器运算效能提升及增加AI核心，导致芯片需要设计更大的静态随机存取记忆体（SRAM）面积，芯片尺寸虽因制程微缩而缩小，但面积仅小幅缩减，所以需要更多的投片量来应用手机出货需求。
<img class="img" style="display: block; margin-left: auto; margin-right: auto;" src="https://mp.dayu.com/dayu/image?t=1604997881673&amp;s=e43a43a93e8c0a4a03df44158195f7d9&amp;p=95a1f4676e59df62512298bbc5fd7f4ed0372e3c8bffc14f54833e09b46de4ef2a9c72de8eb0d2236d30e5e138ceb7ff383bb6f3eeffb552221eaeb7a2b945b631ef311016a1fe6bc9632d6511c45e8a&amp;w=3310df90a8c3abf931c10418091945e4" data-md5="55899abf55c8ed89708d6ca61481e881" data-alt="&nbsp;" data-infoed="1" data-width="500" data-height="243" data-format="jpeg" data-size="33095" data-phash="A3ED7229C3B1C6A2" data-source="outsite" />
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另外，5G手机因功能增加而需要搭载的射频元件及功率放大器（PA）呈现倍增情况，电源管理IC及金氧半场效电晶体（MOSFET）搭载数量也大幅增加3成至5成，对相关搭配芯片数量增加也需要更多晶圆代工产能支援；同时需要更先进的封装技术支持；先进封装技术能够相对轻松地实现芯片的高密度集成、体积的微型化和更低的成本等需求,符合高端芯片向尺寸更小、性能更高、功耗更低演进的趋势。因此技术的提升与优化使得封测价格上涨；
二、由于5G局端及终端装置、人工智能及高效能运算强劲需求，加上疫情带来的宅经济，持续带动笔记本电脑及平板、网通设备等出货动能，造成晶圆代工厂下半年接单全线满载。不仅晶圆代工厂接单强劲，带动下游封测端同步受惠；
由于第三季来自手机厂、ODM／OEM厂的订单只增不减，包括意法（ST）、赛灵思（XILINX ）等业者已上调部分芯片价格，而且芯片交期拉长。虽然供应链的库存水位提高不少，但芯片厂接单量仍明显大于供给，且晶圆代工及封测产能供不应求，业界对于芯片价格在未来两个季度将涨价已有共识。从来使得晶圆代工及封测价格调涨；
<img class="img" style="display: block; margin-left: auto; margin-right: auto;" src="https://mp.dayu.com/dayu/image?t=1604997882040&amp;s=9d69a3a89892e3a04d50eda19e7dda1f&amp;p=95a1f4676e59df62512298bbc5fd7f4ed0372e3c8bffc14f54833e09b46de4ef91344bbf9ee41f4788cdcd617daffa1be77c9f02a214cdefd4a3145031c6540972ae1cceac75573b1391223fcf78ce97&amp;w=3310df90a8c3abf931c10418091945e4" data-md5="f392ef3edf161ed45f9cbc9f40fc163b" data-alt="&nbsp;" data-infoed="1" data-width="641" data-height="245" data-format="jpeg" data-size="42726" data-phash="9936E94D7222A9E9" data-source="outsite" />
&nbsp;
​总结：
一、是由于5G科技技术的提升需要更先进的封测技术，技术的提升加上设备要求更高，使得封测自然上涨；
二、是因为市场需求增大，订单增大，需求厂商价格的上涨带动封测价格的上涨！

