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自1976年开发出功率MOSFET以来，由于半导体工艺技术的发展，它的性能不断提高：如高压功率MOSFET其工作电压可达1000V；低导通电阻MOSFET其阻值仅lOmΩ；工作频率范围从直流到达数兆赫；
2020-11-05 17:11:28
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单结晶体管（简称UJT）又称基极二极管，它是一种只有一个PN结和两个电阻接触电极的半导体器件，它的基片为条状的高阻N型硅片，两端分别用欧姆接触引出两个基极b1和b2。
2020-11-05 16:37:00
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一个N沟道IGBT基本上是一个N沟道功率MOSFET构建在p型衬底上，图1为通常的IGBT横截面。（PT IGBT有一个额外的N+层，并将加以解释。）因此，使用IGBT和使用功率MOSFET非常相似。
2020-11-05 16:22:41
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电子管的发明与盘尼西林以及轮胎的发现一样具有戏剧性：在实验室中靠近窗户几个未清洗的实验皿，不经意从窗外飘来一些霉菌落在实验皿上，科学家惊讶的发现某些落入实验皿中的霉菌，可以抑制坏菌的扩散与成长，加以实验分析之後这种霉菌就成为了有效且使用广泛的抗生素之一；
2020-11-05 16:11:37
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  按极性分，三极管有PNP和NPN两种，而二极管有P型和N型之分。多数国产管用xxx表示，其中每一位都有特定含义：如 3 A X 31，第一位3代表三极管，2代表二极管。第二位代表材料和极性。
2020-11-05 15:37:38
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晶体管—— 20 世纪在电子技术方面最伟大的发明，推动了信息革命，带动了产业革命，开辟了亿万个就业岗位，改变了人类社会工作方式和生活方式，奠定了现代文明社会的基础。
2020-11-05 15:33:03
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芯片问题在近期关注度颇高， 而台积电近期在2nm工艺上的重大突破，更是进一步加深国人恐慌——中国芯片到底何时能追上国外？华为的芯片突围之路是否再次雪上加霜了？
2020-11-05 09:46:39
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按用途分类 　　电子管按其用途的不同可分为电压放大管、功率大管、充气管、闸流管、引燃管、混频或变频管、整流管、振荡管、检波管、调谐指过管、稳压管等。
2020-11-04 18:10:32
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1904年，世界上第一只电子管在英国物理学家弗莱明的手下诞生了。弗莱明为此获得了这项发明的专利权。人类第一只电子管的诞生，标志着世界从此进入了电子时代。
2020-11-04 14:07:47
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据网络报道，华为将在上海建设一家45nm制程工艺起步且不使用美国技术的芯片工厂，计划在2021年年底为物联网设备制造28nm芯片，且预计在2022年底之前为5G设备供应20nm芯片。
2020-11-03 17:02:21
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