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首页>商品目录>三极管 / MOS管 / 晶体管

三极管 / MOS管 / 晶体管

展示方式:
目录
场效应管(MOSFET)
三极管(BJT)
数字晶体管
晶闸管(可控硅)/模块
IGBT管/模块
品牌
3PEAK
ADI(亚德诺)/LINEAR
AF(晶岳)
AGM-Semi(芯控源)
AOS
品牌归属地
中国台湾
中国大陆
国际
封装/规格
10-SSOP
16-SOIC
2-2U1A
2-5Q1S
2-7J1S
认证信息
RoHS认证
包装/方式
托盘
盒装
管装
箱装
编带
型号/品牌参数/描述库存批次价格阶梯(含税)数量操作
MMBT2222ALT1G 产品实物图片
品牌:ON(安森美)复制
封装:SOT-23复制
12领取
晶体管类型NPN复制
集电极电流(Ic)600mA复制
集射极击穿电压(Vceo)40V复制
耗散功率(Pd)225mW复制
描述:三极管(BJT) 225mW 40V 600mA NPN复制
库存:2250375复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:两年内
1+0.0732
3000+0.0581
量大可议价
合计0.07
BC847BLT1G 产品实物图片
品牌:ON(安森美)复制
封装:SOT-23复制
12领取
晶体管类型NPN复制
集电极电流(Ic)100mA复制
集射极击穿电压(Vceo)45V复制
耗散功率(Pd)225mW复制
描述:三极管(BJT) 300mW 45V 100mA NPN复制
库存:1761504复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:26+
1+0.0756
3000+0.06
量大可议价
合计0.08
BC846B,215 产品实物图片
品牌:Nexperia(安世)复制
封装:SOT-23复制
12领取
晶体管类型NPN复制
集电极电流(Ic)100mA复制
集射极击穿电压(Vceo)65V复制
耗散功率(Pd)250mW复制
描述:三极管(BJT) 250mW 65V 100mA NPN复制
库存:1369664复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:25+
1+0.0504
3000+0.04
量大可议价
合计0.05
MMBT4401LT1G 产品实物图片
品牌:ON(安森美)复制
封装:SOT-23复制
12领取
晶体管类型NPN复制
集电极电流(Ic)600mA复制
集射极击穿电压(Vceo)40V复制
耗散功率(Pd)225mW复制
描述:三极管(BJT) 300mW 40V 600mA NPN复制
库存:1243820复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:26+
1+0.0744
3000+0.059
量大可议价
合计0.07
CJ(江苏长电/长晶) 授权圣禾堂在线为代理商
自营SS8550复制
封装:SOT-23(SOT-23-3)复制
12领取
描述:三极管(晶体管) SS8550 SOT-23复制
库存:1050803复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次:26+
1+0.080352
3000+0.06372
量大可议价
合计0.08
UMW(友台半导体) 授权圣禾堂在线为代理商
自营AO3401A复制
品牌:UMW(友台半导体)复制
封装:SOT-23复制
12领取
数量1个P沟道复制
漏源电压(Vdss)30V复制
连续漏极电流(Id)4.2A复制
导通电阻(RDS(on))50mΩ@10V复制
描述:场效应管(MOSFET) 1.4W 30V 4.2A 1个P沟道复制
库存:951682复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:26+
1+0.12765
3000+0.11322
量大可议价
合计0.13
MMBT3906LT1G 产品实物图片
品牌:ON(安森美)复制
封装:SOT-23复制
12领取
晶体管类型PNP复制
集电极电流(Ic)200mA复制
集射极击穿电压(Vceo)40V复制
耗散功率(Pd)225mW复制
描述:三极管(BJT) 300mW 40V 200mA PNP复制
库存:914443复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:25+
1+0.0617
3000+0.049
量大可议价
合计0.06
UMW(友台半导体) 授权圣禾堂在线为代理商
自营AO3400A复制
品牌:UMW(友台半导体)复制
封装:SOT-23复制
12领取
数量1个N沟道复制
漏源电压(Vdss)30V复制
连续漏极电流(Id)5.8A复制
导通电阻(RDS(on))17mΩ@10V复制
描述:场效应管(MOSFET) 1.4W 30V 5.8A 1个N沟道复制
库存:903439复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:26+
1+0.1288
3000+0.11424
量大可议价
合计0.13
BC847B,215 产品实物图片
品牌:Nexperia(安世)复制
封装:SOT-23复制
12领取
晶体管类型NPN复制
集电极电流(Ic)100mA复制
集射极击穿电压(Vceo)45V复制
耗散功率(Pd)250mW复制
描述:三极管(BJT) 250mW 45V 100mA NPN复制
库存:902349复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:25+
1+0.046
3000+0.0365
量大可议价
合计0.05
CJ(江苏长电/长晶) 授权圣禾堂在线为代理商
自营2N7002复制
封装:SOT-23(SOT-23-3)复制
12领取
数量1个N沟道复制
漏源电压(Vdss)60V复制
连续漏极电流(Id)115mA复制
导通电阻(RDS(on))5Ω@10V复制
