传长江存储投资SOI Micro，押注无EUV替代芯片制造路线

中国半导体产业在绕开EUV光刻的路径上持续加码。市场消息显示，长江存储已对广州企业SOI Micro进行投资，后者正在开发低功耗逻辑工艺，希望在不依赖极紫外光刻的情况下形成可用的芯片制造方案。

SOI Micro所走的SOI路线，通过在硅层之间加入埋氧层来降低漏电与寄生电容。该技术在射频、电源管理、车规芯片等对功耗和可靠性要求较高的领域已有应用，但将其用于逻辑芯片制造并减少对EUV的依赖，仍属于相对小众的探索方向。

长江存储此次投资之所以受关注，一方面在于其3D NAND工艺已具备较高水平，另一方面也反映出本土存储芯片厂商对逻辑制造替代路径的兴趣。若SOI Micro的低功耗逻辑平台能够完成验证并进入客户导入阶段，或将为特定应用场景提供新的选择。

但业内也提醒，SOI工艺在晶体管密度、大规模集成度和成本控制方面仍面临挑战，短期内难以完全替代FinFET或GAA等主流先进逻辑路线。后续进展仍需观察产品性能、良率以及生态支持。