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碳化硅场效应管(MOSFET)
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漏源电压(Vdss)：650V复制
描述：该N沟道碳化硅MOSFET具有650V的漏源击穿电压（VDSS）和15A的连续漏极电流（ID）能力，导通电阻（RDS(on)）典型值为260mΩ，有助于减少导通损耗，提升系统能效。栅源电压范围为-5V至+16V，支持稳定可靠的栅极驱动控制。基于碳化硅材料的器件具备优异的高频开关性能和高温工作能力，适用于高效率电源转换系统，如大功率开关电源、光伏逆变装置、储能系统中的直流变换模块以及对功率密度和热管理有较高要求的电力电子设备。复制库存：2500复制
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漏源电压(Vdss)：1.7kV复制
连续漏极电流(Id)：5.2A复制
描述：碳化硅场效应管(MOSFET) IMBF170R1K0M1XTMA1复制库存：1353复制
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RoHS
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描述： SILICON CARBIDE MOSFET复制
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数量：1个N沟道复制
类型：N沟道复制
漏源电压(Vdss)：1.2kV复制
连续漏极电流(Id)：40A复制
描述：Transistor: N-MOSFET; unipolar复制库存：1000复制
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RoHS
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描述：-
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描述： SIC_DISCRETE复制
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类型：N沟道复制
漏源电压(Vdss)：1.2kV复制
连续漏极电流(Id)：20A复制
耗散功率(Pd)：175W复制
描述：碳化硅场效应管(MOSFET) SCT20N120 HiP-247复制库存：600复制
最小包 : 600复制
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RoHS
批次：25+
1+￥28.78
600+￥28
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数量：1个N沟道复制
类型：N沟道复制
漏源电压(Vdss)：900V复制
连续漏极电流(Id)：36A复制
描述：特性：高阻断电压，低导通电阻。 高速开关，低电容。 快速本征二极管，低反向恢复（Qrr）。 无卤，符合RoHS标准。应用：可再生能源。 EV电池充电器复制库存：523复制
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450+￥23
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类型：N沟道复制
漏源电压(Vdss)：1.7kV复制
连续漏极电流(Id)：5A复制
描述：特性：高速开关，低电容。 高阻断电压，低导通电阻。 易于并联，驱动简单。 超低漏极-栅极电容。 无卤，符合RoHS标准。应用：辅助电源。 开关电源复制库存：522复制
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类型：N沟道复制
漏源电压(Vdss)：1.2kV复制
连续漏极电流(Id)：18A复制
描述：特性：高阻断电压，低导通电阻。 高速开关，低电容。 易于并联，驱动简单。 雪崩耐用性。 抗闩锁。 无卤，符合RoHS标准。应用：太阳能逆变器。 开关模式电源复制库存：339复制
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批次：25+
1+￥12.36
450+￥12
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漏源电压(Vdss)：1.2kV复制
连续漏极电流(Id)：13A复制
描述：碳化硅场效应管(MOSFET) IMW120R220M1HXKSA1复制库存：248复制
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RoHS
批次：两年内
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240+￥24
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类型：N沟道复制
漏源电压(Vdss)：1.2kV复制
连续漏极电流(Id)：34A复制
描述：碳化硅场效应管复制库存：230复制
最小包 : 30复制
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批次：25+
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30+￥14.9
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类型：N沟道复制
漏源电压(Vdss)：1.2kV复制
连续漏极电流(Id)：40A复制
描述：Transistor: N-MOSFET;复制库存：200复制
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RoHS
批次：23+
1+￥17.33
600+￥16.83
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漏源电压(Vdss)：1.2kV复制
连续漏极电流(Id)：63A复制
描述：特性：高阻断电压，低导通电阻。 高速开关，低电容。 快速本征二极管，低反向恢复电荷（Qrr）。 无卤，符合RoHS标准。应用：太阳能逆变器。 电动汽车电机驱动复制库存：91复制
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类型：N沟道复制
漏源电压(Vdss)：1.2kV复制
连续漏极电流(Id)：36A复制
描述：特性：高阻断电压，低导通电阻。 高速开关，低电容。 易于并联，驱动简单。 雪崩耐用性。 无卤，符合RoHS标准。应用：太阳能逆变器。 开关模式电源复制库存：60复制
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漏源电压(Vdss)：1kV复制
连续漏极电流(Id)：32A复制
描述：特性：优化封装，带有独立驱动源极引脚。 高阻断电压，低导通电阻。 高速开关，低电容。 快速本征二极管，低反向恢复电荷（Qrr）。 无卤，符合RoHS标准。应用：可再生能源。 电动汽车电池充电器复制库存：58复制
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批次：26+
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30+￥29.93
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漏源电压(Vdss)：1.2kV复制
连续漏极电流(Id)：32A复制
描述：特性：高阻断电压，低导通电阻。 高速开关，低电容。 快速本征二极管，低反向恢复 (Qrr)。 无卤，符合 RoHS 标准。应用：可再生能源。 电动汽车电池充电器复制库存：53复制
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450+￥16.98
