LRC(乐山无线电)
品牌产品
类目：
- 稳压二极管
- 三极管(BJT)
- 肖特基二极管
- 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
- 场效应管(MOSFET)
- 通用二极管
- 数字晶体管
- 开关二极管
- 整流桥
- 线性稳压器(LDO)
- 电压基准芯片
- 快恢复/高效率二极管
- 达林顿管
- 达林顿晶体管阵列
- 运算放大器
- 监控和复位芯片
- 比较器
封装：
- SOT-23
- SOD-123
- SOD-323
- SOT-23(SOT-23-3)
- SOD-123FL
- SMA-FL
- SOD-523
- SOD-882
- SMB
- DO-214AC(SMA)
- SC-88
- SMA
- SC-70
- SC-89
- SOT-363
- DO-214AC
- SMC
- SOT-223
- SOT-323
- SOT-89
- SOT-883
- SOD-323HE
- GBU
- SOT23
- SMB(DO-214AA)
- SMB-FL
- SOT-23E
- DO-201AD
- TO-252
- SOT-723
- DO-41
- SIP-4P
- TO-277A
- SOD-923
- SMA(DO-214AC)
- SOP-8
- SOT-23-3
- SOT-323-3
- SOT-89-3
- DFN0603-D
- SOD-523(SC-79)
- SOD882
- DBS
- DFN5060-8B
- DO-15
- SC-70(SOT-323)
- SOD-123F
- SOT-23-5
- SOD323
- SOT-883-3
- ABS
- DFN3333-8A
- GBL
- SC-88(SOT-363)
- SMA-FL(DO-221AC)
- SOD-723
- SOP-16_150MIL
- SOT-23-6
- SOT-363(SC-88)
- DFN1610
- MBS
- SC-70(SC-70-3)
- SOT323
- TO-220
- CSMB
- DFN-8(3X3)
- DFN0603-2L
- DFN0603-DL
- DFN1610-2
- SC-70(SOT323)
- SC70
- SC89
- SMAFL
- SMF(SOD-123FL)
- SOD123-FL
- SOT-23(TO-236AB)
- SOT-23LC
- STSB
- TSOP-6
- 3PB
- DFN 2020-6S
- DFN-2510
- DFN0603
- DFN2018-6A
- DFN2020-6D
- DFN2020-6S
- DFN2510
- DFN3030-8B
- SC-70(SOD-523)
- SC-88A
- SO-8
- SOD523
- SOT-223-4
- SOT-23(TO-236)
- SOT-323(SC-70)
- SOT– 323 (SC-70)
- STD-750
- TO-252-2(DPAK)
- U-DFN2020-6
- AEC-Q101
- D5
- DFN-8(5X6)
- DFN-8B(3X3)
- DFN1608-2
- DFN2020-3(2X2)
- DFN2020MD-6
- DFN2510-10
- DO-214AA(SMB)
- DO-214AB(SMC)
- DO-214AC (SMA)
- KBP
- SC-70-3
- SMC(DO-214AB)
- SOD323(SC-76)
- SOD882D
- SOT-26
- SOT89
- SOT– 323
- U-DFN2020-6D
- X1-SON-2(0.6X1)
- XDFN-4-EP(1X1)
- DB
- DFN-2(0.8X1.6)
- DFN-4(1X1)
- DFN-4A-EP(1X1)
- DFN0603-2
- DFN1006-2(SOD-882)
- DFN1608
- DFN1X1-4
- DO-214AA
- DO-214AB
- SC-76
- SC70(SOT-323)
- SC88
- SMD
- SOD-882B
- SOD323HE
- SOIC-8
- SOP-16
- SOT-123FL
- SOT-223-3
- SOT-363-6
- SOT-723-3
- SOT223
- SOT23(TO-236)
- SOT23-5
- SOT26
- SOT363
- TO-236
- TSB
- WSON-6-EP(2X2)
- X3-DFN0603
- 插件
型号/品牌参数/描述库存批次价格阶梯(含税)数量操作
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数量：1个N沟道复制
漏源电压(Vdss)：60V复制
连续漏极电流(Id)：115mA复制
导通电阻(RDS(on))：1.4Ω@10V复制
描述：场效应管(MOSFET) 300mW 60V 115mA 1个N沟道复制库存：1080031复制
最小包 : 3000复制
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3000+￥0.0401
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二极管配置：1个独立式复制
正向压降(Vf)：600mV复制
直流反向耐压(Vr)：30V复制
整流电流：200mA复制
描述：肖特基二极管 600mV 30V 1uA 200mA复制库存：915113复制
最小包 : 5000复制
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5000+￥0.042
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晶体管类型：NPN+PNP复制
集电极电流(Ic)：200mA复制
集射极击穿电压(Vceo)：40V复制
耗散功率(Pd)：150mW复制
描述：三极管(BJT) 150mW 40V 200mA NPN+PNP复制库存：906079复制
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数量：1个N沟道复制
漏源电压(Vdss)：60V复制
连续漏极电流(Id)：380mA复制
导通电阻(RDS(on))：2.8Ω@10V复制
描述：场效应管(MOSFET) 300mW 60V 320mA 1个N沟道复制库存：842262复制
最小包 : 3000复制
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数量：1个N沟道复制
漏源电压(Vdss)：60V复制
连续漏极电流(Id)：380mA复制
导通电阻(RDS(on))：2.3Ω@10V复制
描述：场效应管(MOSFET) 300mW 60V 320mA 1个N沟道复制库存：639035复制
最小包 : 3000复制
