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三极管 / MOS管 / 晶体管
三极管 / MOS管 / 晶体管
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MMBT2222ALT1G
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品牌:
ON(安森美)
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封装:
SOT-23
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类目:
三极管(BJT)
¥
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晶体管类型:
NPN
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集电极电流(Ic):
600mA
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集射极击穿电压(Vceo):
40V
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耗散功率(Pd):
225mW
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描述:
三极管(BJT) 225mW 40V 600mA NPN
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库存:
2250375
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最小包 :
3000
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两年内
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3000+
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BC847BLT1G
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品牌:
ON(安森美)
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封装:
SOT-23
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类目:
三极管(BJT)
¥
12
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数据手册
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晶体管类型:
NPN
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集电极电流(Ic):
100mA
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集射极击穿电压(Vceo):
45V
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耗散功率(Pd):
225mW
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描述:
三极管(BJT) 300mW 45V 100mA NPN
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库存:
1761504
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最小包 :
3000
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起订量 :
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1
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26+
1+
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3000+
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BC846B,215
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品牌:
Nexperia(安世)
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封装:
SOT-23
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类目:
三极管(BJT)
¥
12
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数据手册
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晶体管类型:
NPN
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集电极电流(Ic):
100mA
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集射极击穿电压(Vceo):
65V
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耗散功率(Pd):
250mW
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描述:
三极管(BJT) 250mW 65V 100mA NPN
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库存:
1369664
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最小包 :
3000
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起订量 :
1
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增量 :
1
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RoHS
批次:
25+
1+
¥
0.0504
3000+
¥
0.04
量大可议价
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MMBT4401LT1G
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品牌:
ON(安森美)
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封装:
SOT-23
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类目:
三极管(BJT)
¥
12
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数据手册
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晶体管类型:
NPN
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集电极电流(Ic):
600mA
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集射极击穿电压(Vceo):
40V
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耗散功率(Pd):
225mW
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描述:
三极管(BJT) 300mW 40V 600mA NPN
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库存:
1243820
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最小包 :
3000
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起订量 :
1
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增量 :
1
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RoHS
批次:
26+
1+
¥
0.0744
3000+
¥
0.059
量大可议价
合计
¥
0.07
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SS8550
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品牌:
CJ(江苏长电/长晶)
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封装:
SOT-23(SOT-23-3)
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类目:
三极管(BJT)
¥
12
领取
数据手册
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描述:
三极管(晶体管) SS8550 SOT-23
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库存:
1050803
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最小包 :
3000
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起订量 :
1
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增量 :
1
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批次:
26+
1+
¥
0.080352
3000+
¥
0.06372
量大可议价
合计
¥
0.08
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AO3401A
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品牌:
UMW(友台半导体)
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封装:
SOT-23
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类目:
场效应管(MOSFET)
¥
12
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数据手册
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数量:
1个P沟道
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漏源电压(Vdss):
30V
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连续漏极电流(Id):
4.2A
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导通电阻(RDS(on)):
50mΩ@10V
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描述:
场效应管(MOSFET) 1.4W 30V 4.2A 1个P沟道
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库存:
951682
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最小包 :
3000
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起订量 :
1
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增量 :
1
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RoHS
批次:
26+
1+
¥
0.12765
3000+
¥
0.11322
量大可议价
合计
¥
0.13
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MMBT3906LT1G
