力积电联手英特尔与SAIMEMORY，展示9层一体融合键合通孔架构高带宽3D内存
英特尔与软银旗下内存技术公司SAIMEMORY关于Z-Angle Memory（ZAM）的联合开发项目正吸引着越来越多的产业目光。在即将于6月登场的VLSI Symposium 2026上，这一合作不仅会有新的技术披露，还将迎来一位重要制造伙伴——力晶积成电子（PSMC）。三方计划共同演示一种9层堆叠的高带宽3D内存原型，其核心在于采用"融合键合一体通孔"工艺，试图在密度、带宽和能效上实现突破。
根据提前曝光的会议摘要，PSMC将利用其在晶圆代工和先进封装领域的经验，为9层3D内存结构提供制造支持。该架构被称作"Via-in-One"，特点是在多层堆叠完成后一次性形成贯通所有芯片的通孔，而不再像传统混合键合的3D封装那样逐层创建微凸点或通孔。这一改变有望显著简化工艺流程，降低互连寄生效应，并通过更短的信号路径提升数据吞吐量。
SAIMEMORY所主导的ZAM技术一直强调三维空间内角度灵活性带来的布线优势，此次携手英特尔与PSMC推出融合键合的物理实现方案，意味着ZAM从概念验证向量产可制造性迈出了关键一步。消息人士指出，新结构的带宽密度目标瞄准了高带宽内存（HBM）系列产品的替代需求，尤其在AI训练和推理加速器对内存带宽饥渴的背景下，9层一体通孔方案有可能在成本、散热和堆叠高度上建立差异化优势。
产业观察家认为，若此方案在VLSI研讨会上成功演示，将进一步加剧3D堆叠内存技术的竞争，并可能促使台积电、三星等晶圆代工巨头加速自身混合键合及3D DRAM路线的推进。届时，PSMC的加入也暗示英特尔正试图构建一个更为多元化的先进封装生态，以摆脱对单一供应链的依赖。