日美NAND联盟加速投资，铠侠与闪迪资本支出据称同比提升40%

随着全球存储市场需求格局的微妙变化，日美联合的NAND闪存阵营正悄然发力。据多方信息显示，由铠侠与闪迪（SanDisk）组成的技术与制造联盟在2026年度的资本支出计划出现显著增长，较去年同期增幅高达40%。这一决策的背后，是韩国存储双雄三星电子与SK海力士当前将大量投资资源倾斜至1c纳米级DRAM工艺的产能扩张上，导致其在NAND领域的投入节奏相对放缓。

根据德国知名科技媒体ComputerBase披露的数据，铠侠与闪迪位于日本的合资工厂正在加快设备导入与洁净室扩建，目标直指更高层数的3D NAND闪存量产。此次投资加码被视为该联盟试图缩小与市场领先者技术差距、并在全球NAND供应中重新掌握定价主动权的关键布局。行业分析师指出，此举恰好利用了大厂在NAND资本支出上的空窗期，有望在2026年下半年至2027年初形成有效产能，改变当前由少数厂商主导的供应格局。

目前全球NAND闪存市场正经历结构性调整。一方面，人工智能训练与推理对高带宽内存的需求挤占了部分存储投资；另一方面，消费电子与企业级SSD的搭载容量持续攀升，为NAND创造了长期增长空间。铠侠与闪迪的联合行动，不仅反映出日美半导体联盟在非易失性存储领域的战略决心，也可能引发新一轮的行业投资竞赛，对后续的闪存价格走势与供应链谈判带来深远影响。