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PJSEMI(平晶微)

PJSEMI(平晶微)

东莞平晶微电子科技有限公司成立于2016年,位于广东省东莞市,是一家专注于半导体分立器件和集成电路封装测试的企业。公司致力于提供高品质、高可靠性的电子元器件,产品涵盖各类场效应管、低压差线性稳压器、二极管、晶体管等。平晶微电子凭借先进的生产设备和自主研发能力,逐步建立起完整的分立器件解决方案,满足电源、家电、照明、安防等多个行业的需求。公司在全国范围内设有多个销售和服务中心,以确保为客户提供及时的支持与服务。随着市场需求的不断增长,平晶微电子正积极拓展产品线,努力向更高端的技术领域迈进。

品牌产品
类目
  • 线性稳压器(LDO)
  • 场效应管(MOSFET)
  • 三极管(BJT)
  • 电压基准芯片
  • 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
  • 数字晶体管
  • 运算放大器
  • 开关二极管
  • 肖特基二极管
  • 电池管理
  • 达林顿管
  • 音频功率放大器
  • LED驱动
  • 稳压二极管
  • 比较器
  • DC-DC电源芯片
  • 线性霍尔传感器
  • 快充协议芯片
  • USB转换芯片
  • 晶闸管(可控硅)/模块
封装
  • SOT-23
  • SOT-89
  • SOT-23-3
  • SOT-23-5
  • SOT-23-6
  • SOT-89-3
  • PDFN-8L(3X3)
  • PDFN-8L(5X6)
  • TO-252
  • DFN1X0.6-2L
  • SOP-8
  • DFN-3L(1X0.6)
  • DFN2X2A-6L
  • SOT-223
  • SOT89-3
  • DFN2X2-6L
  • DFN1006-2L
  • SOD-323
  • DFN-2L(1X0.6)
  • DFN-4L(1X1)
  • SOD-123W
  • SOD-323W
  • SOIC-8
  • SOT-323
  • SOT-89-5
  • TO-220F
  • DFN-6L-EP(2X2)
  • DFN1X0.6-3L
  • DFN1X1-4L
  • DFN3_1X0.6MM_EP
  • SMAF
型号/品牌参数/描述库存批次价格阶梯(含税)数量操作
PJL4115SR 产品实物图片
自营PJL4115SR复制
品牌:PJSEMI(平晶微)复制
封装:SOT-89-5复制
类目:LED驱动
12领取
工作电压(DC)6V~30V复制
开关频率1MHz复制
通道数1复制
输出电流1A复制
描述:降压型恒流LED驱动,输入电压范围:8-30V,输出电流:1.5A(Max) , 支持PWM及模拟调光复制
库存:5复制
最小包 : 1000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次:25+
1+0.763
1000+0.703
量大可议价
合计0.76
现在下单最快1小时发货
PJMG10H13PSQ 产品实物图片
品牌:PJSEMI(平晶微)复制
封装:SOT-89复制
12领取
数量1个P沟道复制
漏源电压(Vdss)100V复制
连续漏极电流(Id)13A复制
导通电阻(RDS(on))165mΩ@4.5V复制
描述:SGT屏蔽栅沟槽型,P沟道,VDS=-100V ID=-13A ,PD:1.35W RDS(ON)<150mΩ@Vgs=-10V,复制
库存:5复制
最小包 : 1000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次:25+
1+1.38
1000+1.28
量大可议价
合计1.38
现在下单最快1小时发货
13003SQ 产品实物图片
自营13003SQ复制
品牌:PJSEMI(平晶微)复制
封装:SOT-89复制
12领取
晶体管类型NPN复制
集电极电流(Ic)1.5A复制
集射极击穿电压(Vceo)430V复制
耗散功率(Pd)800mW复制
描述:NPN,三极管 VCEO:430V,IC:1.5A,PD:0.8W复制
库存:0复制
最小包 : 1000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
-
1+0.224
1000+0.201
量大可议价
合计0.22
LMV321 产品实物图片
自营LMV321复制
品牌:PJSEMI(平晶微)复制
封装:SOT-23-5复制
12领取
放大器数1复制
最大电源宽度(Vdd-Vss)7.5V复制
轨到轨轨到轨输入,轨到轨输出复制
增益带宽积(GBW)1.5MHz复制
描述:运算放大器 800uV 单路 10pA 1MHz SOT-23-5复制
库存:0复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
-
1+0.347
3000+0.324
量大可议价
合计0.35
FMMT593 产品实物图片
FMMT593复制
品牌:PJSEMI(平晶微)复制
封装:SOT-23复制
晶体管类型PNP复制
集电极电流(Ic)1A复制
集射极击穿电压(Vceo)100V复制
耗散功率(Pd)250mW复制
描述:三极管(BJT) 250mW 100V 1A PNP SOT-23复制
库存:35126复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 10复制
增量 : 10复制
无法确认批次
10+0.267544
100+0.21412
300+0.187408
3000+0.143206
6000+0.1272
9000+0.119144
合计2.68
2-5 工作日内发货

数据4小时前更新

PJM10H01PSA 产品实物图片
品牌:PJSEMI(平晶微)复制
封装:SOT-23复制
数量1个P沟道复制
漏源电压(Vdss)100V复制
连续漏极电流(Id)1A复制
导通电阻(RDS(on))650mΩ@10V复制
描述:场效应管(MOSFET) 500mW 100V 1A 1个P沟道复制
库存:31728复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 20复制
增量 : 20复制
RoHS
无法确认批次
20+0.482088
200+0.390504
600+0.344712
3000+0.284822
9000+0.257368
21000+0.243694
合计9.64
2-5 工作日内发货

