三星于HBM4量产后三个月开始交付业界首款HBM4E样品，性能提升超20%

在2026年初启动HBM4量产后，三星电子近日宣布已开始向主要合作伙伴交付业界首款12层堆叠HBM4E内存样品，这一进度距HBM4正式出货仅三个月。三星表示，凭借HBM4已验证的1c DRAM制程和4nm逻辑基底芯片架构，HBM4E的开发周期大幅缩短，良率也得以快速优化。

相比前代HBM4，HBM4E的带宽和能效提升了20%以上，专为下一代AI训练芯片和超大规模数据中心设计。三星计划在2026年下半年实现HBM4E的量产，进一步巩固其在高端存储器市场的领先地位。