英诺赛科亮相OCP峰会：GaN功率方案助力AI数据中心降耗增效

在10月下旬举行的开放计算项目（Open Compute Project，OCP）全球峰会上，中国氮化镓（GaN）功率半导体巨头英诺赛科（Innoscience）展示了面向下一代AI基础设施的GaN功率解决方案。公司以NVIDIA MGX生态系统参与者的身份亮相。

随着AI算力规模扩大，功率已成为制约数据中心性能的关键因素。转换过程中每损失一瓦，都会限制单个机架可提供的算力。英诺赛科的GaN方案直接针对这一瓶颈，可在AI服务器、数据中心电源及新兴800 VDC架构中实现更高功率密度、更低能量损耗和更高系统效率。

面向AI需求的规模化制造能力

英诺赛科表示，公司运营着全球最大的垂直整合GaN制造平台，并在高量产8英寸硅基氮化镓（GaN-on-silicon）生产方面处于行业领先。设计、工艺与制造集中于同一体系，使超大规模云服务商（hyperscalers）和AI基础设施提供商在部署加速时获得最关键的能力：经过验证的规模、供应链韧性以及大规模下的成本竞争力。

公司称，参与NVIDIA MGX生态系统体现了这种准备程度，并使英诺赛科能够支持合作伙伴构建支撑AI基础设施的模块化高性能平台。

快速增长的市场

根据Yole Group的《Power GaN 2026》报告，全球功率GaN器件市场预计到2031年将达到约35亿美元，复合年增长率（CAGR）为35%。包括AI数据中心在内的基础设施与电信应用预计增长更快，复合年增长率达45%。

Grand View Research预计，涵盖电力电子、射频（RF）、电信基础设施、汽车和工业应用的更广泛GaN半导体器件市场，到2033年将达到约289亿美元。

英诺赛科表示，凭借制造规模、广泛的产品组合和已建立的高量产能力，公司具备良好定位，可在这个不断扩张的市场中支持客户。