数据4小时前更新

ESDU5V0ADF 产品实物图片
品牌:PJSEMI(平晶微)复制
封装:DFN1x0.6-2L复制
极性单向复制
反向截止电压(Vrwm)5V复制
钳位电压25V复制
峰值脉冲电流(Ipp)10A@8/20us复制
描述:8KV接触, 15KV空隙放电复制
库存:23600复制
最小包 : 10000复制
起订量 : 50复制
增量 : 50复制
RoHS
无法确认批次
50+0.053869
500+0.046746
1500+0.042739
10000+0.038478
20000+0.036379
50000+0.035298
合计2.69
2-5 工作日内发货

数据5小时前更新

1N5819WS 产品实物图片
1N5819WS复制
品牌:PJSEMI(平晶微)复制
封装:SOD-323复制
二极管配置独立式复制
正向压降(Vf)600mV@1A复制
直流反向耐压(Vr)40V复制
整流电流1A复制
描述:肖特基二极管 独立式 600mV@1A 40V 1A SOD-323复制
库存:21856复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 20复制
增量 : 20复制
RoHS
无法确认批次
20+0.21889
200+0.174794
600+0.150308
3000+0.135044
9000+0.122324
21000+0.11554
合计4.38
2-5 工作日内发货

数据4小时前更新

MMBT5551 产品实物图片
MMBT5551复制
品牌:PJSEMI(平晶微)复制
封装:SOT-23复制
别名:MMBT5551 H复制
晶体管类型NPN复制
集电极电流(Ic)600mA复制
集射极击穿电压(Vceo)160V复制
耗散功率(Pd)350mW复制
描述:开关二极管 独立式 SOT-23复制
库存:14040复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 50复制
增量 : 50复制
无法确认批次
50+0.111618
500+0.087556
3000+0.071444
6000+0.063388
24000+0.056498
51000+0.052682
合计5.58
2-5 工作日内发货

数据4小时前更新

MMBT8050D 产品实物图片
MMBT8050D复制
品牌:PJSEMI(平晶微)复制
封装:SOT-23复制
晶体管类型NPN复制
集电极电流(Ic)600mA复制
集射极击穿电压(Vceo)25V复制
耗散功率(Pd)350mW复制
描述:三极管(BJT) 350mW 25V 600mA PNP SOT-23复制
库存:11360复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 50复制
增量 : 50复制
无法确认批次
50+0.124444
500+0.099216
3000+0.080136
6000+0.071762
24000+0.064448
51000+0.060526
合计6.22
2-5 工作日内发货

数据4小时前更新

PJ75AL50SA 产品实物图片
品牌:PJSEMI(平晶微)复制
封装:SOT-23复制
输出极性正极复制
工作电压36V复制
输出电压5V复制
输出电流100mA复制
描述:线性稳压器(LDO) 固定 36V 150mA 5V SOT-23复制
库存:10776复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 10复制
增量 : 10复制
无法确认批次
10+0.442338
100+0.352238
300+0.307188
3000+0.272844
6000+0.245814
9000+0.232246
合计4.42
2-5 工作日内发货

数据3小时前更新

PJM2300NSA 产品实物图片
品牌:PJSEMI(平晶微)复制
封装:SOT-23复制
数量1个N沟道复制
漏源电压(Vdss)20V复制
连续漏极电流(Id)4.5A复制
导通电阻(RDS(on))70mΩ@1.8V复制
描述:场效应管(MOSFET) 350mW 20V 4.5A 1个N沟道 SOT-23复制
库存:10752复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 20复制
增量 : 20复制
无法确认批次
20+0.086941
200+0.075493
600+0.069133
3000+0.065317
9000+0.06201
21000+0.060229
合计1.74
2-5 工作日内发货

数据4小时前更新

PJM01P20KDC 产品实物图片
品牌:PJSEMI(平晶微)复制
封装:DFN1X0.6-3L复制
类目:-
复制
描述:场效应管(MOSFET) PJM01P20KDC DFN1X0.6-3L复制
库存:9700复制
最小包 : 10000复制
起订量 : 50复制
增量 : 50复制
无法确认批次
50+0.101115
500+0.091004
5000+0.084263
10000+0.080892
30000+0.077522
50000+0.075499
合计5.06
2-3 工作日内发货

数据15小时前更新

PJM05P40SA 产品实物图片
品牌:PJSEMI(平晶微)复制
封装:SOT-23复制
数量1个P沟道复制
漏源电压(Vdss)40V复制
连续漏极电流(Id)5A复制
导通电阻(RDS(on))117mΩ@4.5V复制
描述:场效应管(MOSFET) 1.2W 40V 5A 1个P沟道 SOT-23复制
库存:9328复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 10复制
增量 : 10复制
无法确认批次
10+0.339412
100+0.305492
300+0.288532
3000+0.275812
6000+0.265636
9000+0.260548
合计3.39
2-5 工作日内发货

数据4小时前更新

BZX884B12 产品实物图片
BZX884B12复制
品牌:PJSEMI(平晶微)复制
封装:DFN-2L(1x0.6)复制
复制
二极管配置1个独立式复制
稳压值(标称值)12V复制
反向电流(Ir)100nA@8V复制
稳压值(范围)11.76V~12.24V复制
描述:-
库存:8500复制
最小包 : 10000复制
起订量 : 20复制
增量 : 20复制
无法确认批次
20+0.181366
200+0.141298
600+0.119038
2000+0.105682
10000+0.094022
合计3.63
2-5 工作日内发货

数据4小时前更新

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