关于晶体管和电子管检波的问题
1、检波效率
　　检波用二极管的设计是基于普通超外差双调谐中频变压器电路的检波设计的。检波二极管除了应该保证在最大信号输入时候有足够大的电流输出，同时一个重要的指标就是检波效率。
　　检波效率=二极管上的直流分量/中频载波峰值。而且，一般的接收机之中所使用的检波负载电阻在100千欧到500千欧之间，远远大于输入回路和二极管内阻之和。因此在设计检波二极管的时候，它的二分之三次方常数不需要太大，因为晶体管设计时候没有二分之三次方常数，所以二者的特性无法直接类比，但是将2AP16等效成电子管以后，它的二分之三次方常数将很大，远远超过常用检波二极管6H2、6H6P或者6G2、6G2P的二极管部分。
　　在有较高二分之三次方常数情况下，可以在较低的负载电阻条件下获得更大的检波效率。所以采用晶体管要比电子管可以在更低的负载电阻情况下获得更高的检波效率，这在半导体收音机中或者视频检波中都是有意义的，比如6H2用于晶体管收音机中检波效率就会很低。但是通常电子管的设计因为已经在二分之三次方常数上有一倍以上的富裕（考虑到阴极温度的不平均和屏极物理尺寸上的误差）。所以理论上晶体管用于电子管收音机中的检波效率大体和电子管持平。
2、接触电位-起始特性
　　电子管有接触电位，晶体管没有。在理想状态下，屏极电位接近于0时候，有屏流的。在屏极电位为负，应该迅速截止。令人感到遗憾的是，普遍认为接触电位取决于制造技术，而不是电极构造。所以相同电极构造的电子管因为厂牌不同，它的检波特性就有一定差异，我手头的资料是50年代的，或许以后又有改变也不一定。
　　接触电位决定了管子的起始特性。在晶体管来说，不同材料的管子起始导通电压不同，硅材料要高一些、硒次之、锗二极管最低。当然，如果是特制的肖特极管要更低。在这里有这样一个问题，经过中频放大的信号，它的幅度都很大。而且一般来说，我们通常收听的广播节目都不是极其微弱的信号，经过变频、中放以后已经有了相当的幅度，所以起始特性通常已经不再重要。理论上在起始特性上，晶体管电子管在超外差收音机中作为检波没有很大的区别，略高的起始导通电压对于检波没有影响。（我曾经用1N4148开关管代2AP16用于仿711的收音机中，主观没有听出任何区别）。
3、飞跃时间-极间电容
　　在微波领域应用的检波管，需要很小的电子飞跃时间，我们一般不考虑此项。但是，电子管的极间电容要大于点接触晶体管的结电容。但是中频的频率比较低，这项参数我们也可不记。但是理论上，半导体器件的结电容会随着P-N结电压的改变而改变，但是电子管不会。如果吹毛求疵的话，用晶体管会影响到中频谐振曲线，其实影响之细微恐怕用精密的仪器也不容易测量。此项比较中，二者没有不同。
4、反向电阻
　　因为锗管反向电阻通常要低一些，电子管收音机中的中频变压器和检波负载都很高，所以微弱的反向漏电会影响到中频的谐振曲线。需要选择良好的优质锗二极管或者干脆用硅二极管也好。如果所使用的半导体二极管不好，那么的确不如用电子管来的可靠。
5、其它
　1）反向耐压或许也要考虑，像2AP9之类管子反向耐压不是很高，如果用于多级中频放大的接收机中有击穿的可能。电子管的反向电压通常都很高，这个因素不用考虑。
　2）工作温度或许也要考虑，锗器件是不耐高温的，硅器件要好许多。在高温下，电子管要稳定一些。
　3）使用寿命或许也要考虑。固体器件寿命极长，但是电子管就有更换的必要。阴极特性不良好的管子工作效率很低下，尤其在作检波使用。
　　通过以上比较，可以看出。在普通的电子管收音机中使用晶体管或者电子管检波都可以，晶体管使用优良的锗器件或者硅器件都可以。如果用晶体管检波，需要挑选合适的二极管，我认为硅开关二极管很好，价格也便宜。耐压合适的锗键构造的检波二极管或者开关二极管也可以，需要挑选反向漏电极小的使用。普通的点接触构造2AP9并不是很好的选择。如果要使用电子管检波，比如6H2，最好从较多的管子中选择使用。选择的标准首先要全新，其次要测量它的起始特性，最好多准备一些厂牌的产品，比如各种欧洲EAA91美日6AL5等等，不一定名牌就好，需要数据说话。

检波用二极管的设计是基于普通超外差双调谐中频变压器电路的检波设计的。检波二极管除了应该保证在最大信号输入时候有足够大的电流输出，同时一个重要的指标就是检波效率。

关于晶体管和电子管检波的问题

五极功率管常用电路及其电路数据
一、用途和产地 　　五极功率管通常用来作音频功率放大器或高频功率放大器。 　　常用管子有小型九脚管国产6P14、6P15、俄产6П14、6П15；八脚G式或GT式电子管有国产6P9、俄产6П9、6Ф6、美产6AG7、6F6；欧美产六脚管42；音响专用八脚管EL34（有国产和欧产）。 &nbsp; 二、管脚图
&nbsp;<img style="display: block; margin-left: auto; margin-right: auto;" src="https://oksht-mall.oss-cn-shenzhen.aliyuncs.com/images/2020-11-06/aa594168419949a38cc4f4f44fff7e7f-微信截图_20201106164613.png" alt="" width="522" height="303" />
三、各类管子应用参数
<img src="https://oksht-mall.oss-cn-shenzhen.aliyuncs.com/images/2020-11-06/31dd69a9429f45b7ae0dfad4f3685c2f-微信截图_20201106164724.png" alt="" width="550" height="224" />&nbsp;
　注：A单5，指甲类五极接法单端功率放大；A推5，指甲类五极接法推挽功率放大；AB推5，指甲乙类五极接法推挽功率放大。 　　6P15、6AG7与6P9特性接近，用法一样；42、6Ф6与6F6性能一样。 &nbsp; 四、典型电路 　1、单端甲类功放 　　五极功率管的单端甲类功放电路与束射四极管单端甲类功放电路一样，没有什么区别。电路可参见拙文《束射四极管常用电路及其电路数据》。同样分单端甲类功放自偏压电路和单端甲类功放固定偏压电路。需要注意的是，以上小功率管子除了6F6外，其他小功率管子的跨导均比较高，容易引起震荡，所以6P14或6P15的栅极常接阻尼电阻。6P15或6P9是同类型管，原是电视机视频输出电路专用电子管，栅极负压较低，输入信号幅度超过栅负压时，会带来失真，在使用时，该类管的前级不要使用高&mu;三极管，最好使用中低&mu;三极管，或采用输入信号分压的方式。 　　6P14是宽带功率放大管，高音特性比较好。其输出变压器漏感要小，否则发挥不了其长处。在实际应用电路中，6P14单端输出，多采用超线性电路，以进一步提高音频输出质量。6P14跨导高，容易发生震荡，故作者不主张用6P14作并联输出电路。如作并联输出，当管子略有些老化时，容易产生震荡。 　2、推挽功放 　　五极管适合作推挽功率放大。尤其是高跨导管，其前级采用采用分割式倒相最为相宜。因高跨导五极管需要的推动电压比较低。6P14作甲类推挽最好，比较能够发挥其特性；6F6可用屏压较高，从性能看作甲类单端效果一般，最好作甲乙类推挽输出。6P15和6P9内阻高于6P14，是在没有6P14或6F6时的替代品。 输出变压器数据
<img src="https://oksht-mall.oss-cn-shenzhen.aliyuncs.com/images/2020-11-06/9cf37fe18c204da28188abd879726792-微信截图_20201106164804.png" alt="" width="618" height="425" />&nbsp;
　　以上变压器有较大富裕容量，以保证音频低端的输出(30HZ)。因此在绕制时必须分段交叉绕制，以减少分布电容，避免高音频端衰减。铁心能够保证截面积即可，绕制成E型、U型或环型均可。单端输出变压器在磁芯接口处要留有防磁化的空隙，约0.3mm。 &nbsp; 　　国产小型五极管6P14价格便宜，作音频输出效果好，最适宜业余爱好者选用，如果作推挽有大于12W的输出，足够推动音箱使用。