描述:场效应管(MOSFET) 200mW 60V 115mA 1个N沟道复制
库存:862752复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:26+
1+0.081648
3000+0.0648
量大可议价
合计0.08
L2N7002LT1G 产品实物图片
品牌:LRC(乐山无线电)复制
封装:SOT-23(SOT-23-3)复制
12领取
数量1个N沟道复制
漏源电压(Vdss)60V复制
连续漏极电流(Id)115mA复制
导通电阻(RDS(on))1.4Ω@10V复制
描述:场效应管(MOSFET) 300mW 60V 115mA 1个N沟道复制
库存:755190复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次:26+
1+0.0605
3000+0.048
量大可议价
合计0.06
MMBT2907ALT1G 产品实物图片
品牌:ON(安森美)复制
封装:SOT-23复制
12领取
晶体管类型PNP复制
集电极电流(Ic)600mA复制
集射极击穿电压(Vceo)60V复制
耗散功率(Pd)350mW复制
描述:三极管(BJT) 300mW 60V 600mA PNP复制
库存:634495复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:26+
1+0.0883
3000+0.0699
量大可议价
合计0.09
FDV301N 产品实物图片
自营FDV301N复制
品牌:ON(安森美)复制
封装:SOT-23复制
12领取
数量1个N沟道复制
漏源电压(Vdss)25V复制
连续漏极电流(Id)220mA复制
导通电阻(RDS(on))5Ω@2.7V复制
描述:场效应管(MOSFET) 350mW 25V 220mA 1个N沟道复制
库存:605695复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:两年内
1+0.129
3000+0.114
量大可议价
合计0.13
MMBT3904LT1G 产品实物图片
品牌:ON(安森美)复制
封装:SOT-23复制
12领取
晶体管类型NPN复制
集电极电流(Ic)200mA复制
集射极击穿电压(Vceo)40V复制
耗散功率(Pd)225mW复制
描述:三极管(BJT) 300mW 40V 200mA NPN复制
库存:602909复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:26+
1+0.0605
3000+0.048
量大可议价
合计0.06
2N7002KT1G 产品实物图片
品牌:ON(安森美)复制
封装:SOT-23复制
12领取
数量1个N沟道复制
漏源电压(Vdss)60V复制
连续漏极电流(Id)380mA复制
导通电阻(RDS(on))2.5Ω@4.5V复制
描述:场效应管(MOSFET) 300mW 60V 320mA 1个N沟道复制
库存:600705复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:26+
1+0.139
3000+0.123
量大可议价
合计0.14
BC807-40,215 产品实物图片
品牌:Nexperia(安世)复制
封装:SOT-23复制
12领取
晶体管类型PNP复制
集电极电流(Ic)500mA复制
集射极击穿电压(Vceo)45V复制
耗散功率(Pd)250mW复制
描述:三极管(BJT) 250@100mA,1V 250mW 45V 500mA复制
库存:580357复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:26+
1+0.0883
3000+0.0699
量大可议价
合计0.09
LMBT3904LT1G 产品实物图片
品牌:LRC(乐山无线电)复制
封装:SOT23复制
12领取
晶体管类型NPN复制
集电极电流(Ic)200mA复制
集射极击穿电压(Vceo)40V复制
耗散功率(Pd)300mW复制
描述:三极管(BJT) 225mW 40V 200mA NPN复制
库存:532474复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次:两年内
1+0.0379
3000+0.0299
量大可议价
合计0.04
MMBT3904-TP 产品实物图片
品牌:MCC(美微科)复制
封装:SOT-23复制
12领取
晶体管类型NPN复制
集电极电流(Ic)200mA复制
集射极击穿电压(Vceo)40V复制
耗散功率(Pd)350mW复制
描述:三极管(BJT) 350mW 40V 200mA NPN复制
库存:511657复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:两年内
1+0.0467
3000+0.037
量大可议价
合计0.05
MMBT3904-TP 产品实物图片
品牌:MCC(美微科)复制
封装:SOT-23复制
12领取
晶体管类型NPN复制
集电极电流(Ic)200mA复制
集射极击穿电压(Vceo)40V复制
耗散功率(Pd)350mW复制
描述:三极管(BJT) 350mW 40V 200mA NPN复制
库存:13复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:两年外
9.8
1+0.045766
量大可议价
合计0.05
CJ(江苏长电/长晶) 授权圣禾堂在线为代理商
自营S8550复制
封装:SOT-23复制
别名:S8550 2TY, S8550/2TY复制
12领取
描述:三极管(晶体管)复制
库存:496448复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次:26+
1+0.075293
3000+0.05974
量大可议价
合计0.08
LBC817-40LT1G 产品实物图片
品牌:LRC(乐山无线电)复制
封装:SOT-23(SOT-23-3)复制
12领取
晶体管类型NPN复制
集电极电流(Ic)500mA复制
