激光退火采用范围扩大：Wolfspeed与三星发力SiC及400层NAND

激光退火技术正从传统的硅基晶圆制造扩展至碳化硅领域。

ETNews消息显示，这种热处理方式开始在SiC衬底上获得应用，SiC作为下一代功率器件的关键材料，对退火工艺的均匀性和热预算提出更高要求，激光退火恰好能够满足这些需求。Wolfspeed与三星等企业近期加快SiC产能建设，推动该技术在碳化硅产线落地。

同时，NAND闪存堆叠层数向400层迈进，多层薄膜应力控制和杂质激活对退火环节提出新挑战，激光退火以其极速升降温、表面受限加热等优势成为优选方案。两大应用方向的并行推进使得激光退火设备需求步入上升通道，有望带动相关供应链成长。