　五极功率管通常用来作音频功率放大器或高频功率放大器。  　　常用管子有小型九脚管国产6P14、6P15、俄产6П14、6П15；八脚G式或GT式电子管有国产6P9、俄产6П9、6Ф6、美产6AG7、6F6；欧美产六脚管42；音响专用八脚管EL34（有国产和欧产）。

五极功率管常用电路及其电路数据

电子管的制造过程
　　关于电子管的制造，因为我不是专业的，所以只是略知一二，在这里献丑，谨供作为饭后的谈资而已。
　　电子管的制造是一门相当的学问，涉及到物理、化学等等很多方面，其中蕴含的知识非常宽泛，冰棍在此从材料的制备和管子的装配两个层面上简单地来谈一下电子管制造的问题。
　　首先要有制造的材料，电子管制造之中使用的大都是高纯度的金属材料以及各种无机、有机原料，RCA手册R-13版的附录之中，RCA公司曾经自豪地介绍过一些电子管之中的复杂技术。材料科学是一门复杂的学问，我只能简单地说两句而已，以下以简单的旁热管为例来说明。你可以想象成为是6P1或者6A2这类型的管子。
材料准备
　1、热丝制备：
　　用硝化纤维、丁醇、醋酸乙酯的混合液体中，加入细腻的纯净刚铝石粉末进行研磨，形成悬浊液（美国雷声公司的配方）。
　　纯净的钨丝或者钼丝，表面用喷涂的办法，喷上一层刚铝石悬浊液，然后在900度的温度下加热几分钟，自然冷却。然后将热丝在20%的氢氧化钾溶液中煮几分钟，然后用蒸馏水冲洗烘干，在空气中加热到100度几分钟，蒸发溶剂。然后在高温氢气炉中以1600-1650度高温加热几分钟，就可以备用了。
　2、阴极制备：
　　用硝化纤维、丁醇、醋酸乙酯的混合液体中，加入碳酸钡、碳酸锶、碳酸钙，在球磨机之中研磨7小时（美国雷声公司的配方）。 在镍制的圆筒上进行喷涂或者刷涂。
　3、电极制备：
　　根据计算所采用的材料，比如屏极用的镍片或者敷铝铁等等材料，预先经过适当的黑化（按照需要），冲制成适当的形状。
　　在自动绕丝机上绕制栅极丝（在20年代已经采用了自动绕丝机），形成栅极。栅极所用金属丝以及绕制工艺都是极其严格，尤其是高跨导的宽频带电压放大管的栅极丝的直径和间距都非常非常小（普通中放大系数三极管的栅极丝大概是0.00009英寸，高放大系数管还要小一些，而宽频带电压放大管的栅极丝直径还要小一个数量级以上，一些山寨厂之所以只能制造205 101之类老旧型号，就是他们制造不了其它的管子）。
　　根据计算裁制云母片成为一定的形状。
　　根据计算，准备适当的玻壳和芯柱。
　　对于金属材料进行化学清洗，然后进行烧氢处理，对于在高温中和氢气有反应的金属在真空炉中进行高温处理。
管芯装配
　　将不同的原料装配到芯柱上，采用的是点焊工艺，采用多种方法来固定电极。如同大家透过玻璃看到的一样，或者砸碎一个管子，你可以看的更加清楚。
排气工艺
　1、设备：
　　通常有机械泵（大部分是活塞泵+旋片泵）作为第一级抽气。然后是多级扩散泵（油扩散泵或者水银扩散泵）作为次级抽气，并且配有冷凝器和加热器，检查真空度用电离规表。
　2、工艺：
　　连接电子管和接头部分，开动机械泵，在半个小时以内气压表应该达到1/1000到1/10000个大气压。此时可以开启电离规表测量真空度。
　　然后开动扩散泵，在半个小时以内，让气压表达到1/200000个气压。然后拉下来烘箱，像烤面包一样烤电子管，温度为450到500度，此时真空度会下降，仍然抽气。同时加热主冷凝器。直到气压表重新为1/200000个气压。
　　关闭烘箱，电子管自然冷却到100度以下，此时真空表应该在1/200000到1/500000个大气压左右，拉上炉子。
　　对于电子管的灯丝逐渐加上电压，观察电离表的读数，直到灯丝在550度左右，气压表在1/2000000大气压以下。用液态氮冷却主冷凝器，用光测高温表测量灯丝温度，一般在900度老练，1100闪练，经过一个比较长的复杂的过程之后，氧化物阴极便已经激活。
　　然后可以用感应加热的办法蒸发消气剂，此时气压表的应该在1/50000000大气压以下，用煤气火焰封口电子管。
　　此时抽气系统还在继续工作，然后停止向主冷凝器中注入液氮，冷凝器逐渐恢复到室温。关闭扩散泵的加热器。当扩散泵的油温在60度以内时候，关闭扩散泵到机械泵的阀门，然后关闭扩散泵风扇和机械泵。
　　经过以上工艺制造的电子管的品质肯定是极其优秀的，但是对于机械化制造的电子管而言，通常比上述的工艺要有所简化，主要是排气部分工业化生产的时候，是连续工作而不是上述的断续工作，不过它们的质量仍然是有保证的。
　　值得注意的是，不同的电子管厂家的配方是不相同的，这也就是不同电子管的使用寿命会有差异的缘故，当然对于大型的生产厂而言，他们的电子管质量是有所保证的。对于山寨厂而言，质量当然不能保证。美国的RCA公司号称它们电子管真空度可以达到1/100，000，000大气压，我相信这是比较可信的。起码我遇到的RCA公司的电子管，即使是比较早期的产品，性能仍然相当不错。而天津山寨厂的产品能达到什么技术水平，因为我从来没有用过，这里不得而知。不过，曾经很早以前，有些朋友买过天津的300B，在很短时间以内损坏的例子很多。
在这里附带说明一下电子管内部出现蓝光的问题
　　出现蓝光的原因很多，有些是电极之间的蓝光，有些是玻璃壳上面的蓝光。通常，电极之间出现蓝光的原因是电子管内部的电位差过高，导致出现电弧，这在一些工作电压高的功率管之中常常能见到。当然如果是因为电子管的真空度降低也会出现电极之间的蓝光现象，不过一般而言真空度缓慢降低的管子，它的消气剂通常会出现减少的情况。
　　还有一种情况是玻璃外壳上面出现了蓝光，这在一些透明玻璃外壳管常常见到，比如6P3P 300B都有，这是电极构造造成的原因，通常设计优良的电极系统中，杂散电子轰击玻璃壳的情况很少，但是有些管的结构设计上或者装配上有问题的情况下，会出现一定的电子轰击玻璃壳的情形，此种情况下，轻则容易引起杂音并且管子的电流特性变得不平均，在严重情况下，对于大功率管而言，会导致玻壳电位梯度改变，引起玻壳电解或者甚至于炸裂，所以一般而言，玻璃外壳上没有蓝光是正常的。
　　有些功率管都采用了喷碳的办法，一则功率管容易散热，二则外壳电位是平均的，不会引起各种问题。有些大师们鼓吹的&ldquo;飘逸、神秘&hellip;&hellip;&rdquo;的蓝光，完全是胡说八道没有任何依据。我特别喜爱6P6P这只管子，通常我看到的都是喷碳的，仔细观察下可以看到，喷碳管和没有喷碳的比较而言，蓝光少了许多。
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　关于电子管的制造，因为我不是专业的，所以只是略知一二，在这里献丑，谨供作为饭后的谈资而已。

