IRFB4115GPBF国产替代
参数对比
| 参数项 | Infineon(英飞凌) IRFB4115GPBF |
Siliup(矽普) SP015N09GHTQ |
对比结论 |
|---|---|---|---|
| 最大漏源电压 VDSS | 150V | 150V | 一致 |
| 漏极连续电流 ID (Tc=25℃) | 104A | 90A | IRFB4115GPBF更高 |
| 漏极连续电流 ID (Tc=100℃) | 74A | 60A | IRFB4115GPBF更高 |
| 漏极脉冲电流 IDM | 420A | 360A | IRFB4115GPBF更高 |
| 最大功耗 PD(Tc=25℃) | 380W | 180W | IRFB4115GPBF更高 |
| 结-壳热阻 RθJC | 0.40°C/W | 0.69°C/W | IRFB4115GPBF更优 |
| 工作结温 TJ | -55~175°C | -55~150°C | IRFB4115GPBF耐温更高 |
| 静态导通电阻 RDS(on)（Typ/Max） | 9.3/11 mΩ @10V, 62A | 9/12 mΩ @10V, 20A | 矽普typ值略低，max接近 |
| 栅极阈值电压 VGS(th) | 3.0~5.0V | 2.0~4.0V | 矽普启控电压范围更宽，门槛略低 |
| 漏极漏电流 IDSS | 20μA (25℃) 250μA (125℃) |
1μA (25℃，120V) | 矽普漏电流更低（静态） |
| 栅极总电荷 Qg | 77nC（Typ）/120nC（Max）@62A | 30nC（Typ）@30A | SP015N09GHTQ显著更低，上升/下降快 |
| 输入电容 Ciss | 5270pF | 3310pF | 矽普更小，切换利于高频 |
| 导通延迟时间 td(on) | 18ns (Typ) @62A | 13ns (Typ) @30A | 矽普数据更快（测试电流不同，仅供参考） |
| 上升时间 tr | 73ns (Typ) | 25ns (Typ) | 矽普明显更快 |
| 下降时间 tf | 39ns (Typ) | 25ns (Typ) | 矽普更好 |
| 体二极管正向压降 VSD | 1.3V (Max, 62A) | 1.2V (Max, 1A) | 矽普参数优（测试点不同，仅参考） |
| 体二极管反向恢复时间 trr | 86/110ns (25℃/125℃, 62A) | 76ns (25℃, 20A) | 矽普数据快（测试条件不同） |
| 体二极管反向恢复电荷 Qrr | 300/450nC | 175nC | 矽普体二极管性能更优 |
| 封装 | TO-220AB | TO-220-3L | 封装兼容 |
| 产品图片 | 暂无 |  |
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Siliup(矽普) SP015N09GHTQ
SP015N09GHTQ是由合肥矽普半导体推出的一款150V N沟道功率MOSFET，采用先进分体栅沟槽工艺，具有极低的RDS(on)、高速开关、低栅极电荷等特点。其典型导通电阻为9mΩ，最大漏极连续电流达90A，适用于高效率能量转换场合。该器件100%通过单脉冲雪崩能量测试，保证了极优的雪崩耐受能力，同时兼容主流TO-220封装，适配工业电源、DC-DC转换等高端应用。除提供优越的功率密度外，其低导通损耗和恢复特性也满足高频、硬开关环境的技术需求。
应用领域
- 高频高效同步整流及驱动级场效应管
- 大功率服务型开关电源（SMPS）、UPS不间断电源
- 工业DC-DC转换器
- 快速开关功率变换器
- 硬开关、高频高可靠性功率电路
产品特点
- 快速开关特性
- 低栅极电荷和低导通电阻
- 先进分体栅沟槽工艺
- 100%单脉冲雪崩能量测试
- TO-220-3L标准封装
产品优势
通过与IRFB4115GPBF对比，SP015N09GHTQ表现出更低的栅极电荷和更小的输入电容，有利于提升高频开关效率并减少驱动能耗。其体二极管反向恢复时间和反向恢复电荷参数同样明显优于原型号，有助于降低高频回扫损耗，适合高频、硬开关场合。从静态导通电阻和体二极管正向压降指标看，SP015N09GHTQ在轻负载及快速响应要求下具备一定竞争力，但在连续大电流、极限功耗和高温环境下，原型号体现更强承载及耐热性。总体，SP015N09GHTQ更适合对切换速度和损耗严格要求的现代工业电源系统。
注：以上参数来源于数据手册，实际应用建议以最新规格书为准或联系我们(圣禾堂在线客服)。
