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CJ(江苏长电/长晶) 品牌logo图

CJ(江苏长电/长晶)

江苏长晶科技股份有限公司是一家专业从事半导体产品研发、生产和销售的企业。公司成立于2018年11月,总部坐落于江苏南京江北新区研创园,在深圳、上海、北京、香港等地设有子公司及办事处。 公司主营产品包括成品(分立器件、电源管理IC)和晶圆两大类,覆盖二极管、三极管、MOSFET、IGBT单管/模块、第三代半导体,以及以LDO、DC-DC、锂电保护为代表的电源管理IC产品。相关产品可满足消费级、工业级和车规级标准,支持客户一站式采购需求。 公司秉持“创造世界一流的半导体品牌”的发展愿景,以实现我国功率半导体领域关键核心技术的自主可控为己任,持续推动分立器件和电源管理IC等业务板块快速、稳健、可持续发展。

分类 :
全部三极管(BJT)静电和浪涌保护(TVS/ESD)稳压二极管肖特基二极管场效应管(MOSFET)线性稳压器(LDO)快恢复/高效率二极管开关二极管数字晶体管无源晶振整流桥通用二极管有源晶振逻辑门缓冲器/驱动器/收发器电压基准芯片达林顿管反相器晶闸管(可控硅)/模块运算放大器DC-DC电源芯片模拟开关/多路复用器移位寄存器触发器信号开关/编解码器/多路复用器转换器/电平移位器锁存器达林顿晶体管阵列FET输入运放比较器单稳态多谐振荡器无刷直流(BLDC)电机驱动芯片有刷直流电机驱动芯片IGBT管/模块精密运放监控和复位芯片电池管理计数器/分频器步进电机驱动芯片
品牌 :
全部CJ(江苏长电/长晶)
型号/品牌参数/描述库存批次价格阶梯(含税)数量操作
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自营SS8550复制
封装:SOT-23(SOT-23-3)复制
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描述:三极管(晶体管) SS8550 SOT-23复制
库存:880563复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次:26+
1+0.080352
3000+0.06372
量大可议价
合计0.08
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自营S8550复制
封装:SOT-23复制
别名:S8550 2TY, S8550/2TY复制
12领取
描述:三极管(晶体管)复制
库存:508073复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次:26+
1+0.075293
3000+0.05974
量大可议价
合计0.08
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自营S9013复制
封装:SOT-23(SOT-23-3)复制
别名:S9013 J3复制
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晶体管类型NPN复制
集电极电流(Ic)500mA复制
集射极击穿电压(Vceo)25V复制
耗散功率(Pd)300mW复制
描述:三极管(晶体管) S9013 复制
库存:434662复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:26+
1+0.05994
3000+0.04752
量大可议价
合计0.06
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封装:SOT23复制
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描述:晶体管 放大倍数H档位复制
库存:426787复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次:26+
1+0.070085
3000+0.05564
量大可议价
合计0.07
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自营S8050复制
封装:SOT23复制
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描述:三极管(晶体管)S8050 SOT23 NPN,Vceo=25V 复制
库存:372040复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次:两年内
1+0.072765
3000+0.05775
量大可议价
合计0.07
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自营2N7002复制
封装:SOT-23(SOT-23-3)复制
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数量1个N沟道复制
漏源电压(Vdss)60V复制
连续漏极电流(Id)115mA复制
导通电阻(RDS(on))5Ω@10V复制
描述:场效应管(MOSFET) 200mW 60V 115mA 1个N沟道复制
库存:345356复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:26+
1+0.081648
3000+0.0648
量大可议价
合计0.08
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自营BCX56-16复制
封装:SOT-89-3L复制
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晶体管类型NPN复制
集电极电流(Ic)1A复制
集射极击穿电压(Vceo)80V复制
耗散功率(Pd)500mW复制
描述:三极管(BJT)复制
库存:297465复制
最小包 : 1000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:26+
1+0.19656
1000+0.17712
量大可议价
合计0.2
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自营2N7002K复制
封装:SOT-23(SOT-23-3)复制
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数量1个N沟道复制
漏源电压(Vdss)60V复制
连续漏极电流(Id)340mA复制
导通电阻(RDS(on))3Ω@4.5V复制
描述:场效应管(MOSFET) 350mW 60V 340mA 1个N沟道复制
库存:177795复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:26+
1+0.10206
3000+0.081
量大可议价
合计0.1
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自营1N4148W复制
封装:SOD-123复制
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二极管配置独立式复制
耗散功率(Pd)500mW复制
整流电流150mA复制
直流反向耐压(Vr)100V复制
描述:开关二极管 独立式 1.25V@150mA 100V 150mA复制
库存:174427复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:26+
1+0.074844
3000+0.0594
量大可议价
合计0.07
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自营S9014复制
封装:SOT-23(SOT-23-3)复制
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晶体管类型NPN复制
集电极电流(Ic)100mA复制
集射极击穿电压(Vceo)45V复制
耗散功率(Pd)200mW复制
描述:三极管(BJT) 200mW 45V 100mA NPN复制
库存:173110复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:26+
1+0.057888
3000+0.046008
量大可议价
合计0.06
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自营CJ78M05复制
封装:TO-252-2L复制
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输出极性正极复制
工作电压35V复制
输出电压5V复制
输出电流500mA复制
描述:线性稳压器(LDO) 固定 35V 500mA 5V复制
库存:162798复制
最小包 : 2500复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:两年内
1+0.50004
2500+0.459
量大可议价
合计0.5
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自营BSS84复制
封装:SOT-23(SOT-23-3)复制
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数量1个P沟道复制
漏源电压(Vdss)50V复制
连续漏极电流(Id)130mA复制
导通电阻(RDS(on))4.5Ω@10V复制
描述:场效应管(MOSFET) 360mW 50V 130mA 1个P沟道复制
库存:162574复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:26+
1+0.101088
3000+0.080136
量大可议价
合计0.1
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自营CD431复制
封装:SOT-23复制
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输出类型可调复制
输出电压2.5V~36V复制
输出电流100mA复制
精度±0.5%复制
描述:电压基准芯片 可调 100mA ±0.5% 2.5V~36V复制
库存:124234复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:两年内
1+0.21492
3000+0.19008
量大可议价
合计0.21
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自营CJ2306复制
封装:SOT-23(SOT-23-3)复制
12领取
数量1个N沟道复制
漏源电压(Vdss)30V复制
连续漏极电流(Id)3.16A复制
导通电阻(RDS(on))65mΩ@4.5V复制
描述:场效应管(MOSFET) 750mW 30V 3.16A 1个N沟道复制
库存:103940复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:26+
1+0.14148
3000+0.12528
量大可议价
合计0.14
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自营MMBT3904复制
封装:SOT23复制
12领取
描述:三极管(晶体管) MMBT3904 1AM SOT-23复制
库存:97322复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次:26+
1+0.059535
3000+0.04725
量大可议价
合计0.06
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