芯片产业链环节众多，分工程度极高，其中芯片制造是产业链核心环节。半导体产业链主要包括以下三大环节：IC 设计、晶圆制造加工以及封装测试、应用；

半导体行业什么都涨价？芯片涨完晶圆涨，封装测试也要涨？

据外媒消息称，台积电可能已经被批准向华为继续供货了，不过供货的货源是被严格限制的，并不是恢复了所有。
<div class="img-mod" align="center"><img src="https://inews.gtimg.com/newsapp_bt/0/12747501725/641" width="501" height="310" data-width="400" data-height="263" /></div>
报道中提到，台积电获得许可是 28nm 等成熟的工艺，不包括 16nm、10nm、7nm、5nm 这些先进的制程工艺，这也就意味着台积电依旧不能为华为代工最新的麒麟 9000 处理器，这一处理器采用的是台积电目前最先进的 5nm 工艺。
<div class="img-mod" align="center"><img src="https://inews.gtimg.com/newsapp_bt/0/12747501666/641" width="571" height="397" data-width="400" data-height="263" /></div>
另外，像麒麟990、麒麟990 5G等7nm工艺芯片，台积电也是不允许生产的。
对于这个情况，有行业人士表示，如果台积电目前只是被允许上述条件跟华为供货的话，那么对华为手机业务并没有太多的意义。
<div class="img-mod" align="center"><img src="https://inews.gtimg.com/newsapp_bt/0/12747501797/641" width="546" height="317" data-width="400" data-height="263" /></div>
之前有消息称，在禁令开始前，华为已低调囤积了数月的 5G 基站核心芯片，至少到 2021 年都确保可用。
据靠近台积电的知情人士爆料，台积电自 2019 年底起开始扩大华为 5G 基站核心通讯芯片天罡的生产。在9月禁令生效前，台积电应华为要求共交付 200 多万颗 7 nm 天罡芯片。订单规模之大，一度让台积电高层质疑是否低估了 5G 的全球需求。
<div class="img-mod" align="center"><img src="https://inews.gtimg.com/newsapp_bt/0/12747501716/641" width="514" height="307" data-width="400" data-height="263" /></div>
知情人士称，华为已告知三大运营商，其零部件仍可支持 2021 年及以后的基站建设。华为方面至少从去年年底就已经开始交付未使用美国技术的 5G 基站。
据悉，台积电从9月15日以后，就无法再与华为有业务往来。华为具备芯片设计的自研能力，不具备生产能力，所以一直以来都由台积电等厂商代工。
<div class="img-mod" align="center"><img src="https://inews.gtimg.com/newsapp_bt/0/12747501770/641" width="527" height="332" data-width="400" data-height="263" /></div>
今年9月15日起，新禁令显示凡是使用了任何美国技术的芯片公司，都不能继续跟华为有任何合作，这也从根本上让华为失去了芯片的供应，
无芯可用的华为，现在更多的还是等待。之前，华为轮值董事长郭平曾表示，高通一直是华为重要的合作伙伴，过去十几年华为一直在采购高通芯片，而一旦他们获得美国许可，华为愿意使用高通芯片。
不过目前的情况是，高通、联发科等芯片厂商提出向华为申请供货的请愿，还没有被批准，何时批准也不得而知。