电子管的制造过程

&nbsp;据外媒报道，ST的三个主要工会CAD、CFDT和CGT数百名员工分别在各自所在的工厂上发起了罢工活动。
<div class="img-mod" align="center"><img src="https://inews.gtimg.com/newsapp_bt/0/12736248279/641" width="428" height="280" data-width="400" data-height="263" /></div>
至于罢工的原因，工会表示：&ldquo;ST管理层对ST员工及其工作表现出了令人难以置信的蔑视，因为他们不承认员工的努力，因此决定今年不增加员工的工资&rdquo;。这种情况在欧洲很常见，但是ST供应本就紧张，员工的罢工对生产来说影响太过巨大，可能会导致某些代理商以此为借口再次涨价。
<div class="img-mod" align="center"><img src="https://inews.gtimg.com/newsapp_bt/0/12736248272/641" width="476" height="237" data-width="400" data-height="263" /></div>
最近的市场频频传出缺货潮，从最开始的华为禁令在海思上反馈出来的各种市场问题，一直往外蔓延至AVX、8寸晶圆延长交期、AKM失火停产、MOSFET，可谓是一波未平一波又起，本就缺货的品牌现在又发生罢工事件可想而知会在行业里欣起怎样的血雨腥风！
&nbsp; &nbsp; &nbsp;市场上ST很多型号都处于严重缺货状态，MCU的市场价格甚至迎来了近半年的最高点。ST单片机价格涨幅为正常价格的2-3倍，交期甚至延长到了24-30周，这次罢工又再次推动涨价潮，将更多企业置于水深火热之中......
<div class="img-mod" align="center"><img src="https://inews.gtimg.com/newsapp_bt/0/12736248257/641" width="454" height="228" data-width="400" data-height="263" /></div>
&nbsp; &nbsp;此次ST罢工事件据小编了解是因为公司对其员工的态度及工资导致,ST的工会CAD发言称管理层因为不采用新冠预防措施而导致增加了后面的防疫成本，ST管理层把防疫的成本施加在工人身上，想在员工的工资和奖金里面回拢疫情防范的支出；从一个劳动者的角度来看ST确实不该，也不知道这把罢工的火会烧到什么时候！
&nbsp; &nbsp; &nbsp;涨价潮近期出现频繁，自然有人欢喜有人愁，也有的朋友一度怀疑这是某些公司的&ldquo;特殊玩法&rdquo;，具体是不是小编也不得而知，但咱们目前要做的是保持淡定，ST罢工潮并没有别人说的那么恐怖，原厂基于自己产能问题也会很快处理这些问题，大家理性对待就行！

意法半导体（ST）欧洲大罢工！芯片涨价幅度或将暴增！

FU-13&nbsp;发&nbsp;射&nbsp;管&nbsp;功率放大 FU-15&nbsp;发&nbsp;射&nbsp;管&nbsp;功率放大及振荡 FU-15J&nbsp;发&nbsp;射&nbsp;管&nbsp;功率放大及振荡 FU-17&nbsp;发&nbsp;射&nbsp;管&nbsp;功率放大及高频振荡 FU-17T&nbsp;发&nbsp;射&nbsp;管&nbsp;功率放大及高频振荡 FU-19&nbsp;发&nbsp;射&nbsp;管&nbsp;功率放大及高频振荡 FU-25&nbsp;发&nbsp;射&nbsp;管&nbsp;高低频功率放大,倍频,振荡和阳极调幅 FU-27F&nbsp;发&nbsp;射&nbsp;管&nbsp;110Hz以下功率放大,振荡和调幅 FU-29&nbsp;发&nbsp;射&nbsp;管&nbsp;米波范围内作功率放大,振荡以及在短波范围内作线性放大 FU-29T&nbsp;发&nbsp;射&nbsp;管&nbsp;米波范围内作功率放大,振荡以及在短波范围内作线性放大 FU-31&nbsp;发&nbsp;射&nbsp;管&nbsp;米波波段作功率放大和振荡 FU-32&nbsp;发&nbsp;射&nbsp;管&nbsp;米波波段作功率放大和振荡 FU-32T&nbsp;发&nbsp;射&nbsp;管&nbsp;米波波段作功率放大和振荡 FU-33&nbsp;发&nbsp;射&nbsp;管&nbsp;功率放大和振荡 FU-400F&nbsp;发&nbsp;射&nbsp;管&nbsp;大功率音频扩大机,电视发射机 FU-46&nbsp;发&nbsp;射&nbsp;管&nbsp;高频放大,振荡,倍频,调频 FU-483F&nbsp;发&nbsp;射&nbsp;管&nbsp;超高频振荡 FU-5&nbsp;发&nbsp;射&nbsp;管&nbsp;调幅及低频功率放大 FU-50&nbsp;发&nbsp;射&nbsp;管&nbsp;功率放大和高频振荡 FU-500F&nbsp;发&nbsp;射&nbsp;管&nbsp;无线电设备中功率放大和振荡 FU-50J&nbsp;发&nbsp;射&nbsp;管&nbsp;功率放大和高频振荡 FU-7&nbsp;发&nbsp;射&nbsp;管&nbsp;高低频功率放大,倍频,振荡和阳极调幅 FU-80&nbsp;发&nbsp;射&nbsp;管&nbsp;50MHz频率以下作功率放大和振荡 FU-80J&nbsp;发&nbsp;射&nbsp;管&nbsp;50MHz频率以下作功率放大和振荡 FU-81&nbsp;发&nbsp;射&nbsp;管&nbsp;功率放大和振荡 FU-811&nbsp;发&nbsp;射&nbsp;管&nbsp;功率放大和振荡 FU-81J&nbsp;发&nbsp;射&nbsp;管&nbsp;功率放大和振荡

