力积电据传成为英特尔EMIB硅电容独家供应商，联电有望同步受惠

英特尔持续推进EMIB-T（嵌入式多芯片互连桥接带硅电容）先进封装布局，带动上游供应链接单全面升温。据供应链消息，力积电已通过12英寸集成被动元件平台切入英特尔EMIB-T供应链，成为其EMIB硅电容的独家代工供应商，相关产品主要用于改善封装内的电源完整性与信号噪声抑制，对于高带宽、高功耗的AI芯片及服务器CPU至关重要。

力积电近年来积极转型，重点投入12英寸铝制程平台开发高性能集成被动元件，在硅基电容上实现高密度、低等效串联电阻特性，精准匹配先进封装对极低杂散参数的要求。此次获得英特尔独家订单，不仅标志着其技术获得国际大厂认可，也为后续承接更多EMIB配套订单打开空间。

▍ 力积电凭借12英寸铝制程平台，在硅基电容上实现高密度、低等效串联电阻特性，精准匹配先进封装对极低杂散参数的要求，获得英特尔独家订单。

与此同时，成熟制程龙头联电同样受惠于英特尔封装方案扩张。由于EMIB-T需搭配高精度硅中介层进行多芯片信号布线，联电凭借其长期积累的65纳米至40纳米特种制程，在中介层关键层加工获得认证，预期在2026年下半年至2027年迎来明确订单放量，成为仅次于力积电的间接受益者。业界评估，英特尔Emerald Rapids之后的新一代数据中心处理器及下一代AI加速器将扩大采用EMIB-T方案，进一步推升双方出货规模。

英特尔方面未正面证实单一供应商信息，仅强调其EMIB-T生态将采用多元化、可扩展的供应链策略，以满足HPC与AI时代对先进封装的巨大需求。不过业内人士认为，在先进封装硅电容及中介层市场，台湾晶圆代工产业链凭借制程灵活性与成本效益，正逐步建立难以替代的供给地位，力积电与联电的联手卡位，也将强化台厂在英特尔次世代封装版图中的角色。