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乐山无线电股份有限公司

乐山无线电股份有限公司

乐山无线电股份有限公司(简称LRC)成立于1971年,位于中国四川省乐山市,是一家专注于半导体器件设计、制造与销售的大型电子企业。公司起源于乐山无线电厂,经过多年的发展,已成为中国最大的分立半导体器件制造基地之一。LRC致力于为全球客户提供高质量的电子元件,产品涵盖二极管、三极管、集成电路等多个领域。公司拥有强大的研发团队和先进的生产设备,确保产品在技术上保持领先地位。乐山无线电股份有限公司在改革开放以来迅速成长,曾多次被评为中国电子信息百强企业,并获得多个行业奖项和认证,如ISO9001和ISO14001等。未来,公司将继续以创新为驱动,努力实现全球化发展目标。

分类 :
全部稳压二极管二极管三极管(BJT)肖特基二极管场效应管(MOSFET)开关二极管数字晶体管静电放电(ESD)保护器件通用二极管整流桥电压基准芯片线性稳压器(LDO)电容贴片电阻快恢复/超快恢复二极管电源管理(PMIC)达林顿晶体管阵列运算放大器比较器板级电路保护光电二极管瞬态抑制二极管(TVS)
型号/品牌参数/描述库存批次价格阶梯(含税)数量操作
LBAT54SLT1G 产品实物图片
品牌:LRC(乐山无线电)复制
封装:SOT-23复制
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正向压降(Vf)400mV复制
直流反向耐压(Vr)30V复制
整流电流200mA复制
反向电流(Ir)2uA复制
描述:肖特基二极管 400mV 30V 2uA 200mA复制
库存:1817996复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
1+0.0546
3000+0.0434
量大可议价
合计0.05
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LMBT3904LT1G 产品实物图片
品牌:LRC(乐山无线电)复制
封装:SOT23复制
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晶体管类型NPN复制
集电极电流(Ic)200mA复制
集射极击穿电压(Vceo)40V复制
耗散功率(Pd)300mW复制
描述:三极管(BJT) 225mW 40V 200mA NPN复制
库存:1542672复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
1+0.0328
3000+0.026
量大可议价
合计0.03
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L2N7002LT1G 产品实物图片
品牌:LRC(乐山无线电)复制
封装:SOT-23(SOT-23-3)复制
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数量1个N沟道复制
漏源电压(Vdss)60V复制
连续漏极电流(Id)115mA复制
导通电阻(RDS(on))1.4Ω@10V复制
描述:场效应管(MOSFET) 300mW 60V 115mA 1个N沟道复制
库存:786521复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
1+0.0472
3000+0.0375
量大可议价
合计0.05
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LRB521CS-30T5G 产品实物图片
品牌:LRC(乐山无线电)复制
封装:SOD-923复制
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正向压降(Vf)350mV复制
直流反向耐压(Vr)30V复制
整流电流100mA复制
反向电流(Ir)10uA复制
描述:肖特基二极管 350mV 30V 10uA 100mA复制
库存:717865复制
最小包 : 8000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
1+0.0671
8000+0.055
量大可议价
合计0.07
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LMBT3906LT1G 产品实物图片
品牌:LRC(乐山无线电)复制
封装:SOT-23(SOT-23-3)复制
复制
晶体管类型PNP复制
集电极电流(Ic)200mA复制
集射极击穿电压(Vceo)40V复制
耗散功率(Pd)300mW复制
描述:三极管(BJT) 225mW 40V 200mA PNP复制
库存:711985复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
1+0.0277
3000+0.022
量大可议价
合计0.03
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LESD5Z3.3T1G 产品实物图片
品牌:LRC(乐山无线电)复制
封装:SOD-523复制
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极性单向复制
反向截止电压(Vrwm)3.3V复制
钳位电压14.1V复制
峰值脉冲电流(Ipp)11.2A@8/20us复制
描述:ESD二极管复制
库存:556299复制
最小包 : 5000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
1+0.0501
5000+0.041
量大可议价
合计0.05
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LMBT5401LT1G 产品实物图片
品牌:LRC(乐山无线电)复制
封装:SOT-23(SOT-23-3)复制
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晶体管类型PNP复制
集电极电流(Ic)500mA复制
集射极击穿电压(Vceo)150V复制
耗散功率(Pd)300mW复制
描述:三极管(BJT) 225mW 150V 500mA PNP复制
库存:366087复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
1+0.0397
3000+0.0315
量大可议价
