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乐山无线电股份有限公司

乐山无线电股份有限公司(简称LRC)成立于1971年,位于中国四川省乐山市,是一家专注于半导体器件设计、制造与销售的大型电子企业。公司起源于乐山无线电厂,经过多年的发展,已成为中国最大的分立半导体器件制造基地之一。LRC致力于为全球客户提供高质量的电子元件,产品涵盖二极管、三极管、集成电路等多个领域。公司拥有强大的研发团队和先进的生产设备,确保产品在技术上保持领先地位。乐山无线电股份有限公司在改革开放以来迅速成长,曾多次被评为中国电子信息百强企业,并获得多个行业奖项和认证,如ISO9001和ISO14001等。未来,公司将继续以创新为驱动,努力实现全球化发展目标。

分类 :
全部稳压二极管三极管(BJT)二极管肖特基二极管场效应管(MOSFET)数字晶体管静电放电(ESD)保护器件开关二极管通用二极管整流桥电压基准芯片电容线性稳压器(LDO)快恢复/超快恢复二极管贴片电阻电源管理(PMIC)贴片电感板级电路保护光电二极管ESD二极管
型号/品牌参数/描述库存/批次价格阶梯(含税)数量操作
LMBT3904LT1G 产品实物图片
封装:SOT23
手册:-
晶体管类型NPN
集电极电流(Ic)200mA
集射极击穿电压(Vceo)40V
功率(Pd)300mW
描述:三极管(BJT) 225mW 40V 200mA NPN SOT-23
库存:904883
批次 : 25+
最小包 : 3000
起订量 : 1
增量 : 1
1+0.0264
3000+0.021
45000+
量大可议价
合计:0.03
LBAT54CLT1G 产品实物图片
封装:SOT-23
手册:-
正向压降(Vf)400mV
直流反向耐压(Vr)30V
整流电流200mA
反向电流(Ir)2uA
描述:肖特基二极管 400mV 30V 2uA 200mA SOT-23
库存:459172
批次 : 25+
最小包 : 3000
起订量 : 1
增量 : 1
1+0.0453
3000+0.036
30000+
量大可议价
合计:0.05
LBSS138LT1G 产品实物图片
封装:SOT-23(SOT-23-3)
手册:-
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)50V
连续漏极电流(Id)200mA
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)3.5Ω@5.0V,200mA
描述:场效应管(MOSFET) 225mW 50V 200mA 1个N沟道 SOT-23
库存:308892
批次 : 25+
最小包 : 3000
起订量 : 1
增量 : 1
1+0.0592
3000+0.047
45000+
量大可议价
合计:0.06
L2N7002LT1G 产品实物图片
封装:SOT-23(SOT-23-3)
手册:-
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)115mA
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)1.4Ω@10V,500mA
描述:场效应管(MOSFET) 300mW 60V 115mA 1个N沟道 SOT-23
库存:243716
批次 : 25+
最小包 : 3000
起订量 : 1
增量 : 1
1+0.0467
3000+0.037
45000+
量大可议价
合计:0.05
LBSS84LT1G 产品实物图片
封装:SOT-23(SOT-23-3)
手册:-
类型1个P沟道
漏源电压(Vdss)50V
连续漏极电流(Id)130mA
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)10Ω@5V,100mA
描述:场效应管(MOSFET) 225mW 50V 130mA 1个P沟道 SOT-23
库存:210081
批次 : 25+
最小包 : 3000
起订量 : 1
增量 : 1
1+0.0655
3000+0.052
30000+
量大可议价
合计:0.07
LBAT54HT1G 产品实物图片
封装:SOD-323
手册:-
正向压降(Vf)400mV
直流反向耐压(Vr)30V
整流电流200mA
反向电流(Ir)2uA
描述:肖特基二极管 400mV 30V 2uA 200mA SOD-323
库存:170885
批次 : 25+
最小包 : 3000
起订量 : 1
增量 : 1
1+0.0492
3000+0.039
30000+
量大可议价
合计:0.05
LRB520S-30T1G 产品实物图片
封装:SOD-523
手册:-
描述:肖特基二极管 600mV 30V 1uA 200mA SOD-523
库存:163409
批次 : 25+
最小包 : 3000
起订量 : 1
增量 : 1
1+0.0446
3000+0.0354
45000+
量大可议价
合计:0.04
LR431ATLT1G 产品实物图片
封装:SOT-23
手册:-
输出类型可调
输出电压2.5V~36V
输出电流100mA
最小阴极电流调节100uA
描述:电压基准芯片 可编程 100mA 100uA 2.5V~36V SOT-23
库存:140260
批次 : 25+
最小包 : 3000
起订量 : 1
增量 : 1
1+0.124
3000+0.11
30000+
量大可议价
合计:0.12
LESD5Z5.0CT1G 产品实物图片
封装:SOD-523
手册:-
极性双向
反向截止电压(Vrwm)5V
最大钳位电压18.6V
峰值脉冲电流(Ipp)9.4A
描述:ESD二极管 esd保护二极管,5v,sod523
库存:120655
批次 : 25+
最小包 : 3000
起订量 : 1
增量 : 1