FU-13 发 射 管 功率放大 ，FU-15 发 射 管 功率放大及振荡

高频发射电子管的型号和作用

一、三极管
<div>
 　1.三极管的放大作用 　　图1是收信放大管的结构及符号图，栅极用符号g表示，栅极具有控制阳极电流ia的作用。由于栅极与阴极之间的距离较阳极与阴极间的距离近得多，所以栅极对阴极发射电子的影响也较阳极的影响大得多，即是说栅极控制电子的能力要比阳极大得多，栅压ug有多少量的变化，就能引起阳极电流ia发生较大的变化，这就是三极管具有放大作用的原因。
<div style="text-align: center;"><a href="http://www.elecfans.com/yuanqijian/UploadPic/2009-11/2009111010271400.gif" rel="lightbox-img"><img style="display: block; margin-left: auto; margin-right: auto;" title="收信放大管" src="http://www.elecfans.com/yuanqijian/UploadPic/2009-11/2009111010271400.gif" alt="收信放大管" width="280" height="177" /></a> 图1三极管结构及符号</div>
　2.三极管的静态特性曲线 　　（1）阳极特性曲线，指栅压ug为常数时，阳极是电流ia与阳极电压ua的变化关系曲线，采用图2的线路可测出在极管阳极特性曲线，图3表示6n8p的阳极特性曲线簇。
<div style="text-align: center;"><a href="http://www.elecfans.com/yuanqijian/UploadPic/2009-11/2009111010271400.gif" rel="lightbox-img"><img style="display: block; margin-left: auto; margin-right: auto;" title="收信放大管" src="http://www.elecfans.com/yuanqijian/UploadPic/2009-11/2009111010271400.gif" alt="收信放大管" width="316" height="107" /></a> 图2、测量三极管静态特性曲线的电路</div>
 从阳极特性的曲线簇可以看出： 　1）它的每条曲线形状和二极管的行性曲线相似，栅压愈负，曲线愈向右移。这是因为栅压为负进，只有当阳极电压增加到能够抵消在阴极附近产生的排斥电场以后，才会产生阳极电流。 　2）特性曲线的大部分是彼此平行的直线，间隔也比较均匀，但在阳极电流较低的部分，曲线显得弯曲。 　3）从图中还可以看出，栅压电流可变化4毫安，若栅压保持---8伏不变，要使阳极电流变化4毫安，则阳极电压应变化40伏才行，这说明书栅压对阳极电流的控制作用是阳极电压控制作用的20倍。 　　（2）阳栅特性曲线，指阳极电压为常数时，阳极电流ia与栅压ug的变化关系曲线。 仍用图2测量阳栅特性曲线。只要把阳极电压ua固定在某一数值上，然后一条阳栅特性曲线，在不同的阳极电压下作出很多条曲线就组成特性曲线簇。图4为6n8p阳栅特性曲线簇。
<div style="text-align: center;"><a href="http://www.elecfans.com/yuanqijian/UploadPic/2009-11/2009111010271400.gif" rel="lightbox-img"><img title="收信放大管" src="http://www.elecfans.com/yuanqijian/UploadPic/2009-11/2009111010271400.gif" alt="收信放大管" width="255" height="170" /></a> 图3、6n8p阳极特性曲线</div>
<div style="text-align: center;">&nbsp;</div>
<div style="text-align: center;"><a href="http://www.elecfans.com/yuanqijian/UploadPic/2009-11/2009111010271400.gif" rel="lightbox-img"><img style="display: block; margin-left: auto; margin-right: auto;" title="收信放大管" src="http://www.elecfans.com/yuanqijian/UploadPic/2009-11/2009111010271400.gif" alt="收信放大管" width="354" height="242" /></a> 图4、6n8p阳栅特性曲线</div>
从曲线簇可以看出： 　1）在阳极电压为定值时，随着负栅压的增加，阳极电流减小。当负栅压增加到某一个数值时，阳极电流减小到零，这时称为阳极电流截止，对应的栅压称为截止栅压。 　2）阳极电压越高，特性曲线越往左移，这是因为阳极电压越高，要使阳极电流截止的负栅压也越大。 　3）从图中还可看出栅压变化对阳极电流的变化影响很大。 　3.三极管的参数 　（1）跨导 　　跨导的定义是：在阳压保持不变时，栅压ug在某一工作点上变化一个增量△ug，将引起阳极流ia相应地弯化一个增量△ia，比值△ia/△ig称为跨导，用符号s表示，即： s=[△ia/△ig|ua（固定）]（毫安/伏） 跨导具有电导的性质，其物理意义是：在阳压固定不变的条件下，当栅压变化1伏时，阳流变化了多少毫安。它表明栅压控制阳流的能力，跨导越大，栅压控制阳流的能力就越强。 　　电子管的跨导可以从已知的阳栅特性曲线簇上求出。特性曲线的不同部分的跨导值是不一样的。曲线越陡（即斜率越大）跨导就越大，所以在特性曲线的直线部分，跨导最大，而且各点跨导差不多相同，因此，电子管手册中给出的跨导，都是指直线部分的跨导值，一般三极管的跨导值约为2～10（毫安/伏） 　（2）内阻 　　内阻的定义是：在栅压保持不变时，阳压ua在某一工作点上弯化一个增量△ua，将引起阳流相应地变化一个增量△ia，比值△ua/△ia称为内阻，用符号ri表示，即： ri=[△ua/△ia|ig（固定）]（欧姆） 当ia为毫安，ua为伏时，则ri为千欧。 　　内阻的物理意义是：在栅压保持不公的条件下，阳流变化1毫安，阳压需要变化多少伏，这表明了阳极对阳流的控制能力，内阻越小，阳压控制阳流的能力就越强。 　　内阻也可以从阳极特性曲线上求出，由于电子管的阳极特性曲线不是直线，所以曲线上各点的内阻值也不相同，曲线越陡（即斜率越大）时，内阻越小，曲线越平直（即斜率越小）则内阻越大，一般三极管内阻值为500欧至100千欧之间。 　（3）放大系数 　　放大系数的定义是：阳压变化一个增量△ua为了保持阳流不变，栅压ug必须相应地变化一个△ug，△ua与△ug比值的绝对值，称为放大系数，用符号&mu;表示，即： &mu;=△ua/△ug|ia（固定） 　　放大系数没有单位，它表明栅压对阳流的影响比阳压对阳流的影响大多少倍，一般三极管的放大系数在5～100之间。 　（4）三个参数之间的关系 　　电子管的三个参数s、ri和&mu;三者之间有一定的关系，这个关系可用下式求得：根据ri的定义：ri=△ua/△ia，因为增量△ua与△ia一定是同符号的，所以 ri=△ua/△ia=|△ua/△ia| 又根据s的定义：s=△ia/△ua增量△ia与△ug也是同符号的，所以 s=△ia/△ia=|△ia/△ug| 把ri与s相乘可得 ris=|△ua/△ia|&times;|△ia/△ug|=△ua/△ig=&mu;（倍） 则&mu;可以写成 &mu;=ris 这个方程称为电子管的内部方程。它表示电子管的三个参数之间的相互关系，即放大系数等于内阻与跨导的乘积。 　4.三极管的极间电容及其影响 　　电子管的电极是由金属制成的，并被介质-------真空所隔开，因此，各电极之间存在着电容，这些电容叫做极间电容。 三极管有三个极间电容，如图5所示，栅极和阴极之间的电容cgk叫做输入电容，阳极和阴极之间的电容cak叫做输出电容，阳极和栅极之间的电容cag叫做跨路电容，各个极间电容量大致在1～20皮法范围内。
 
