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三极管 / MOS管 / 晶体管

展示方式：
目录
场效应管(MOSFET)
三极管(BJT)
数字晶体管
晶闸管(可控硅)/模块
IGBT管/模块
品牌
ABB
ADI(亚德诺)/LINEAR
AF(晶岳)
AGM-Semi(芯控源)
ALJ(龙晶微)
品牌归属地
中国台湾
中国大陆
国际
封装/规格
0
10-SMD
10-SSOP
12-MLP(5x4.5)
1206A-03
认证信息
RoHS认证
包装/方式
托盘
盒装
管装
箱装
编带
型号/品牌参数/描述库存批次价格阶梯(含税)数量操作
MMBT5551 H 产品实物图片
自营MMBT5551 H复制
品牌：CJ(江苏长电/长晶)复制
封装：SOT23复制
类目：三极管(BJT)复制
别名：MMBT5551 L, MMBT5551(RANGE:200-300)复制
￥12领取
复制
描述：晶体管 放大倍数H档位复制
库存：4478696复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次：26+
1+￥0.053286
3000+￥0.042372
量大可议价
合计￥0.05
现在下单最快1小时发货
SS8050 产品实物图片
自营SS8050复制
品牌：CJ(江苏长电/长晶)复制
封装：SOT-23(SOT-23-3)复制
类目：三极管(BJT)复制
￥12领取
数据手册复制
描述：hFE:200-350，丝印:Y1复制
库存：2728228复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次：26+
1+￥0.05292
3000+￥0.042
量大可议价
合计￥0.05
现在下单最快1小时发货
BC846B,215 产品实物图片
自营BC846B,215复制
品牌：Nexperia(安世)复制
封装：SOT-23复制
类目：三极管(BJT)复制
￥12领取
数据手册复制
晶体管类型：NPN复制
集电极电流(Ic)：100mA复制
集射极击穿电压(Vceo)：65V复制
耗散功率(Pd)：250mW复制
描述：三极管(BJT) 250mW 65V 100mA NPN复制
库存：2648398复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次：26+
1+￥0.0359
3000+￥0.0285
量大可议价
合计￥0.04
现在下单最快1小时发货
L2N7002KLT1G 产品实物图片
自营L2N7002KLT1G复制
品牌：LRC(乐山无线电)复制
封装：SOT-23(SOT-23-3)复制
类目：场效应管(MOSFET)复制
￥12领取
数据手册复制
数量：1个N沟道复制
漏源电压(Vdss)：60V复制
连续漏极电流(Id)：380mA复制
导通电阻(RDS(on))：2.3Ω@10V复制
描述：场效应管(MOSFET) 300mW 60V 320mA 1个N沟道复制
库存：2298200复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次：26+
1+￥0.0596
3000+￥0.0472
量大可议价
合计￥0.06
现在下单最快1小时发货
L2N7002LT1G 产品实物图片
自营L2N7002LT1G复制
品牌：LRC(乐山无线电)复制
封装：SOT-23(SOT-23-3)复制
类目：场效应管(MOSFET)复制
￥12领取
数据手册复制
数量：1个N沟道复制
漏源电压(Vdss)：60V复制
连续漏极电流(Id)：115mA复制
导通电阻(RDS(on))：1.4Ω@10V复制
描述：场效应管(MOSFET) 300mW 60V 115mA 1个N沟道复制
库存：1873243复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次：26+
1+￥0.0523
3000+￥0.0416
量大可议价
合计￥0.05
现在下单最快1小时发货
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