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二极管配置：1对串联式复制
耗散功率(Pd)：225mW复制
整流电流：215mA复制
直流反向耐压(Vr)：75V复制
描述：开关二极管 1对串联式 1.25V 100V 215mA复制库存：548148复制
最小包 : 3000复制
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3000+￥0.0428
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晶体管类型：NPN复制
集电极电流(Ic)：500mA复制
集射极击穿电压(Vceo)：45V复制
耗散功率(Pd)：300mW复制
描述：三极管(BJT) 225mW 45V 500mA NPN复制库存：479127复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
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批次：26+
1+￥0.0643
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二极管配置：1对串联式复制
正向压降(Vf)：400mV复制
直流反向耐压(Vr)：30V复制
整流电流：200mA复制
描述：肖特基二极管 400mV 30V 2uA 200mA复制库存：452257复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
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批次：26+
1+￥0.0467
3000+￥0.0371
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数量：1个N沟道复制
漏源电压(Vdss)：50V复制
连续漏极电流(Id)：200mA复制
导通电阻(RDS(on))：3.5Ω@5V复制
描述：场效应管(MOSFET) 225mW 50V 200mA 1个N沟道复制库存：418111复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
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批次：26+
1+￥0.0592
3000+￥0.047
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晶体管类型：NPN复制
集电极电流(Ic)：600mA复制
集射极击穿电压(Vceo)：160V复制
耗散功率(Pd)：225mW复制
描述：三极管(BJT) 225mW 160V 600mA NPN复制库存：415150复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
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批次：26+
1+￥0.0585
3000+￥0.0464
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晶体管类型：PNP复制
集电极电流(Ic)：200mA复制
集射极击穿电压(Vceo)：40V复制
耗散功率(Pd)：300mW复制
描述：三极管(BJT) 225mW 40V 200mA PNP复制库存：403353复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次：两年内
1+￥0.034
3000+￥0.027
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数量：1个N沟道复制
漏源电压(Vdss)：50V复制
连续漏极电流(Id)：200mA复制
导通电阻(RDS(on))：5.6Ω@2.75V复制
描述：场效应管(MOSFET) 225mW 50V 200mA 1个N沟道复制库存：392590复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
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批次：26+
1+￥0.069
3000+￥0.0548
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晶体管类型：NPN复制
集电极电流(Ic)：600mA复制
集射极击穿电压(Vceo)：40V复制
耗散功率(Pd)：225mW复制
描述：三极管(BJT) 225mW 40V 600mA NPN复制库存：375936复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次：26+
1+￥0.0485
3000+￥0.0384
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晶体管类型：NPN复制
集电极电流(Ic)：600mA复制
集射极击穿电压(Vceo)：40V复制
耗散功率(Pd)：225mW复制
描述：三极管(BJT) 225mW 40V 600mA NPN复制库存：361750复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次：26+
1+￥0.0631
3000+￥0.0499
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合计￥0.06
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晶体管类型：PNP复制
集电极电流(Ic)：500mA复制
集射极击穿电压(Vceo)：150V复制
耗散功率(Pd)：300mW复制
描述：三极管(BJT) 225mW 150V 500mA PNP复制库存：334387复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次：两年内
1+￥0.0458
3000+￥0.0363
量大可议价
合计￥0.05
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晶体管类型：PNP复制
集电极电流(Ic)：500mA复制
集射极击穿电压(Vceo)：150V复制
耗散功率(Pd)：300mW复制
描述：三极管(BJT) 225mW 150V 500mA PNP复制库存：98复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次：五年外
9.5折
1+￥0.04351
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