<div style="text-align: center;"><a href="http://www.elecfans.com/yuanqijian/UploadPic/2009-11/2009111010271400.gif" rel="lightbox-img"><img style="display: block; margin-left: auto; margin-right: auto;" title="收信放大管" src="http://www.elecfans.com/yuanqijian/UploadPic/2009-11/2009111010271400.gif" alt="收信放大管" width="309" height="223" /></a> 图5、三极管的极间电容</div>
　　电子管的极间电容对电子管电路的工作性能有影响，影响最大的是跨路是电容cag，特别是在高频工作时，由于cag的容抗下降，阳极回路的交流电压通过它反馈回栅极，使电路工作变得极不稳定，甚至产生自激。cgk和cak对电路性能的影响不显著。二、束射四极管束射四极管主要用作功率放大，它和三极管所不同的是多了一个叫做帘栅极g2和束射屏 　1.束射四极管的结构特点： 　　束射管是利用帘栅极和阳极之间的空间电荷来克服二次电子转移的影响。为了做到这一点，就要求帘栅极和阳极之间有均匀而密集的电子流，因此束射管在结构上必须采取措施。 束射管的结构如图6所示： 　（1）阴极做成矩形，有相当大的发射面积，阴极与栅极之间的间距也相当均匀，由阴极发射出来的电子流很大，而且也很均匀。 　（2）栅极和帘栅极在单位长度上绕的圈数相等，层数对得很准，排列的位置很整齐而形成对栅，这样一方面可以减少帘栅极电流，从而减少帘栅极上的功率损耗和温度，增加流向阳极的电子数目，使输出功率增大，另一方面实现电子流在栅丝间成束形射出，使帘栅极间获得密集而均匀空间电荷，形成最仰慕民位。 　（3）帘栅极和阳极间的距离相当宽阔，使这个区域内的空间电荷增多。 　（4）帘栅极和阳极之间的两侧装置了一对由金属片做成的束射屏，它和阴极连在一起，它的作用是防止阳极上的二次电子从各个栅极支柱的两侧绕道转移向帘栅极，使电子流更加集中地向中间密集发射。从而消除了二次电子转移产生负阻效应的影响。
<div style="text-align: center;"><a href="http://www.elecfans.com/yuanqijian/UploadPic/2009-11/2009111010271400.gif" rel="lightbox-img"><img style="display: block; margin-left: auto; margin-right: auto;" title="收信放大管" src="http://www.elecfans.com/yuanqijian/UploadPic/2009-11/2009111010271400.gif" alt="收信放大管" width="256" height="165" /></a> 图6、束射管结构及符号</div>
　2、特性曲线及用途束射四极管的阳极特性曲线与五极管很相似,所以在使用时通常把它作为低频五极管来用,特性曲线如图7所示
<div style="text-align: center;"><a href="http://www.elecfans.com/yuanqijian/UploadPic/2009-11/2009111010271400.gif" rel="lightbox-img"><img style="display: block; margin-left: auto; margin-right: auto;" title="收信放大管" src="http://www.elecfans.com/yuanqijian/UploadPic/2009-11/2009111010271400.gif" alt="收信放大管" width="266" height="215" /></a> 图7、束射管阳极特性曲线</div>
束射四极管的特点是当栅极上输入一个较小的电压，可以在阳极上得到较大的输出功率po,而且工作在特性曲线较宽的小水平部分上，失真小，耗电少，用于甲类或乙类音频功率较大，能保证有足够的音量所以常常作为功率放大级，以推动扬声器。三、混频管与变频管超外差式收音机在中放前要把不同电台的载波频率变换成一定的中频，为了达到这个目的，一种办法是用一个三极管作本地振荡，把本振信号和电台信号送入混频管混频，混频后得出它们之间的差额；另一种办法是用一只变频管，它完成本振和混频的双重任务。 　1.七极变频管 　　电路符号如图8，管内有五个栅极，g3为信号栅，从天线输入回路送入电台的信号，g1为本振信号输入栅。g2,4为帘栅极，g5为抑制栅，与阴极连接在一起。 　2.七极变频管 　　图9为七极变频管电路图，管内也有五个栅极，它和混频管不同之处是在第二栅的边杆上连有两片小金属片，这样，阴极k、第一栅g1、第二栅的小金属片三者可以看成是一个三极管，用以产生本地振荡，通过g2的电子流已经学到等到幅本振频率电压的调制，再和输入信号作用，使阳极电流产生这两个频率的和频以及差频等电流分量，由中频变压器b选出它们的差频而完成变频，有些七极变频管为了减少g2吸收的电子数，第二栅g2只有边杆而没有栅丝，因为本振信号不需要太强。 七级变频管基本振电压受信号的影响，频率和电压的稳定度都受到牵连，特别在频率高于20兆赫时更甚。
<div style="text-align: center;"><a href="http://www.elecfans.com/yuanqijian/UploadPic/2009-11/2009111010271400.gif" rel="lightbox-img"><img style="display: block; margin-left: auto; margin-right: auto;" title="收信放大管" src="http://www.elecfans.com/yuanqijian/UploadPic/2009-11/2009111010271400.gif" alt="收信放大管" width="230" height="149" /></a> 图8、七极管符号</div>
<div style="text-align: center;"><a href="http://www.elecfans.com/yuanqijian/UploadPic/2009-11/2009111010271400.gif" rel="lightbox-img"><img style="display: block; margin-left: auto; margin-right: auto;" title="收信放大管" src="http://www.elecfans.com/yuanqijian/UploadPic/2009-11/2009111010271400.gif" alt="收信放大管" width="275" height="185" /></a> 图9、七极管变频管电路</div>
　3.三极--七极变频管为了消除本地振荡与输入信号之间的牵连效应，专门构成一组三极管作独立的本振，然后用七极管混频，不过这两组管子都用同一个阴极和玻壳，只是下部为三极管部分，上部为七极管部分，这就构成三极--七极管变频管。这种管子可以工作到22兆赫以上，比较稳定。
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<div> 　　收信放大管在二极管的阳极和阴极之间加装几个电极（栅极）就成了多极管。若加装一个电极就成为三极管，加装二个电极成为四极管（通常为束射管）。加装三个电极 ...
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<div> 收信放大管</div>
 　　在二极管的阳极和阴极之间加装几个电极（栅极）就成了多极管。若加装一个电极就成为三极管，加装二个电极成为四极管（通常为束射管）。加装三个电极成为五极管。这些多极管的主要用途是收信放大、检波、振荡、变频、调频、调制、解调等。</div>
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在二极管的阳极和阴极之间加装几个电极（栅极）就成了多极管。若加装一个电极就成为三极管，加装二个电极成为四极管（通常为束射管）。加装三个电极成为五极管。

