碳化硅二极管
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二极管配置：1个独立式复制
整流电流：30A复制
正向压降(Vf)：1.5V复制
直流反向耐压(Vr)：600V复制
描述：总电容电荷（Qc）:25nC
总功率(Ptot):136W复制库存：3809复制
最小包 : 1000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次：26+
1+￥2.42
1000+￥2.31
合计￥2.42
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二极管配置：1个独立式复制
整流电流：10A复制
正向压降(Vf)：1.45V@10A复制
直流反向耐压(Vr)：650V复制
描述：650 V 10 A power Schottky silicon carbid复制库存：3000复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次：24+
1+￥11.23
3000+￥11.02
合计￥11.23
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二极管配置：独立式复制
整流电流：9.1A复制
正向压降(Vf)：1.38V@6A复制
直流反向耐压(Vr)：650V复制
描述：650V 6A SIC SBD GEN1.5复制库存：2492复制
最小包 : 2500复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次：24+
1+￥7.45
2500+￥7.2
合计￥7.45
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整流电流：2A复制
正向压降(Vf)：1.5V@2A复制
直流反向耐压(Vr)：1.2kV复制
描述：碳化硅二极管 STPSC2H12B-TR1 TO-252-2(DPAK)复制库存：2478复制
最小包 : 2500复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次：21+
1+￥21.73
2500+￥21.2
合计￥21.73
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二极管配置：1个独立式复制
整流电流：30A复制
正向压降(Vf)：1.5V复制
直流反向耐压(Vr)：650V复制
描述：总电容电荷（Qc）:25nC 复制库存：1266复制
最小包 : 1000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次：两年内
1+￥2.1
1000+￥2
合计￥2.1
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