合计0.04
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L2N7002KLT1G 产品实物图片
品牌:LRC(乐山无线电)复制
封装:SOT-23(SOT-23-3)复制
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数量1个N沟道复制
漏源电压(Vdss)60V复制
连续漏极电流(Id)380mA复制
导通电阻(RDS(on))2.3Ω@10V复制
描述:场效应管(MOSFET) 300mW 60V 320mA 1个N沟道复制
库存:365414复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
1+0.0641
3000+0.0509
量大可议价
合计0.06
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LMBT5551LT1G 产品实物图片
品牌:LRC(乐山无线电)复制
封装:SOT-23复制
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晶体管类型NPN复制
集电极电流(Ic)600mA复制
集射极击穿电压(Vceo)160V复制
耗散功率(Pd)225mW复制
描述:三极管(BJT) 225mW 160V 600mA NPN复制
库存:341511复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
1+0.0377
3000+0.0299
量大可议价
合计0.04
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LMBT4401LT1G 产品实物图片
品牌:LRC(乐山无线电)复制
封装:SOT-23(SOT-23-3)复制
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晶体管类型NPN复制
集电极电流(Ic)600mA复制
集射极击穿电压(Vceo)40V复制
耗散功率(Pd)225mW复制
描述:三极管(BJT) 225mW 40V 600mA NPN复制
库存:335554复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
1+0.0441
3000+0.035
量大可议价
合计0.04
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LBSS84LT1G 产品实物图片
品牌:LRC(乐山无线电)复制
封装:SOT-23(SOT-23-3)复制
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数量1个P沟道复制
漏源电压(Vdss)50V复制
连续漏极电流(Id)130mA复制
导通电阻(RDS(on))10Ω@5V,100mA复制
描述:场效应管(MOSFET) 225mW 50V 130mA 1个P沟道复制
库存:315440复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
1+0.0634
3000+0.0503
量大可议价
合计0.06
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LBAV99LT1G 产品实物图片
品牌:LRC(乐山无线电)复制
封装:SOT-23(SOT-23-3)复制
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二极管配置1对串联式复制
正向压降(Vf)1.25V@150mA复制
直流反向耐压(Vr)75V复制
整流电流215mA复制
描述:开关二极管 1对串联式 1.25V 100V 215mA复制
库存:302229复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
1+0.0408
3000+0.0324
量大可议价
合计0.04
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EFM104 产品实物图片
自营EFM104复制
品牌:LRC(乐山无线电)复制
封装:SMA复制
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正向压降(Vf)950mV复制
直流反向耐压(Vr)200V复制
整流电流1A复制
反向电流(Ir)5uA复制
描述:整流二极管复制
库存:285461复制
最小包 : 7500复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
1+0.0873
7500+0.0716
量大可议价
合计0.09
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1N4007A 产品实物图片
自营1N4007A复制
品牌:LRC(乐山无线电)复制
封装:DO-41复制
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二极管配置1个独立式复制
直流反向耐压(Vr)1kV复制
整流电流1A复制
非重复峰值浪涌电流 (Ifsm)30A复制
描述:通用二极管 1N4007A复制
库存:256722复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
1+0.0731
3000+0.058
量大可议价
合计0.07
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LBSS138LT1G 产品实物图片
品牌:LRC(乐山无线电)复制
封装:SOT-23(SOT-23-3)复制
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数量1个N沟道复制
漏源电压(Vdss)50V复制
连续漏极电流(Id)200mA复制
导通电阻(RDS(on))3.5Ω@5.0V,200mA复制
描述:场效应管(MOSFET) 225mW 50V 200mA 1个N沟道复制
库存:251249复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
1+0.0602
3000+0.0478
量大可议价
合计0.06
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