内存现货价格更新:低密度DDR4与DDR3现价走强,整体市场横盘延续

内存现货价格更新:低密度DDR4与DDR3现价走强,整体市场横盘延续

根据集邦咨询最新内存现货价格趋势报告,本周DRAM现货市场出现结构性分化。低密度DDR4与DDR3颗粒受特定应用回补库存需求带动,现货报价小幅走高,询价活跃度有所提升;高阶DDR4与DDR5产品则因客户端库存充足、拉货动能有限,价格依旧承压,整体现货均价呈现横盘整理格局。

在NAND Flash现货领域,原厂和代理商为应对需求疲软而持续调整报价,部分3D NAND晶圆及成品颗粒报价微幅下调,目的在于加速消化现有库存。然而,终端需求能见度有限,买方仅针对急单进行策略性采购,对后市持观望态度,导致现货市场成交量无法有效放大。

从应用端观察,消费类电子及PC OEM需求恢复速度不如预期,服务器存储虽然仍有长单支撑,但现货需求零星。供应链普遍采取严控存货的策略,现货价格短期内难以形成明确的单边走势。模块厂和通路商亦多持保守心态,仅在价格低点时伺机少量备货。

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市场人士指出,低密度DRAM的暂时性上涨更多反映特定领域供需错配,而非整体需求全面回暖。后续需关注原厂产能控制力度及实际终端需求恢复状况,这两个因素将为第三季度存储现货价格走势定调。