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品牌:
ON(安森美)
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封装:
SOT-23
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类目:
三极管(BJT)
¥
12
领取
数据手册
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晶体管类型:
PNP
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集电极电流(Ic):
200mA
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集射极击穿电压(Vceo):
40V
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耗散功率(Pd):
225mW
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描述:
三极管(BJT) 300mW 40V 200mA PNP
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库存:
914443
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最小包 :
3000
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起订量 :
1
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增量 :
1
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RoHS
批次:
25+
1+
¥
0.0617
3000+
¥
0.049
量大可议价
合计
¥
0.06
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AO3400A
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品牌:
UMW(友台半导体)
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封装:
SOT-23
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类目:
场效应管(MOSFET)
¥
12
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数据手册
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数量:
1个N沟道
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漏源电压(Vdss):
30V
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连续漏极电流(Id):
5.8A
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导通电阻(RDS(on)):
17mΩ@10V
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描述:
场效应管(MOSFET) 1.4W 30V 5.8A 1个N沟道
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库存:
903439
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最小包 :
3000
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起订量 :
1
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增量 :
1
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RoHS
批次:
26+
1+
¥
0.1288
3000+
¥
0.11424
量大可议价
合计
¥
0.13
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BC847B,215
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品牌:
Nexperia(安世)
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封装:
SOT-23
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类目:
三极管(BJT)
¥
12
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数据手册
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晶体管类型:
NPN
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集电极电流(Ic):
100mA
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集射极击穿电压(Vceo):
45V
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耗散功率(Pd):
250mW
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描述:
三极管(BJT) 250mW 45V 100mA NPN
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库存:
902349
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最小包 :
3000
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起订量 :
1
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增量 :
1
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RoHS
批次:
25+
1+
¥
0.046
3000+
¥
0.0365
量大可议价
合计
¥
0.05
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2N7002
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品牌:
CJ(江苏长电/长晶)
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封装:
SOT-23(SOT-23-3)
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类目:
场效应管(MOSFET)
¥
12
领取
数据手册
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数量:
1个N沟道
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漏源电压(Vdss):
60V
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连续漏极电流(Id):
115mA
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导通电阻(RDS(on)):
5Ω@10V
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描述:
场效应管(MOSFET) 200mW 60V 115mA 1个N沟道
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库存:
862752
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最小包 :
3000
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起订量 :
1
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增量 :
1
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RoHS
批次:
26+
1+
¥
0.081648
3000+
¥
0.0648
量大可议价
合计
¥
0.08
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L2N7002LT1G
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品牌:
LRC(乐山无线电)
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封装:
SOT-23(SOT-23-3)
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类目:
场效应管(MOSFET)
¥
12
领取
数据手册
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数量:
1个N沟道
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漏源电压(Vdss):
60V
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连续漏极电流(Id):
115mA
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导通电阻(RDS(on)):
1.4Ω@10V
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描述:
场效应管(MOSFET) 300mW 60V 115mA 1个N沟道
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库存:
755190
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最小包 :
3000
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起订量 :
1
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增量 :
1
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批次:
26+
1+
¥
0.0605
3000+
¥
0.048
量大可议价
合计
¥
0.06
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MMBT2907ALT1G
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品牌:
ON(安森美)
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封装:
SOT-23
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类目:
三极管(BJT)
¥
12
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数据手册
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晶体管类型:
PNP
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集电极电流(Ic):
600mA
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集射极击穿电压(Vceo):
60V
复制
耗散功率(Pd):
350mW
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描述:
三极管(BJT) 300mW 60V 600mA PNP
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库存:
634495
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最小包 :
3000
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起订量 :
1
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增量 :
1