收信放大管的作用及其特性！

自70年代电子管放大器复出重登音响舞台以来，已占有一定市场，但目前的电子管音响产品中，电子管引起的故障－－包括欧美电子管在内，并不少见，使人产生一种电子管寿命短的看法，然而这却往往并非电子管本身的问题，而是电路设计存在缺陷和使用上的问题。须知品质良好的电子管，还得有正确设计的电路，充分的散热，周到的避震。
<img style="display: block; margin-left: auto; margin-right: auto;" src="https://oksht-mall.oss-cn-shenzhen.aliyuncs.com/images/2020-11-05/d3a843b547e04453827056398deabcb7-mceu_497699111131604570233401.png" width="517" height="386" /> 　　在使用上，电子管要有良好的通风散热，温度的过热必然缩短电子管寿命，所以要尽可能使电子管保持较低的温度。电子管怕振动，所以采取防震措施尽量避免振动也是很重要的。若做到这两点，电子管的使用寿命至少可提高一倍。为此，电子管设备的周围要有适当的空间，尤其是它的上方，以便有良好的对流通风，可能的话可用风扇帮助散热。
<img style="display: block; margin-left: auto; margin-right: auto;" src="https://oksht-mall.oss-cn-shenzhen.aliyuncs.com/images/2020-11-05/d979743089734ef3a55513ded9a13f90-mceu_408570351141604570298223.png" />
　　电子管阴极在尚未达到要求温度即加上高压电源时，它的阴极将受到损害，同样会缩短电子管寿命。所以电子管设备若有预热装置的话，一定要使用，例如先开灯丝低压电源预热，后开高压电源。假如没有预热装置，那你不要急着将输入信号接入，可将音量关到最小，待先开机20～30分钟进行温机再使用。如果使用旁热式整流管供给整机高压，那正好提供了简单又有效的高压延时。另外，在正常使用时，不要频繁开关电源。 　　当然，如果对电子管电路进行正确的设计，避免错误运用，就能使电子管不致&ldquo;英年早逝&rdquo;，电子管使用数以千计的聆听时数应是正常的。电路设计中最常见的错误有电子管灯丝与阴极间的电位差过高、电子管屏极或帘栅极电压运用至最大值、电子管灯丝电压过低或过高、电子管安装位置不当造成电极过热及高压电源没有延时装置等。

在使用上，电子管要有良好的通风散热，温度的过热必然缩短电子管寿命，所以要尽可能使电子管保持较低的温度。电子管怕振动，所以采取防震措施尽量避免振动也是很重要的。若做到这两点，电子管的使用寿命至少可提高一倍。

怎么延长电子管放大器的使用寿命?

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　　万用表粗测晶体管时，万用表应置于电阻档，其等效电路如图1中虚线框内所示，其中以R0为等效内阻，U0为表内电压源。当万用表置于R&times;1、R&times;100、R&times;1k档时，U0＝1.5V。 　　
<img style="display: block; margin-left: auto; margin-right: auto;" src="https://oksht-mall.oss-cn-shenzhen.aliyuncs.com/images/2020-11-05/1993730364ee4ee89fa9cacf4549e4d9-mceu_108122082121604568950532.png" width="321" height="220" />
1、测二极管
　　万用表置R&times;lk档，两表笔分别接二极管的两极，若测得的电阻较小(硅管数干欧、锗管数百欧)，说明二极管的PN结处于正向偏置，则黑表笔接的是正极，红表笔接的是负极。反之二极管处于反向偏置时，呈现的电阻较大(硅管约数百千欧以上，锗管约数百干欧)，则红表笔接的是正极， 黑表笔接的是负极。 若正反向电阻均为无穷大或均为零或比较接近，说明二极管内部开路或短路或性能变差。
 　<a href="http://www.elecfans.com/yuanqijian/UploadPic/2009-11/2009119144742688.gif" rel="lightbox-img"><img style="display: block; margin-left: auto; margin-right: auto;" src="http://www.elecfans.com/yuanqijian/UploadPic/2009-11/2009119144742688.gif" width="182" height="208" /></a>
图1 测二极管
 　　由于发光二极管不发光时，其正反向电阻均较大且无明显差异，故一般不用万用表判断发光二极管的极性。常用的办法是将发光二极管与一数百欧(如330欧)电阻串联，然后加3V一5V的直流电压，若发光二极管亮，说明二极管正向导通，则与电源正端相接的为正极，与负端相接的为负极。如果二极管反接则不亮。 要特别说明的是，不少人测试发光二极管的方法不正确。如用9V层叠电池直接点亮发光二极管，虽然可正常点亮，但这种作法在理论上是完全错误的。
&nbsp; &nbsp; &nbsp; &nbsp; 发光二极管的外特性与稳压二极管相同，导通时其端压为1.9V左右（5mm)。当它与电源相连时，回路中必须设置限流电阻，否则一旦外加电压超过导通压降，将由于过流而损坏。直接用层叠电池点亮时可正常点亮不损坏发光二极管，是因为层叠电池有较大的内阻，正是内阻起到了限流作用。如果用蓄电池或稳压电源直接点亮发光二极管，则由于内阻小，无法起到限流作用，顷刻将发光二极管烧毁。稳压二极管与变容二极管的PN结都具有正向电阻小反向电阻大的特点，其测量方法与普通二极管相同。但须注意：稳压二极管的反向电阻较普通二极管小。　　
2、测晶体三极管 　　利用万用表可以判别三极管的类型和极性，其步骤如下： 　　①判别基极B和管型时万用表置月&times;lk 档，先将红表笔接某一假定基极B，黑表笔分别接另两个极，如果电阻均很小(或很大)，而将红 黑两笔对换后测得的电阻都很大(或很小)，则假定的基极是正确的。基极确定后，红笔接基 极，黑笔分别接另两个极时测得的电阻均很小， 则此管为PNP型三极管，反之为NPN型，测试电路如图2所示。 　　　　　　　　　　　　<a href="http://www.elecfans.com/yuanqijian/UploadPic/2009-11/2009119144742223.gif" rel="lightbox-img"><img style="display: block; margin-left: auto; margin-right: auto;" src="http://www.elecfans.com/yuanqijian/UploadPic/2009-11/2009119144742223.gif" width="272" height="194" /></a>
图2 判断三极管基极
 　　②判别发射极E和集电极C如图3所示。若被测管为PNP三极管，假定红笔接的是C极，黑笔接的是E极。用手指捏住B、C两 极(或在B、C间串接十个100k电阻)但不要使B、C直接接触。若测得电阻较小(即Ic大)， 再将红黑两笔互换后测得的电阻较大(即Ic 小)，则红笔接的是集电极C，黑笔接的是发射 极E。如果两次测得的电阻相差不大说明管子的性能较差。按照同样方法可以判别NPN型三极管的极性。
 　　　<a href="http://www.elecfans.com/yuanqijian/UploadPic/2009-11/2009119144742305.gif" rel="lightbox-img"><img style="display: block; margin-left: auto; margin-right: auto;" src="http://www.elecfans.com/yuanqijian/UploadPic/2009-11/2009119144742305.gif" width="251" height="195" /></a>
图3 判断三极管E与C

