三星预计在FMS 2026展示zHBM：下一代3D内存架构带宽提升4倍

三星电子预计将在2026年8月举行的FMS（闪存峰会）上，重点展示其下一代3D内存架构"zHBM"。该技术被视为高带宽内存（HBM）的重大突破，有望在垂直堆叠结构上实现4倍的带宽提升，直指AI计算中日益严峻的内存墙问题。

与此同时，三星还将公布"Z-NAND"等存储创新方案，进一步完善面向高性能计算和人工智能负载的存储层级。展会期间，三星会披露详细的3D内存与存储路线图，与竞争对手SK海力士近期联合SanDisk发布的HBF（高带宽闪存）标准形成正面交锋。

行业分析指出，随着大模型训练的算力需求激增，内存带宽已逐渐成为制约AI系统效率的关键瓶颈。zHBM通过引入创新的垂直互联与堆叠方式，可以显著提升单位面积内的数据吞吐量，为GPU和AI加速器提供更匹配的高速数据供给。如果该技术如期进入量产，将可能重塑下一代AI服务器和超大规模数据中心的存储架构。