据外媒消息称，台积电可能已经被批准向华为继续供货了，不过供货的货源是被严格限制的，并不是恢复了所有。

传台积电已恢复供货华为芯片，高通、联发科等仍在审批！

电阻器在电路中用作分压器、分流器和负载电阻;它与电容器&mdash;起可以组成滤波器及延时电路、在电源电路或控制电路中用作取样电阻；在半导体管电路中用偏置电阻确定工作点;用电阻进行电路的阻抗匹配；用电阻进行降压或限流；在电源电路中作为去耦电阻使用，等等。总之，电阻器在电路中的作用很多，电路无处不用电阻：下面介绍一些电阻器的基本电路。
&nbsp;
<ol>
<li>分压电路</li>
</ol>
分压电路实际上是电阻的串联电路，如图2-1所示，它有以下几个特点：
&nbsp;
①通过各电阻的电流是同一电流，即各电阻中的电流相等、I = I1 = I2 = I3；
②总电压等于各电阻上的电压降之和,，即V= V1 + V2 + V3；
③总电阻等于各电阻之和，即R＝R1 + R2 +R3：
&nbsp;
在实践中可利用电阻串联电路来进行分压以改变输出电压，如收音机和扩音机的音量调节电路、半导体管工作点的偏置电路及降压电路等。
<img style="display: block; margin-left: auto; margin-right: auto;" src="https://oksht-mall.oss-cn-shenzhen.aliyuncs.com/images/2020-11-09/3ae67019d212406893723a4be974a7c0-mceu_15528410721604913618213.png" />
图2-1&nbsp; &nbsp; &nbsp; &nbsp; &nbsp; &nbsp; &nbsp; &nbsp; &nbsp; &nbsp; &nbsp; &nbsp; &nbsp; &nbsp; &nbsp; &nbsp; &nbsp; &nbsp; &nbsp; &nbsp; &nbsp; &nbsp; &nbsp; &nbsp; &nbsp; &nbsp; &nbsp; &nbsp; &nbsp; &nbsp; &nbsp; &nbsp; 图2-2&nbsp; &nbsp; &nbsp; &nbsp; &nbsp; &nbsp; &nbsp;&nbsp;
<ol start="2">
<li>分流电路</li>
</ol>
分流电路实际上是电阻器的并联电路，如图2-2所示。它有以下几点特点:
&nbsp;
①各支路的电压等于总电压；
②总电流等于各支路电流之和，即I = I1 + I2 + I3;
③总电阻的倒数等于各支路倒数之和,即1/R =1/R1 + 1/R2 + 1/R3
&nbsp;
在实践中经常利用电阻器的并联电路组成分流电路，以对电路中的电流进行分配；
&nbsp;
图2-3是用于扩大电流表量程的分流电路。
<img style="display: block; margin-left: auto; margin-right: auto;" src="https://oksht-mall.oss-cn-shenzhen.aliyuncs.com/images/2020-11-09/f331333351684b40bdb415ea3458033d-微信截图_20201109171904.png" alt="" width="418" height="214" />
图2-3
扩大电流表量程的分流电路
&nbsp;
电流表的满度电流为50uA．现需将它改成一个最大量程为500uA的电流表,此时只需要在电流表两端并上一只电阻器R1即可。
根据图2-3(b)并联电路可知
I= I1 +I0
&nbsp;
若I = 500uA,则
&nbsp;
I1 =I - I0 = 500-50 =450uA
&nbsp;
由于I0 * R0 =I1* R1(式中R0为电流表内阻)
求得
&nbsp;
R1= (I0* R0)/I1= 200&Omega;
&nbsp;
上述的分流电路计算结果表明，只要在50uA表头上并联一个200&Omega;的电阻,即可使表头的量程由50uA扩大到500uA。
&nbsp;
<ol start="3">
<li>阻抗匹配电路</li>
</ol>
图2-4所是由电阻器组成的阻抗匹配衰减器、它接在特性阻抗不同的两个网络中间,可以起到匹配阻抗的作用。
匹配器中电阻器的阻什可由下式确定，即
<img style="display: block; margin-left: auto; margin-right: auto;" src="https://oksht-mall.oss-cn-shenzhen.aliyuncs.com/images/2020-11-09/f8100c1d169b43c090c5a263a2a2b61c-mceu_25971633831604913828822.png" />
阻抗匹配电路计算公式
式中，Z1和Z2为网络1和网络2的阻抗，它们分别为300&Omega;和75&Omega;。将它们代入上面两个公式中，则求得RI=259.8&Omega;，R2＝86.6&Omega;。
<img style="display: block; margin-left: auto; margin-right: auto;" src="https://oksht-mall.oss-cn-shenzhen.aliyuncs.com/images/2020-11-09/2bd87090468e40b79165c39c612f3467-mceu_10377875541604913844494.png" />
图2-4
<ol start="4">
<li>RC充放电电路</li>
</ol>
RC充放电电路是电阻器应用的基础电路，在电子电路中会常常见到，因此了解RC充放电特性是非常有用的。
RC充放电电路如图2-5所示。图中开关S原来停留在B点位置，电容器C上没有电荷,它两端的电压等于零。当开关接到A点时．电源E通过R向电容器C充电，在电路接通的瞬间，电容器电压Vc＝0，充电电流最大值等于Z/R。随着电容器两极上电荷的积累，Vc逐渐增大，电阻器R上的电压Vr =E -Vc，充电电流i＝(E&mdash;Vc)/R且随着Vc的增大而越来越小，Vc的上升也越来越慢。当Vc＝E时，i=0，充电过程结束。
试验证明，充电过程可用下面公式描述，即
<img style="display: block; margin-left: auto; margin-right: auto;" src="https://oksht-mall.oss-cn-shenzhen.aliyuncs.com/images/2020-11-09/ba19784e007c479694b791556b831118-mceu_68998332551604913869569.png" />
式中：e-自然对数；t-时间。
&nbsp;
从公式中不难看出，充电过程中Vc和i是按指数规律变化的。而充电的快慢取决于电阻和电容的乘积，因此称RC为时间常数r，即r=RC。如果R和C的的单位取欧姆和法拉，则r的单位为秒。
&nbsp;
根据公式计算在不同时间内的Vc和i，其结果见表2-4。从表中可以看出，r越大充电越慢。当t＝3r时，Vc=0.95E;当t=5r时，Vc=0.993E；一般认为当 t=(3-5)r时，电容器上的电荷已被充满。
<img style="display: block; margin-left: auto; margin-right: auto;" src="https://oksht-mall.oss-cn-shenzhen.aliyuncs.com/images/2020-11-09/df03b8f742a24aa283aea6f7d14de9c4-mceu_48350727361604913896635.png" />
表2-4
RC充电路计算公式
当电路开关S在C充满电荷后由A端置于B端时，电容C上的电荷通过R放电，其放电也是按指数规律进行的。
利用RC充放电特性可组成很多应用电路，如积分电路、微分电路、去耦电路以及定时电路等。