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漏源电压(Vdss)：650V复制
连续漏极电流(Id)：37A复制
描述：特性：高阻断电压，低导通电阻。 高速开关，低电容。 快速本征二极管，低反向恢复（Qrr）。 无卤，符合RoHS标准。应用：EV充电。 服务器电源复制库存：46复制
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漏源电压(Vdss)：1.2kV复制
连续漏极电流(Id)：36A复制
描述：特性：高阻断电压，低导通电阻。 高速开关，低电容。 易于并联，驱动简单。 雪崩耐用性。 无卤，符合RoHS标准。应用：太阳能逆变器。 开关电源复制库存：36复制
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批次：25+
1+￥16.51
30+￥16.02
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漏源电压(Vdss)：900V复制
连续漏极电流(Id)：23A复制
描述：特性：高阻断电压，低导通电阻。 高速开关，低电容。 快速本征二极管，低反向恢复（Qrr）。 无卤，符合RoHS标准。应用：可再生能源。 EV电池充电器复制库存：32复制
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批次：两年内
1+￥20.92
30+￥20.31
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漏源电压(Vdss)：1.7kV复制
连续漏极电流(Id)：72A复制
描述：特性：高阻断电压，低导通电阻。 高速开关，低电容。 易于并联，驱动简单。 抗闭锁。 无卤，符合RoHS标准。应用：太阳能逆变器。 开关电源复制库存：30复制
最小包 : 30复制
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批次：两年内
1+￥120.59
30+￥117.99
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合计￥120.59
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类型：N沟道复制
漏源电压(Vdss)：1.2kV复制
连续漏极电流(Id)：4.7A复制
描述：The CoolSiC™ 1200 V, 350 mΩ SiC MOSFET in TO247-3 package build on a state-of-the-art trench semiconductor process optimized to combine performance with复制库存：28复制
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批次：24+
1+￥23.85
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漏源电压(Vdss)：650V复制
连续漏极电流(Id)：120A复制
描述：特性：优化封装，带有独立的驱动源引脚。 高阻断电压，低导通电阻。 高速开关，低电容。 快速本征二极管，低反向恢复电荷 (Qrr)。 无卤，符合 RoHS 标准。应用：EV 充电器。 太阳能逆变器复制库存：27复制
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批次：两年内
1+￥49.34
30+￥47.9
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合计￥49.34
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类型：N沟道复制
漏源电压(Vdss)：1.5kV复制
连续漏极电流(Id)：3.7A复制
描述：-库存：24复制
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批次：25+
1+￥2.99
30+￥2.77
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合计￥2.99
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漏源电压(Vdss)：1.2kV复制
连续漏极电流(Id)：55A复制
描述：特性：高阻断电压与低导通电阻。高速开关与低电容。易于并联且驱动简单。抗闩锁。无卤，符合RoHS标准。应用：太阳能逆变器。开关电源复制库存：22复制
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批次：25+
1+￥28.61
30+￥27.78
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合计￥28.61
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类型：N沟道复制
漏源电压(Vdss)：1.2kV复制
连续漏极电流(Id)：32A复制
描述：特性：优化封装，带有独立的驱动器源极引脚。 高阻断电压，低导通电阻。 高速开关，低电容。 快速本征二极管，低反向恢复电荷（Qrr）。 无卤，符合RoHS标准。应用：可再生能源。 电动汽车电池充电器复制库存：21复制
最小包 : 30复制
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批次：25+
1+￥16.98
30+￥16.49
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合计￥16.98
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数量：1个N沟道复制
类型：N沟道复制
漏源电压(Vdss)：650V复制
连续漏极电流(Id)：120A复制
描述：特性：高阻断电压，低导通电阻。 高速开关，低电容。 快速本征二极管，低反向恢复（Qrr）。 无卤，符合RoHS标准。应用：EV充电。 太阳能光伏逆变器复制库存：13复制
最小包 : 30复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次：25+
1+￥48.41
30+￥47
量大可议价
合计￥48.41
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数量：1个N沟道复制
类型：N沟道复制
漏源电压(Vdss)：1.2kV复制
连续漏极电流(Id)：66A复制
描述：特性：高阻断电压，低导通电阻。 高速开关，低电容。 快速本征二极管，低反向恢复（Qrr）。 无卤，符合RoHS标准。应用：太阳能逆变器。 电动汽车电机驱动复制库存：9复制
最小包 : 30复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次：25+
1+￥39.69
30+￥38.53
量大可议价
合计￥39.69
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数量：1个N沟道复制
类型：N沟道复制
漏源电压(Vdss)：1.2kV复制
连续漏极电流(Id)：55A复制
描述：Infineon复制库存：8复制
最小包 : 30复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次：待确认
1+￥50.47
30+￥49
量大可议价
合计￥50.47
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数量：1个N沟道复制
类型：N沟道复制
漏源电压(Vdss)：650V复制
连续漏极电流(Id)：55A复制
描述：Silicon Carbide (SiC) MOSFETs复制库存：1复制
最小包 : 2000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次：24+
1+￥39.38
2000+￥38.42
量大可议价
合计￥39.38