与电源相连时，回路中必须设置限流电阻，否则一旦外加电压超过导通压降，将由于过流而损坏。直接用层叠电池点亮时可正常点亮不损坏发光二极管，是因为层叠电池有较大的内阻，正是内阻起到了限流作用

怎么用机械万用表检测晶体管？

&nbsp; 自1976年开发出功率MOSFET以来，由于半导体工艺技术的发展，它的性能不断提高：如高压功率MOSFET其工作电压可达1000V；低导通电阻MOSFET其阻值仅lOm&Omega;；工作频率范围从直流到达数兆赫；保护措施越来越完善；并开发出各种贴片式功率MOSFET(如SILIConix最近开发的厚度为1.5mm&ldquo;Little Foot系列)。另外，价格也不断降低，使应用越来越广泛，不少地方取代双极型晶体管。
<img style="display: block; margin-left: auto; margin-right: auto;" src="https://oksht-mall.oss-cn-shenzhen.aliyuncs.com/images/2020-11-05/02506584582b44af87d53ed84bacc8a7-微信截图_20201105171313.png" alt="功率MOSFET管" width="264" height="238" />
　　功率MOSFET主要用于计算机外设(软、硬驱动器、打印机、绘图机)、电源(AC／DC变换器、DC／DC变换器)、汽车电子、音响电路及仪器、仪表等领域。 　　本文将介绍功率MOSFET的结构、工作原理及基本工作电路。 　　
什么是MOSFET
 　　&ldquo;MOSFET&rdquo;是英文MetalOxide SemICoductor Field Effect Transistor的缩写，译成中文是&ldquo;金属氧化物半导体场效应管&rdquo;。它是由金属、氧化物(SiO2或SiN)及半导体三种材料制成的器件。所谓功率MOSFET(Power MOSFET)是指它能输出较大的工作电流(几安到几十安)，用于功率输出级的器件。
MOSFET的结构 　　图1是典型平面N沟道增强型MOSFET的剖面图。它用一块P型硅半导体材料作衬底(图la)，在其面上扩散了两个N型区(图lb)，再在上面覆盖一层二氧化硅(SiQ2)绝缘层(图lc)，最后在N区上方用腐蚀的方法做成两个孔，用金属化的方法分别在绝缘层上及两个孔内做成三个电极：G(栅极)、S(源极)及D(漏极)，如图1d所示。 &nbsp;<a href="http://www.elecfans.com/yuanqijian/UploadPic/2009-11/20091179233369.gif" rel="lightbox-img"><img src="http://www.elecfans.com/yuanqijian/UploadPic/2009-11/20091179233369.gif" alt="\&quot;\&quot;" width="656" height="324" border="0" hspace="25" /></a> 　　从图1中可以看出栅极G与漏极D及源极S是绝缘的，D与S之间有两个PN结。一般情况下，衬底与源极在内部连接在一起。 　　图1是N沟道增强型MOSFET的基本结构图。为了改善某些参数的特性，如提高工作电流、提高工作电压、降低导通电阻、提高开关特性等有不同的结构及工艺，构成所谓VMOS、DMOS、TMOS等结构。图2是一种N沟道增强型功率MOSFET的结构图。虽然有不同的结构，但其工作原理是相同的，这里就不一一介绍了。 　　
MOSFET的工作原理
 　　要使增强型N沟道MOSFET工作，要在G、S之间加正电压VGS及在D、S之间加正电压VDS，则产生正向工作电流ID。改变VGS的电压可控制工作电流ID。如图3所示（上面&uarr;）。
 　　若先不接VGS(即VGS＝0)，在D与S极之间加一正电压VDS，漏极D与衬底之间的PN结处于反向，因此漏源之间不能导电。如果在栅极G与源极S之间加一电压VGS。此时可以将栅极与衬底看作电容器的两个极板，而氧化物绝缘层作为电容器的介质。当加上VGS时，在绝缘层和栅极界面上感应出正电荷，而在绝缘层和P型衬底界面上感应出负电荷(如图3)。这层感应的负电荷和P型衬底中的多数载流子(空穴)的极性相反，所以称为&ldquo;反型层&rdquo;，这反型层有可能将漏与源的两N型区连接起来形成导电沟道。
&nbsp; &nbsp; &nbsp; 当VGS电压太低时，感应出来的负电荷较少，它将被P型衬底中的空穴中和，因此在这种情况时，漏源之间仍然无电流ID。当VGS增加到一定值时，其感应的负电荷把两个分离的N区沟通形成N沟道，这个临界电压称为开启电压(或称阈值电压、门限电压)，用符号VT表示(一般规定在ID＝10uA时的VGS作为VT)。当VGS继续增大，负电荷增加，导电沟道扩大，电阻降低，ID也随之增加，并且呈较好线性关系，如图4所示。此曲线称为转换特性。因此在一定范围内可以认为，改变VGS来控制漏源之间的电阻，达到控制ID的作用。
<img style="display: block; margin-left: auto; margin-right: auto;" src="https://oksht-mall.oss-cn-shenzhen.aliyuncs.com/images/2020-11-05/bbf92ab7060e4b2ea5eeaef478a3b2a1-mceu_43518310271604566527032.png" />
&nbsp; 　　由于这种结构在VGS＝0时，ID＝0，称这种MOSFET为增强型。另一类MOSFET，在VGS＝0时也有一定的ID(称为IDSS)，这种MOSFET称为耗尽型。它的结构如图5所示，它的转移特性如图6所示。VP为夹断电压(ID＝0)。
 　　耗尽型与增强型主要区别是在制造SiO2绝缘层中有大量的正离子，使在P型衬底的界面上感应出较多的负电荷，即在两个N型区中间的P型硅内形成一N型硅薄层而形成一导电沟道，所以在VGS＝0时，有VDS作用时也有一定的ID(IDSS)；当VGS有电压时(可以是正电压或负电压)，改变感应的负电荷数量，从而改变ID的大小。VP为ID＝0时的-VGS，称为夹断电压。
 　　除了上述采用P型硅作衬底形成N型导电沟道的N沟道MOSFET外，也可用N型硅作衬底形成P型导电沟道的P沟道MOSFET。这样，MOSFET的分类如图7所示。 &nbsp; 　　耗尽型：N沟道(图7a)；P沟道(图c)； 　　增强型：N沟道（图b)；P沟道(图d)。
<img style="display: block; margin-left: auto; margin-right: auto;" src="https://oksht-mall.oss-cn-shenzhen.aliyuncs.com/images/2020-11-05/39665fc32b41455191a58b501a9345c0-mceu_391350637111604567441807.png" />
&nbsp;　　为防止MOSFET接电感负载时，在截止瞬间产生感应电压与电源电压之和击穿MOSFET，一般功率MOSFET在漏极与源极之间内接一个快速恢复二极管，如图8所示。
&nbsp;
功率MOSFET的特点
 　　功率MOSFET与双极型功率相比具有如下特点： 　　1．MOSFET是电压控制型器件(双极型是电流控制型器件)，因此在驱动大电流时无需推动级，电路较简单； 　　2．输入阻抗高，可达108&Omega;以上； 　　3．工作频率范围宽，开关速度高(开关时间为几十纳秒到几百纳秒)，开关损耗小； 　　4．有较优良的线性区，并且MOSFET的输入电容比双极型的输入电容小得多，所以它的交流输入阻抗极高；噪声也小，最合适制作HI-FI音响； 　　5．功率MOSFET可以多个并联使用，增加输出电流而无需均流电阻。 　　
典型应用电路 &nbsp;<a href="http://www.elecfans.com/yuanqijian/UploadPic/2009-11/20091179234622.gif" rel="lightbox-img"><img style="display: block; margin-left: auto; margin-right: auto;" src="http://www.elecfans.com/yuanqijian/UploadPic/2009-11/20091179234622.gif" alt="\&quot;\&quot;" width="234" height="155" border="0" hspace="15" /></a> 　　1．电池反接保护电路 　　 电池反接保护电路如图9所示。
<img style="display: block; margin-left: auto; margin-right: auto;" src="https://oksht-mall.oss-cn-shenzhen.aliyuncs.com/images/2020-11-05/b74d65e471094fab900ec2b5a530fc5b-mceu_851529705101604567369170.png" />
一般防止电池接反损坏电路采用串接二极管的方法，在电池接反时，PN结反接无电压降，但在正常工 作时有0.6～0.7V的管压降。采用导通电阻低的增强型N沟道MOSFET具有极小的管压降(RDS(ON)&times;ID)，如Si9410DY的RDS(ON）约为0.04&Omega;，则在lA时约为0.04V。这时要注意在电池正确安装时，ID并非完全通过管内的二极管，而是在VGS&ge;5V时，N导电沟道畅通(它相当于一个极小的电阻)而大部分电流是从S流向D的(ID为负)。而当电池装反时，MOSFET不通，电路得以保护。 　　2．触摸调光电路 　　一种简单的触摸调光电路如图10。当手指触摸上触头时，电容经手指电阻及100k充电，VGS渐增大，灯渐亮；当触摸下触头时，电容经 100k及手指电阻放电，灯渐暗到灭。 　　3．甲类功率放大电路 　　由R1、R2建立VGS静态工作点(此时有一定的ID流过)。当音频信号经过C1耦合到栅极，使产生-△VGS，则产生较大的△ID，经输出变压器阻抗匹配，使4～8&Omega;喇叭输出较大的声功率。图ll中Dw为9V稳压二极管，是保护G、S极以免输入过高电压而击穿。从图中也可以看出，偏置电阻的数值较大，因为栅极输入阻抗极高，并且无栅流。