电阻器在电路中用作分压器、分流器和负载电阻;它与电容器—起可以组成滤波器及延时电路、在电源电路或控制电路中用作取样电阻

电阻器在电路中的作用

电阻的基本单位是欧姆，习惯上简称为欧，用符号&ldquo;&Omega;&rdquo;表示。如果在电阻器两端施加1V的电压，能使电阻器中流过的电流为1A，那么该电阻器的阻值就是1&Omega;。
1&Omega;是电阻值的基本单位，在电子工程中，通常还使用由欧姆导出的其他电阻值单位，如千欧姆(K&Omega;)、兆欧姆(M&Omega;)及吉欧姆(G&Omega;)等。它们之间的换算关系如下：
&nbsp;
1K&Omega;=1 x 10(3)&Omega;
1M&Omega;=1 x 10(3)K&Omega; = 1 x 10(6)&Omega;
1G&Omega;=1 x 10(3)M&Omega; = 1 x 10(6)K&Omega;
1T&Omega;=1 x 10(3)G&Omega; = 1 x 10(6)M&Omega;

电阻的基本单位是欧姆，习惯上简称为欧，用符号“Ω”表示。如果在电阻器两端施加1V的电压，能使电阻器中流过的电流为1A，那么该电阻器的阻值就是1Ω。

电阻的单位

电阻器的型号命名方法
&nbsp;<img style="display: block; margin-left: auto; margin-right: auto;" src="https://oksht-mall.oss-cn-shenzhen.aliyuncs.com/images/2020-11-09/94860d76288e44a3b402f720fa82d76c-微信截图_20201109154808.png" alt="电阻器的型号命名方法" width="377" height="307" />
介绍电阻器的命名方法,一个电阻器的名称,有几部分组成,各部分分别代表不同的型号及标识,本中将会详细介绍各类型电阻器
&nbsp;
的命名方法以及电阻器名称中的标识含义.
根据我国有关标准的规定，我国电阻器的型号命名方法．由以下几部分组成，即
&nbsp;
电阻的命名方法 
第一部分为主称，用字母R表示
第二部分为电阻体材料，用字母表示．
电阻器的命名方法 
&nbsp;第三部分为分类特征，用数字或字母表示
&nbsp;
&nbsp;
电阻器的命名方法 
&nbsp;第四部分为序号，用数字表示，以区别外形尺寸和性能参数。对材料和分类特征相同，仅尺寸、性能指标有差异，但基本上不
&nbsp;影响互换的产品，标同一序号：对材料、分类特征相同，仅尺寸、性能指标影响产品互换的产品，仍可标同一序号，但必须在
&nbsp;序号后加一字母作为区别代号。
&nbsp;电阻型号举例：RJ71型精密金属膜电阻器
&nbsp;电阻器的命名方法

介绍电阻器的命名方法,一个电阻器的名称,有几部分组成,各部分分别代表不同的型号及标识,本中将会详细介绍各类型电阻器

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