中国设备商实现SiC激光剥离技术重大突破，8英寸量产率先达成

中国半导体设备供应商中微精密仪器宣布，在碳化硅（SiC）衬底制造领域实现里程碑式突破，成功实现8英寸激光剥离技术的规模化量产。该技术将晶锭切片过程中的总材料损耗压缩至40微米区间，较传统线锯工艺大幅提升出片率并降低生产成本。

激光剥离技术利用高能激光聚焦于碳化硅晶锭内部预定深度，形成改质层并使晶圆整片剥离，避免了机械切割带来的材料浪费和表面损伤。据中微精密仪器透露，其自主研发的系统不仅支持8英寸衬底，还可兼容6英寸产线，且剥离厚度均匀性控制在2微米以内，为后续研磨抛光工序节省了大量时间与耗材。

业内分析指出，碳化硅器件需求正由电动汽车、光伏逆变器及快充基础设施推动快速增长，大尺寸衬底是降低成本的关键路径。8英寸SiC衬底相比6英寸可提升约90%的芯片产出，但长晶和切割难度也成倍增加。中微精密仪器的激光剥离方案有望将单个晶锭切割出的衬底数量提升至传统方法的1.4倍，并减少30%以上的物料损耗。

该公司表示，目前已有数家国内外客户正在导入验证，预计2026年下半年将实现批量出货。这一进展标志着中国在宽禁带半导体设备领域自主化能力的进一步增强。