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RoHS
批次:
26+
1+
¥
0.0883
3000+
¥
0.0699
量大可议价
合计
¥
0.09
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FDV301N
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品牌:
ON(安森美)
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封装:
SOT-23
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类目:
场效应管(MOSFET)
¥
12
领取
数据手册
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数量:
1个N沟道
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漏源电压(Vdss):
25V
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连续漏极电流(Id):
220mA
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导通电阻(RDS(on)):
5Ω@2.7V
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描述:
场效应管(MOSFET) 350mW 25V 220mA 1个N沟道
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库存:
605695
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最小包 :
3000
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起订量 :
1
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增量 :
1
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RoHS
批次:
两年内
1+
¥
0.129
3000+
¥
0.114
量大可议价
合计
¥
0.13
加入购物车
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MMBT3904LT1G
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品牌:
ON(安森美)
复制
封装:
SOT-23
复制
类目:
三极管(BJT)
¥
12
领取
数据手册
复制
晶体管类型:
NPN
复制
集电极电流(Ic):
200mA
复制
集射极击穿电压(Vceo):
40V
复制
耗散功率(Pd):
225mW
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描述:
三极管(BJT) 300mW 40V 200mA NPN
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库存:
602909
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最小包 :
3000
复制
起订量 :
1
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增量 :
1
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RoHS
批次:
26+
1+
¥
0.0605
3000+
¥
0.048
量大可议价
合计
¥
0.06
加入购物车
直接购买
2N7002KT1G
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品牌:
ON(安森美)
复制
封装:
SOT-23
复制
类目:
场效应管(MOSFET)
¥
12
领取
数据手册
复制
数量:
1个N沟道
复制
漏源电压(Vdss):
60V
复制
连续漏极电流(Id):
380mA
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导通电阻(RDS(on)):
2.5Ω@4.5V
复制
描述:
场效应管(MOSFET) 300mW 60V 320mA 1个N沟道
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库存:
600705
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最小包 :
3000
复制
起订量 :
1
复制
增量 :
1
复制
RoHS
批次:
26+
1+
¥
0.139
3000+
¥
0.123
量大可议价
合计
¥
0.14
加入购物车
直接购买
BC807-40,215
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品牌:
Nexperia(安世)
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封装:
SOT-23
复制
类目:
三极管(BJT)
¥
12
领取
数据手册
复制
晶体管类型:
PNP
复制
集电极电流(Ic):
500mA
复制
集射极击穿电压(Vceo):
45V
复制
耗散功率(Pd):
250mW
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描述:
三极管(BJT) 250@100mA,1V 250mW 45V 500mA
复制
库存:
580357
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最小包 :
3000
复制
起订量 :
1
复制
增量 :
1
复制
RoHS
批次:
26+
1+
¥
0.0883
3000+
¥
0.0699
量大可议价
合计
¥
0.09
加入购物车
直接购买
LMBT3904LT1G
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品牌:
LRC(乐山无线电)
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封装:
SOT23
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类目:
三极管(BJT)
¥
12
领取
数据手册
复制
晶体管类型:
NPN
复制
集电极电流(Ic):
200mA
复制
集射极击穿电压(Vceo):
40V
复制
耗散功率(Pd):
300mW
复制
描述:
三极管(BJT) 225mW 40V 200mA NPN
复制
库存:
532474
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最小包 :
3000
复制
起订量 :
1
复制
增量 :
1
复制
批次:
两年内
1+
¥
0.0379
3000+
¥
0.0299
量大可议价
合计
¥
0.04
加入购物车
直接购买
MMBT3904-TP
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品牌:
MCC(美微科)
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封装:
SOT-23
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类目:
三极管(BJT)
¥
12
领取
数据手册
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晶体管类型:
NPN
复制
集电极电流(Ic):
200mA
复制
集射极击穿电压(Vceo):
40V
复制
耗散功率(Pd):
350mW
复制
描述:
三极管(BJT) 350mW 40V 200mA NPN
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库存:
511657
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最小包 :
3000
复制
起订量 :
1
复制
增量 :
1
复制
RoHS
批次:
两年内
1+
¥
0.0467
3000+
¥
0.037
量大可议价
合计
¥
0.05
加入购物车
直接购买
MMBT3904-TP
复制
品牌:
MCC(美微科)
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封装:
SOT-23
复制
类目:
三极管(BJT)
¥
12
领取
数据手册
复制
晶体管类型:
NPN
复制
集电极电流(Ic):
200mA
复制
集射极击穿电压(Vceo):
40V
复制
耗散功率(Pd):
350mW
复制
描述:
三极管(BJT) 350mW 40V 200mA NPN
复制
库存:
13
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最小包 :
3000
复制
起订量 :
1
复制
增量 :
1
复制
RoHS
批次:
两年外
9.8折
1+
¥
0.045766
量大可议价
合计
¥
0.05
加入购物车
直接购买
S8550
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品牌:
CJ(江苏长电/长晶)
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封装:
SOT-23
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类目:
三极管(BJT)
别名:
S8550 2TY, S8550/2TY
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¥
12
领取
数据手册
复制
描述:
三极管(晶体管)
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库存:
496448
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最小包 :
3000
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起订量 :
1
复制
增量 :
1
复制
批次:
26+
1+
¥
0.075293
3000+
¥
0.05974
量大可议价
合计
¥
0.08
加入购物车
直接购买
LBC817-40LT1G
复制
品牌:
LRC(乐山无线电)
复制
封装:
SOT-23(SOT-23-3)
复制
类目:
三极管(BJT)
¥
12
领取
数据手册
复制
晶体管类型:
NPN
复制
集电极电流(Ic):
500mA
复制
集射极击穿电压(Vceo):
45V
复制
耗散功率(Pd):
300mW
复制
描述:
三极管(BJT) 225mW 45V 500mA NPN
复制
库存:
479502
复制
最小包 :
3000
复制
起订量 :
1
复制
增量 :
1
复制
批次:
26+
1+
¥
0.0605
3000+
¥
0.048
量大可议价
合计
¥
0.06
加入购物车
直接购买
2N7002,215
复制
品牌:
Nexperia(安世)
复制
封装:
SOT-23
复制
类目:
场效应管(MOSFET)
¥
12
领取
数据手册
复制
数量:
1个N沟道
复制
漏源电压(Vdss):
60V
复制
连续漏极电流(Id):
300mA
复制
导通电阻(RDS(on)):
5Ω@10V
复制
描述:
场效应管(MOSFET) 830mW 60V 300mA 1个N沟道
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库存:
473266
复制
最小包 :
3000
复制
起订量 :
1
复制
增量 :
1
复制
RoHS
批次:
26+
1+
¥
0.0756
3000+
¥
0.06
量大可议价
合计
¥
0.08
加入购物车
直接购买
BSS138LT1G
复制
品牌:
ON(安森美)
复制
封装:
SOT-23
复制
类目:
场效应管(MOSFET)
¥
12
领取
数据手册
复制
数量:
1个N沟道
复制
漏源电压(Vdss):
50V
复制
连续漏极电流(Id):
200mA
复制
导通电阻(RDS(on)):
5.6Ω@2.75V
复制
描述:
场效应管(MOSFET) 225mW 50V 200mA 1个N沟道
复制
库存:
443596
复制
最小包 :
3000
复制
起订量 :
1
复制
增量 :
1
复制
RoHS
批次:
两年内
1+
¥
0.168
3000+
¥
0.149
量大可议价
合计
¥
0.17
加入购物车
直接购买
MMBT5551 H
复制
品牌:
CJ(江苏长电/长晶)
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封装:
SOT23
