高通HBC架构获三星SK海力士力挺，明年出货首代产品

芯片厂商正加速向内存领域延伸，高通成为最新入局者之一。该公司于今年6月发布高带宽计算（HBC）架构，将计算引擎从SoC中分离，置于LPDDR DRAM堆叠之下。

据韩媒《The Elec》报道，三星电子与SK海力士现已加入高通的HBC推进计划。报道援引高通执行副总裁杜尔加·马拉迪（Durga Malladi）在8月26日德意志银行科技大会2026上的发言称，两家韩国存储厂商正与高通积极合作，推动HBC商用化。

根据Investing.com的会议记录，马拉迪表示，他在高通投资者日结束后不久便赴韩国与两家存储厂商会面，原本预期对方会对HBC持保留态度。但实际情况是，两家公司均积极响应，并表达了加深与高通合作的意愿。

《The Elec》补充称，三星和SK海力士正将HBC与现有HBM路线图并行开发，高通计划于明年出货其第一代HBC产品。马拉迪还表示，高通正与两家存储厂商密切合作，以确保在产能爬坡期间获得稳定的DRAM供应。

HBC生态还将台积电纳入其中，各参与方分工明确。高通将负责核心设计与系统集成，开发DRAM堆叠下方的计算芯片并提供TSV（硅通孔）设计；三星电子与SK海力士负责DRAM堆叠；台积电则预计在技术整合和先进封装方面提供支持，据《The Elec》报道。

HBC架构、性能与路线图

《The Elec》解释称，HBC将多层低功耗DRAM（LPDDR）芯片垂直堆叠，直接置于加速器芯片（XPU）之上，该芯片作为堆叠底部的计算晶粒。通过硅通孔（TSV）将HBC加速器与LPDDR堆叠直接相连，从而在实现高带宽和高容量的同时，规避HBM及先进封装的高昂成本，Tom's Hardware指出。

高通尚未披露HBC的实际带宽。但据《The Elec》报道，当前AI加速器的HBM组合带宽约为21–24 TB/s，而HBC据称可在相同功耗下提供相当于HBM六倍的带宽和token吞吐效率。

该架构还宣称，在相同功耗下，其token吞吐量可达传统GPU系统的8倍，同时相比SRAM拥有更低的总拥有成本（TCO）——尽管SRAM速度高于传统DRAM。

高通已在规划快速的HBC部署路线。第一代HBC将于明年在AI250中亮相，提供18倍于AI200的带宽；AI300将于2028年推出，搭载第二代HBC，带宽达到AI200的54倍。据TechPowerUp报道，定于今年晚些时候发布的AI200将采用LPDDR5X，每个机架提供43 TB内存。