三星被曝在西安开建V9 NAND洁净室，V8上量、V6退场同步推进

存储大厂正加速产品迭代，工艺转型成为核心策略。据韩媒Sisa Journal报道，三星电子已在西安启动了第9代V-NAND（V9）洁净室的建设工程。此举紧随其第8代V-NAND（V8）在该基地的产能提升，以及第6代V-NAND（V6）的逐步淘汰。

西安工厂是三星在海外唯一的NAND闪存生产基地，V8产线自去年底开始量产后，良率与产能快速爬坡。而V9作为下一代节点，预计将采用超过300层的堆叠技术，进一步提升存储密度与成本竞争力。三星计划将V9用于大容量企业级SSD和AI存储场景。

与过去追求扩张产能不同，三星正通过新旧工艺的快速切换，优化产品组合。V6产线转型至V8、V9的过程将释放更高效率，满足数据中心和高性能计算对高容量NAND的需求。这一策略也被视为应对市场周期性波动、保持利润稳定的关键举措。全球NAND市场在AI需求带动下重回增长轨道，先进制程的切换速度决定了未来的供应格局。