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CJ(江苏长电/长晶)

CJ(江苏长电/长晶)

江苏长晶科技股份有限公司成立于2018年11月,总部位于江苏南京江北新区研创园。作为一家专业从事半导体产品研发、生产和销售的企业,长晶科技致力于推动中国半导体产业的创新与发展。公司主营产品包括分立器件和电源管理IC,涵盖二极管、三极管、MOSFET、IGBT单管/模块以及第三代半导体等。长晶科技以其强大的研发能力和丰富的产品线,满足消费级、工业级和车规级标准,支持客户的一站式采购需求。长晶科技的愿景是创造世界一流的半导体品牌,并在行业内树立了良好的声誉。

分类 :
全部稳压二极管三极管(BJT)肖特基二极管场效应管(MOSFET)二极管线性稳压器(LDO)开关二极管数字晶体管瞬态抑制二极管(TVS)通用二极管电压基准芯片无源晶振达林顿管运算放大器快恢复/超快恢复二极管晶闸管(可控硅)/模块比较器板级电路保护DC-DC电源芯片整流桥高效率二极管晶体管达林顿晶体管阵列FET输入运放静电放电(ESD)保护器件贴片电阻通用二极管
型号/品牌参数/描述库存批次价格阶梯(含税)数量操作
MMBT5551 H 产品实物图片
封装:SOT23复制
别名:MMBT5551 L, MMBT5551复制
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描述:晶体管 放大倍数H档位复制
库存:659951复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
1+0.052216
3000+0.041302
量大可议价
合计0.05
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MMBT3904 产品实物图片
自营MMBT3904复制
封装:SOT23复制
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描述:三极管(晶体管) MMBT3904 1AM SOT-23复制
库存:498561复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
1+0.039911
3000+0.031672
量大可议价
合计0.04
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S8550 产品实物图片
自营S8550复制
封装:SOT-23复制
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描述:三极管(晶体管) S8550 TO-92复制
库存:390461复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
1+0.048616
3000+0.038625
量大可议价
合计0.05
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SS8050 产品实物图片
自营SS8050复制
封装:SOT-23(SOT-23-3)复制
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描述:三极管(晶体管) SS8050 SOT-23复制
库存:376319复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
1+0.04935
3000+0.039165
量大可议价
合计0.05
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MMBT5401 产品实物图片
自营MMBT5401复制
封装:SOT23复制
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描述:PNP SOT-23 0.6A 150V复制
库存:351415复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
1+0.050076
3000+0.039697
量大可议价
合计0.05
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S8050 产品实物图片
自营S8050复制
封装:SOT23复制
别名:S8050-J3Y复制
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描述:三极管(晶体管)S8050 SOT23 NPN,Vceo=25V 复制
库存:338618复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
1+0.050295
3000+0.0399
量大可议价
合计0.05
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1N4148WS 产品实物图片
自营1N4148WS复制
封装:SOD-323复制
别名:1N4148WS-ES复制
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二极管配置独立式复制
正向压降(Vf)1.25V@150mA复制
直流反向耐压(Vr)100V复制
整流电流150mA复制
描述:开关二极管 独立式 1.25V@150mA 100V 150mA复制
库存:308938复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
1+0.040176
3000+0.03186
量大可议价
合计0.04
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CJ431 0.5% 产品实物图片
封装:SOT-23(SOT-23-3)复制
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描述:集成电源管理电路(PMIC)复制
库存:278317复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
1+0.12852
3000+0.1134
量大可议价
合计0.13
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CJ2310 产品实物图片
自营CJ2310复制
封装:SOT-23(SOT-23-3)复制
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数量1个N沟道复制
漏源电压(Vdss)60V复制
连续漏极电流(Id)3A复制
导通电阻(RDS(on))125mΩ@4.5V复制
描述:场效应管(MOSFET) 350mW 60V 3A 1个N沟道复制
库存:236867复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
1+0.135
3000+0.107676
量大可议价
合计0.14
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DTC143XCA 产品实物图片
自营DTC143XCA复制
封装:SOT-23复制
复制
数量1个NPN-预偏置复制
集射极击穿电压(Vceo)50V复制
集电极电流(Ic)100mA复制
耗散功率(Pd)200mW复制
描述:数字晶体管 200mW 50V 100mA 1个NPN-预偏置复制
库存:233467复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
1+0.07074
3000+0.05616
量大可议价
合计0.07
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SS8550 产品实物图片
自营SS8550复制
封装:SOT-23(SOT-23-3)复制
复制
描述:三极管(晶体管) SS8550 SOT-23复制
库存:213600复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
1+0.050112
3000+0.039744
量大可议价
合计0.05
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S9013 产品实物图片
自营S9013复制
封装:SOT-23(SOT-23-3)复制
复制
晶体管类型NPN复制
集电极电流(Ic)500mA复制
集射极击穿电压(Vceo)25V复制
耗散功率(Pd)300mW复制
描述:三极管(晶体管) S9013 复制
库存:197942复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
1+0.050544
3000+0.040068
量大可议价
合计0.05
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CJ78M05 产品实物图片
自营CJ78M05复制
封装:TO-252-2L复制
复制
输出类型固定复制
工作电压35V复制
输出电压5V复制
输出电流500mA复制
描述:线性稳压器(LDO) 固定 35V 500mA 5V复制
库存:190786复制
最小包 : 2500复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
1+0.40608
2500+0.3726
量大可议价
合计0.41
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BSS84 产品实物图片
自营BSS84复制
封装:SOT-23(SOT-23-3)复制
复制
数量1个P沟道复制
漏源电压(Vdss)50V复制
连续漏极电流(Id)130mA复制
耗散功率(Pd)225mW复制
描述:场效应管(MOSFET) 360mW 50V 130mA 1个P沟道复制
库存:180890复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
1+0.078948
3000+0.06264
量大可议价
合计0.08
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CD431 产品实物图片
自营CD431复制
封装:SOT-23复制
复制
输出类型可调复制
输出电压2.5V~36V复制
输出电流100mA复制
精度±0.5%复制
描述:电压基准芯片 可调 100mA ±0.5% 2.5V~36V复制
库存:174335复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
1+0.17064
3000+0.1512
量大可议价
合计0.17
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