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碳化硅二极管
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二极管配置：1个独立式复制
整流电流：30A复制
正向压降(Vf)：1.5V复制
直流反向耐压(Vr)：600V复制
描述：总电容电荷（Qc）:25nC
总功率(Ptot):136W复制库存：4138复制
最小包 : 1000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次：两年内
1+￥2.49
1000+￥2.37
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合计￥2.49
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二极管配置：1个独立式复制
整流电流：10A复制
正向压降(Vf)：1.45V@10A复制
直流反向耐压(Vr)：650V复制
描述：650 V 10 A power Schottky silicon carbid复制库存：3000复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次：24+
1+￥11.93
3000+￥11.7
量大可议价
合计￥11.93
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二极管配置：独立式复制
整流电流：9.1A复制
正向压降(Vf)：1.38V@6A复制
直流反向耐压(Vr)：650V复制
描述：650V 6A SIC SBD GEN1.5复制库存：2500复制
最小包 : 2500复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次：24+
1+￥8.8
2500+￥8.5
量大可议价
合计￥8.8
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整流电流：2A复制
正向压降(Vf)：1.5V@2A复制
直流反向耐压(Vr)：1.2kV复制
描述：碳化硅二极管 STPSC2H12B-TR1 TO-252-2(DPAK)复制库存：2478复制
最小包 : 2500复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次：21+
1+￥21.73
2500+￥21.2
量大可议价
合计￥21.73
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二极管类型：碳化硅肖特基复制
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：1200V复制
电流 - 平均整流 (Io)：56A（DC）复制
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.8V @ 20A复制
描述：The CoolSiC™ Schottky diode generation 5 1200 V, 20 A in a TO-220 real2pin package, presents a leading edge technology for SiC Schottky Barrier diodes. The thin wafer technology, already introduced with G2, is now combined with a new merged pn junction improving diode surge current capabilities. The result is a series of products delivering market leading efficiency and more system reliability at an attractive cost复制库存：1088复制
最小包 : 500复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次：24+
1+￥29.47
500+￥28.67
量大可议价
合计￥29.47
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