
CJ(江苏长电/长晶)
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型号/品牌参数/描述库存批次价格阶梯(含税)数量操作
¥12领取
描述:三极管(晶体管) SS8550 SOT-23复制
库存:880563复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次:26+
1+¥0.080352
3000+¥0.06372
合计¥0.08
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¥12领取
描述:三极管(晶体管)复制
库存:508073复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次:26+
1+¥0.075293
3000+¥0.05974
合计¥0.08
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晶体管类型:NPN复制
集电极电流(Ic):500mA复制
集射极击穿电压(Vceo):25V复制
耗散功率(Pd):300mW复制
描述:三极管(晶体管) S9013 复制
库存:434662复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:26+
1+¥0.05994
3000+¥0.04752
合计¥0.06
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描述:晶体管 放大倍数H档位复制
库存:426787复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次:26+
1+¥0.070085
3000+¥0.05564
合计¥0.07
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描述:三极管(晶体管)S8050 SOT23 NPN,Vceo=25V 复制
库存:372040复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次:两年内
1+¥0.072765
3000+¥0.05775
合计¥0.07
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数量:1个N沟道复制
漏源电压(Vdss):60V复制
连续漏极电流(Id):115mA复制
导通电阻(RDS(on)):5Ω@10V复制
描述:场效应管(MOSFET) 200mW 60V 115mA 1个N沟道复制
库存:345356复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:26+
1+¥0.081648
3000+¥0.0648
合计¥0.08
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晶体管类型:NPN复制
集电极电流(Ic):1A复制
集射极击穿电压(Vceo):80V复制
耗散功率(Pd):500mW复制
描述:三极管(BJT)复制
库存:297465复制
最小包 : 1000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:26+
1+¥0.19656
1000+¥0.17712
合计¥0.2
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¥12领取
数量:1个N沟道复制
漏源电压(Vdss):60V复制
连续漏极电流(Id):340mA复制
导通电阻(RDS(on)):3Ω@4.5V复制
描述:场效应管(MOSFET) 350mW 60V 340mA 1个N沟道复制
库存:177795复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:26+
1+¥0.10206
3000+¥0.081
合计¥0.1
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二极管配置:独立式复制
耗散功率(Pd):500mW复制
整流电流:150mA复制
直流反向耐压(Vr):100V复制
描述:开关二极管 独立式 1.25V@150mA 100V 150mA复制
库存:174427复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:26+
1+¥0.074844
3000+¥0.0594
合计¥0.07
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晶体管类型:NPN复制
集电极电流(Ic):100mA复制
集射极击穿电压(Vceo):45V复制
耗散功率(Pd):200mW复制
描述:三极管(BJT) 200mW 45V 100mA NPN复制
库存:173110复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:26+
1+¥0.057888
3000+¥0.046008
合计¥0.06
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输出极性:正极复制
工作电压:35V复制
输出电压:5V复制
输出电流:500mA复制
描述:线性稳压器(LDO) 固定 35V 500mA 5V复制
库存:162798复制
最小包 : 2500复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:两年内
1+¥0.50004
2500+¥0.459
合计¥0.5
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数量:1个P沟道复制
漏源电压(Vdss):50V复制
连续漏极电流(Id):130mA复制
导通电阻(RDS(on)):4.5Ω@10V复制
描述:场效应管(MOSFET) 360mW 50V 130mA 1个P沟道复制
库存:162574复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:26+
1+¥0.101088
3000+¥0.080136
合计¥0.1
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输出类型:可调复制
输出电压:2.5V~36V复制
输出电流:100mA复制
精度:±0.5%复制
描述:电压基准芯片 可调 100mA ±0.5% 2.5V~36V复制
库存:124234复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:两年内
1+¥0.21492
3000+¥0.19008
合计¥0.21
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¥12领取
数量:1个N沟道复制
漏源电压(Vdss):30V复制
连续漏极电流(Id):3.16A复制
导通电阻(RDS(on)):65mΩ@4.5V复制
描述:场效应管(MOSFET) 750mW 30V 3.16A 1个N沟道复制
库存:103940复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:26+
1+¥0.14148
3000+¥0.12528
合计¥0.14
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¥12领取
描述:三极管(晶体管) MMBT3904 1AM SOT-23复制
库存:97322复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次:26+
1+¥0.059535
3000+¥0.04725
合计¥0.06
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