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类目:
三极管(BJT)
别名:
MMBT5551(RANGE:200-300), MMBT5551
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¥
12
领取
复制
描述:
晶体管 放大倍数H档位
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库存:
424420
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3000
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S9013
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品牌:
CJ(江苏长电/长晶)
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封装:
SOT-23(SOT-23-3)
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类目:
三极管(BJT)
别名:
S9013 J3
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晶体管类型:
NPN
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集电极电流(Ic):
500mA
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集射极击穿电压(Vceo):
25V
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耗散功率(Pd):
300mW
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描述:
三极管(晶体管) S9013
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库存:
421032
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最小包 :
3000
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RoHS
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2SB1197KT146R
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品牌:
ROHM(罗姆)
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封装:
SC-59-3
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类目:
三极管(BJT)
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晶体管类型:
PNP
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集电极电流(Ic):
800mA
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集射极击穿电压(Vceo):
32V
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耗散功率(Pd):
200mW
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描述:
三极管(BJT) 200mW 32V 800mA PNP
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库存:
399573
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最小包 :
3000
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起订量 :
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RoHS
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ROHM(罗姆)
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LMBT5551LT1G
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品牌:
LRC(乐山无线电)
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封装:
SOT-23
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类目:
三极管(BJT)
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晶体管类型:
NPN
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集电极电流(Ic):
600mA
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集射极击穿电压(Vceo):
160V
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耗散功率(Pd):
225mW
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描述:
三极管(BJT) 225mW 160V 600mA NPN
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库存:
383376
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最小包 :
3000
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BC817-25LT1G
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品牌:
ON(安森美)
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封装:
SOT-23
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类目:
三极管(BJT)
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数据手册
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晶体管类型:
NPN
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集电极电流(Ic):
500mA
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集射极击穿电压(Vceo):
45V
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耗散功率(Pd):
225mW
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描述:
三极管(BJT) 300mW 45V 500mA NPN
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库存:
382699
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最小包 :
3000
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1
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RoHS
批次:
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DTA114EKAT146
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品牌:
ROHM(罗姆)
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封装:
SOT-346
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类目:
数字晶体管
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数量:
1个PNP-预偏置
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集射极击穿电压(Vceo):
50V
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集电极电流(Ic):
100mA
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耗散功率(Pd):
200mW
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描述:
数字晶体管 200mW 50V 50mA 1个PNP-预偏置
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库存:
363210
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最小包 :
3000
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RoHS
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ROHM(罗姆)
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S8050
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品牌:
CJ(江苏长电/长晶)
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封装:
SOT23
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类目:
三极管(BJT)
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描述:
三极管(晶体管)S8050 SOT23 NPN,Vceo=25V
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库存:
356647
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最小包 :
3000
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BC817-40LT1G
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品牌:
ON(安森美)
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封装:
SOT-23
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类目:
三极管(BJT)
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晶体管类型:
NPN
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集电极电流(Ic):
500mA
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集射极击穿电压(Vceo):
45V
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耗散功率(Pd):
225mW
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描述:
三极管(BJT) 300mW 45V 500mA NPN
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库存:
353418
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最小包 :
3000
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RoHS
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