自1976年开发出功率MOSFET以来，由于半导体工艺技术的发展，它的性能不断提高：如高压功率MOSFET其工作电压可达1000V；低导通电阻MOSFET其阻值仅lOmΩ；工作频率范围从直流到达数兆赫；

功率MOSFET管是什么？

单结晶体管（简称UJT）又称基极二极管，它是一种只有一个PN结和两个电阻接触电极的半导体器件，它的基片为条状的高阻N型硅片，两端分别用欧姆接触引出两个基极b1和b2。在硅片中间略偏b2一侧用合金法制作一个P区作为发射极e。其结构、符号和等效电呼如图1所示。 
<a href="http://www.elecfans.com/yuanqijian/UploadPic/2009-11/200911792557257.gif" rel="lightbox-img"><img style="display: block; margin-left: auto; margin-right: auto;" src="http://www.elecfans.com/yuanqijian/UploadPic/2009-11/200911792557257.gif" width="333" height="106" /></a>
图1、单结晶体管
 一、单结晶体管的特性 从图1可以看出，两基极b1与b2之间的电阻称为基极电阻： rbb=rb1+rb2 式中：rb1----第一基极与发射结之间的电阻，其数值随发射极电流ie而变化，rb2为第二基极与发射结之间的电阻，其数值与ie无关；发射结是PN结，与二极管等效。 若在两面三刀基极b2、b1间加上正电压Vbb，则A点电压为： VA=[rb1/(rb1+rb2)]vbb=(rb1/rbb)vbb=&eta;Vbb 式中：&eta;----称为分压比，其值一般在0.3---0.85之间，如果发射极电压VE由零逐渐增加，就可测得单结晶体管的伏安特性，见图2
<a href="http://www.elecfans.com/yuanqijian/UploadPic/2009-11/200911792557575.gif" rel="lightbox-img"><img style="display: block; margin-left: auto; margin-right: auto;" src="http://www.elecfans.com/yuanqijian/UploadPic/2009-11/200911792557575.gif" width="139" height="117" /></a>图2、单结晶体管的伏安特性 
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（1）当Ve＜&eta; Vbb时，发射结处于反向偏置，管子截止，发射极只有很小的漏电流ICeo。 （2）当Ve&ge;&eta; Vbb+VD VD为二极管正向压降（约为0.7伏），PN结正向导通，Ie显著增加，rb1阻值迅速减小，Ve相应下降，这种电压随电流增加反而下降的特性，称为负阻特性。管子由截止区进入负阻区的临界P称为峰点，与其对就的发射极电压和电流，分别称为峰点电压Vp和峰点电流Ip和峰点电流Ip。Ip是正向漏电流，它是使单结晶体管导通所需的最小电流，显然Vp=&eta;Vbb （3）随着发射极电流ie不断上升，Ve不断下降，降到V点后，Ve不在降了，这点V称为谷点，与其对应的发射极电压和电流，称为谷点电压，Vv和谷点电流Iv。 （4）过了V点后，发射极与第一基极间半导体内的载流子达到了饱和状态，所以uc继续增加时，ie便缓慢地上升，显然Vv是维持单结晶体管导通的最小发射极电压，如果Ve＜Vv，管子重新截止。 &nbsp; 二、单结晶体管的主要参数 （1）基极间电阻Rbb 发射极开路时，基极b1、b2之间的电阻，一般为2--10千欧，其数值随温度上升而增大。 （2）分压比&eta; 由管子内部结构决定的常数，一般为0.3--0.85。 （3）eb1间反向电压Vcb1 b2开路，在额定反向电压Vcb2下，基极b1与发射极e之间的反向耐压。 （4）反向电流Ieo b1开路，在额定反向电压Vcb2下，eb2间的反向电流。 （5）发射极饱和压降Veo 在最大发射极额定电流时，eb1间的压降。 （6）峰点电流Ip 单结晶体管刚开始导通时，发射极电压为峰点电压时的发射极电流。

单结晶体管（简称UJT）又称基极二极管，它是一种只有一个PN结和两个电阻接触电极的半导体器件，它的基片为条状的高阻N型硅片，两端分别用欧姆接触引出两个基极b1和b2。

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