1+0.0492
3000+0.039
45000+
量大可议价
合计:0.05
LBAT54SLT1G 产品实物图片
封装:SOT-23
手册:-
正向压降(Vf)400mV
直流反向耐压(Vr)30V
整流电流200mA
反向电流(Ir)2uA
描述:肖特基二极管 400mV 30V 2uA 200mA SOT-23
库存:103002
批次 : 25+
最小包 : 3000
起订量 : 1
增量 : 1
1+0.0463
3000+0.0368
45000+
量大可议价
合计:0.05
LMBT5401LT1G 产品实物图片
封装:SOT-23(SOT-23-3)
手册:-
晶体管类型PNP
集电极电流(Ic)500mA
集射极击穿电压(Vceo)150V
功率(Pd)300mW
描述:三极管(BJT) 225mW 150V 500mA PNP SOT-23
库存:99796
批次 : 25+
最小包 : 3000
起订量 : 1
增量 : 1
1+0.0375
3000+0.0298
30000+
量大可议价
合计:0.04
SOD4007-SH 产品实物图片
封装:SOD-123F
手册:-
描述:通用二极管 独立式 1.1V 1kV 1A SOD-123FL
库存:92782
批次 : 2年内
最小包 : 3000
起订量 : 1
增量 : 1
1+0.0567
3000+0.045
30000+
量大可议价
合计:0.06
LMUN5313DW1T1G 产品实物图片
封装:SOT-363-6
手册:-
集射极击穿电压(Vceo)50V
集电极电流(Ic)100mA
功率(Pd)187mW
直流电流增益(hFE@Ic,Vce)80@5mA,10V
描述:数字晶体管 50V 100mA SOT-363-6
库存:90840
批次 : 25+
最小包 : 3000
起订量 : 1
增量 : 1
1+0.0844
3000+0.067
30000+
量大可议价
合计:0.08
LBC847BLT1G 产品实物图片
封装:SOT-23
手册:-
晶体管类型NPN
集电极电流(Ic)100mA
集射极击穿电压(Vceo)45V
功率(Pd)300mW
描述:三极管(BJT) 225mW 45V 100mA NPN SOT-23
库存:76590
批次 : 25+
最小包 : 3000
起订量 : 1
增量 : 1
1+0.0426
3000+0.0338
30000+
量大可议价
合计:0.04
S3MB 产品实物图片
自营S3MB
封装:SMB
手册:-
二极管配置独立式
正向压降(Vf)1.1V
直流反向耐压(Vr)1kV
整流电流3A
描述:通用二极管 独立式 1.1V 1kV 3A SMB
库存:62830
批次 : 2年内
最小包 : 3500
起订量 : 1
增量 : 1
1+0.158
3500+0.14
35000+
量大可议价
合计:0.16
LMUN5211T1G 产品实物图片
封装:SOT323
手册:-
集射极击穿电压(Vceo)50V
集电极电流(Ic)100mA
功率(Pd)202mW
直流电流增益(hFE@Ic,Vce)35@5.0mA,10V
描述:数字晶体管 202mW 50V 100mA 1个NPN-预偏置 SOT-323-3
库存:62650
批次 : 2年内
最小包 : 3000
起订量 : 1
增量 : 1
1+0.057
3000+0.0452
45000+
量大可议价
合计:0.06
L2N7002KLT1G 产品实物图片
封装:SOT-23(SOT-23-3)
手册:-
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)380mA
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)2.3Ω@10V
描述:场效应管(MOSFET) 300mW 60V 320mA 1个N沟道 SOT-23
库存:62163
批次 : 25+
最小包 : 3000
起订量 : 1
增量 : 1
1+0.0504
3000+0.04
45000+
量大可议价
合计:0.05
LBSS123LT1G 产品实物图片
封装:SOT-23(SOT-23-3)
手册:-
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)170mA
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)6Ω@10V,100mA
描述:场效应管(MOSFET) 225mW 100V 170mA 1个N沟道 SOT-23
库存:59786
批次 : 25+
最小包 : 3000
起订量 : 1
增量 : 1
1+0.0693
3000+0.055
45000+
量大可议价
合计:0.07
LMBT5551LT1G 产品实物图片
封装:SOT-23
手册:-
晶体管类型NPN
集电极电流(Ic)600mA
集射极击穿电压(Vceo)160V
功率(Pd)225mW
描述:三极管(BJT) 225mW 160V 600mA NPN SOT-23
库存:57435
批次 : 25+
最小包 : 3000
起订量 : 1
增量 : 1
1+0.0372
3000+0.0295
30000+
量大可议价
合计:0.04
LBAT54ALT1G 产品实物图片
封装:SOT-23
手册:-
正向压降(Vf)400mV
直流反向耐压(Vr)30V
整流电流200mA
反向电流(Ir)2uA
描述:肖特基二极管 400mV 30V 2uA 200mA SOT-23
库存:54868
批次 : 25+
最小包 : 3000
起订量 : 1
增量 : 1
1+0.0488
3000+0.0386
45000+
量大可议价
合计:0.05
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