光安伦Vertilite拟投资50亿元在常州建设InP激光芯片基地

化合物半导体光芯片厂商Vertilite（光安伦）已与常州市签署协议，计划在当地建设高端光通信芯片及器件研发与制造基地，总投资约50亿元。项目将重点布局InP激光芯片及配套器件。

InP激光芯片是高速光模块的核心光源器件，其性能直接影响模块速率与传输距离。新基地将帮助Vertilite扩充InP激光芯片产能，并将能力延伸至封装测试环节，完善从芯片到器件的交付链条。

高速数据中心和电信网络对光芯片需求持续上升，高端InP激光芯片的稳定供给受到行业重视。常州基地建成后，预计将向国内外光模块厂商提供更多高性能激光芯片，缓解高端光芯片供应紧张。

常州近年加快光电子与化合物半导体产业布局，已形成一定配套基础。Vertilite此次落子常州，有望带动外延材料、封装测试等环节进一步集聚，增强区域光通信产业链协同。

据公司介绍，后续将继续加大InP光芯片研发投入，推动高端光芯片量产能力提升。