集射极击穿电压(Vceo)45V复制
耗散功率(Pd)300mW复制
描述:三极管(BJT) 225mW 45V 500mA NPN复制
库存:479502复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次:26+
1+0.0605
3000+0.048
量大可议价
合计0.06
2N7002,215 产品实物图片
品牌:Nexperia(安世)复制
封装:SOT-23复制
12领取
数量1个N沟道复制
漏源电压(Vdss)60V复制
连续漏极电流(Id)300mA复制
导通电阻(RDS(on))5Ω@10V复制
描述:场效应管(MOSFET) 830mW 60V 300mA 1个N沟道复制
库存:473266复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:26+
1+0.0756
3000+0.06
量大可议价
合计0.08
BSS138LT1G 产品实物图片
品牌:ON(安森美)复制
封装:SOT-23复制
12领取
数量1个N沟道复制
漏源电压(Vdss)50V复制
连续漏极电流(Id)200mA复制
导通电阻(RDS(on))5.6Ω@2.75V复制
描述:场效应管(MOSFET) 225mW 50V 200mA 1个N沟道复制
库存:443596复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:两年内
1+0.168
3000+0.149
量大可议价
合计0.17
CJ(江苏长电/长晶) 授权圣禾堂在线为代理商
封装:SOT23复制
别名:MMBT5551(RANGE:200-300), MMBT5551复制
12领取
复制
描述:晶体管 放大倍数H档位复制
库存:424420复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次:26+
1+0.070085
3000+0.05564
量大可议价
合计0.07
CJ(江苏长电/长晶) 授权圣禾堂在线为代理商
自营S9013复制
封装:SOT-23(SOT-23-3)复制
别名:S9013 J3复制
12领取
晶体管类型NPN复制
集电极电流(Ic)500mA复制
集射极击穿电压(Vceo)25V复制
耗散功率(Pd)300mW复制
描述:三极管(晶体管) S9013 复制
库存:421032复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:26+
1+0.05994
3000+0.04752
量大可议价
合计0.06
2SB1197KT146R 产品实物图片
品牌:ROHM(罗姆)复制
封装:SC-59-3复制
12领取
晶体管类型PNP复制
集电极电流(Ic)800mA复制
集射极击穿电压(Vceo)32V复制
耗散功率(Pd)200mW复制
描述:三极管(BJT) 200mW 32V 800mA PNP复制
库存:399573复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:25+
1+0.205
3000+0.181
量大可议价
合计0.21
ROHM(罗姆)点击线下购买享更多折扣
LMBT5551LT1G 产品实物图片
品牌:LRC(乐山无线电)复制
封装:SOT-23复制
12领取
晶体管类型NPN复制
集电极电流(Ic)600mA复制
集射极击穿电压(Vceo)160V复制
耗散功率(Pd)225mW复制
描述:三极管(BJT) 225mW 160V 600mA NPN复制
库存:383376复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次:26+
1+0.0631
3000+0.0499
量大可议价
合计0.06
BC817-25LT1G 产品实物图片
品牌:ON(安森美)复制
封装:SOT-23复制
12领取
晶体管类型NPN复制
集电极电流(Ic)500mA复制
集射极击穿电压(Vceo)45V复制
耗散功率(Pd)225mW复制
描述:三极管(BJT) 300mW 45V 500mA NPN复制
库存:382699复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:26+
1+0.124
3000+0.11
量大可议价
合计0.12
DTA114EKAT146 产品实物图片
品牌:ROHM(罗姆)复制
封装:SOT-346复制
12领取
数量1个PNP-预偏置复制
集射极击穿电压(Vceo)50V复制
集电极电流(Ic)100mA复制
耗散功率(Pd)200mW复制
描述:数字晶体管 200mW 50V 50mA 1个PNP-预偏置复制
库存:363210复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:26+
1+0.122875
3000+0.0975
量大可议价
合计0.12
ROHM(罗姆)点击线下购买享更多折扣
CJ(江苏长电/长晶) 授权圣禾堂在线为代理商
自营S8050复制
封装:SOT23复制
12领取
描述:三极管(晶体管)S8050 SOT23 NPN,Vceo=25V 复制
库存:356647复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次:两年内
1+0.072765
3000+0.05775
量大可议价
合计0.07
BC817-40LT1G 产品实物图片
品牌:ON(安森美)复制
封装:SOT-23复制
12领取
晶体管类型NPN复制
集电极电流(Ic)500mA复制
集射极击穿电压(Vceo)45V复制
耗散功率(Pd)225mW复制
描述:三极管(BJT) 300mW 45V 500mA NPN复制
库存:353418复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:26+
1+0.153
3000+0.134
量大可议价
合计0.15
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