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碳化硅二极管
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二极管配置：1个独立式复制
整流电流：30A复制
正向压降(Vf)：1.5V复制
直流反向耐压(Vr)：600V复制
描述：总电容电荷（Qc）:25nC
总功率(Ptot):136W复制库存：4148复制
最小包 : 1000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次：两年内
1+￥2.51
1000+￥2.4
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合计￥2.51
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二极管配置：1个独立式复制
整流电流：10A复制
正向压降(Vf)：1.45V@10A复制
直流反向耐压(Vr)：650V复制
描述：650 V 10 A power Schottky silicon carbid复制库存：3000复制
最小包 : 3000复制
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RoHS
批次：24+
1+￥12.19
3000+￥11.96
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合计￥12.19
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二极管类型：碳化硅肖特基复制
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：1200V复制
电流 - 平均整流 (Io)：56A（DC）复制
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.8V @ 20A复制
描述：The CoolSiC™ Schottky diode generation 5 1200 V, 20 A in a TO-220 real2pin package, presents a leading edge technology for SiC Schottky Barrier diodes. The thin wafer technology, already introduced with G2, is now combined with a new merged pn junction improving diode surge current capabilities. The result is a series of products delivering market leading efficiency and more system reliability at an attractive cost复制库存：1644复制
最小包 : 500复制
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RoHS
批次：24+
9.5折
1+￥28.6235
500+￥27.835
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合计￥28.62
已优惠-￥1.51￥12领取
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二极管配置：1个独立式复制
整流电流：19A复制
正向压降(Vf)：1.7V@6A复制
直流反向耐压(Vr)：600V复制
描述：总电容电荷（Qc）:23nC
总功率(Ptot):73W复制库存：1049复制
最小包 : 1000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次：两年内
1+￥2.2
1000+￥2.1
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合计￥2.2
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描述：Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 4A; 45W; PG-TO220-2复制
库存：1000复制
最小包 : 500复制
起订量 : 1复制
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批次：26+
1+￥4.18
500+￥4
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合计￥4.18
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整流电流：20A复制
正向压降(Vf)：1.5V@20A复制
直流反向耐压(Vr)：1.2kV复制
反向电流(Ir)：120uA@1200V复制
描述：碳化硅二极管 STPSC20H12GY-TR D2PAK复制库存：998复制
最小包 : 1000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次：23+
1+￥35.88
1000+￥34.96
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合计￥35.88
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二极管类型：碳化硅肖特基复制
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：650V复制
电流 - 平均整流 (Io)：10A复制
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.75V @ 10A复制
描述：Diode: Schottky rectifying; SMD; 650V; 10A; D2PAK; reel,tape复制库存：998复制
最小包 : 1000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次：24+
1+￥10.52
1000+￥10.24
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合计￥10.52
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二极管配置：1个独立式复制
整流电流：30A复制
正向压降(Vf)：1.5V复制
直流反向耐压(Vr)：650V复制
描述：总电容电荷（Qc）:25nC 复制库存：921复制
最小包 : 1000复制
起订量 : 1复制
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批次：25+
1+￥2.23
1000+￥2.16
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合计￥2.23
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二极管配置：1个独立式复制
整流电流：55A复制
正向压降(Vf)：1.5V复制
直流反向耐压(Vr)：650V复制
描述：总电容电荷（Qc）:110nC
总功率(Ptot):250W复制库存：819复制
最小包 : 50复制
起订量 : 1复制
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批次：25+
1+￥4.26
50+￥3.94
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二极管配置：独立式复制
整流电流：10A复制
正向压降(Vf)：1.56V@10A复制
直流反向耐压(Vr)：650V复制
描述：肖特基二极管复制库存：768复制
最小包 : 1000复制
起订量 : 1复制
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RoHS
批次：23+
1+￥8.28
1000+￥8
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合计￥8.28
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整流电流：10A复制
正向压降(Vf)：1.75V@10A复制
直流反向耐压(Vr)：650V复制
描述：二极管阵列-1-对共阴极-碳化硅肖特基-650V-10A-通孔-TO-247-3复制库存：598复制
最小包 : 600复制
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批次：23+
1+￥20.16
600+￥19.57
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描述：Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; 63W; PG-TO220-2复制
库存：500复制
最小包 : 500复制
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批次：26+
1+￥6.32
500+￥6.07
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合计￥6.32
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二极管配置：独立式复制
整流电流：20A复制
正向压降(Vf)：1.25V@8A复制
直流反向耐压(Vr)：650V复制
描述：The CoolSiC™ Schottky diode 650V G6 is the leading edge technology from Infineon for the SiC Schottky barrier diodes, fully leveraging all advantages of SiC over silicon. An Infineon proprietary innovative soldering process is combined with a more compact design, thin-wafer technology and a novel Schottky metal system. The result is a family of products with improved efficiency over all load conditions, resulting from a best-in-class figure of merit (Q c x V F ).复制库存：498复制
最小包 : 500复制
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RoHS
批次：26+
1+￥6.4
500+￥6.15
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二极管配置：独立式复制
整流电流：19A复制
正向压降(Vf)：1.4V@5A复制
直流反向耐压(Vr)：1.2kV复制
描述：总电容电荷（Qc）:27nC
总功率(Ptot):81W复制库存：479复制
最小包 : 50复制
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批次：25+
1+￥3.47
50+￥3.21
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二极管配置：1个独立式复制
整流电流：13.5A复制
正向压降(Vf)：1.7V@4A复制
直流反向耐压(Vr)：600V复制
描述：总电容电荷（Qc）:23nC
总功率(Ptot):73W复制库存：447复制
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起订量 : 1复制
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批次：25+
1+￥2.92
50+￥2.7
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二极管配置：1个独立式复制
整流电流：33A复制
正向压降(Vf)：1.5V复制
直流反向耐压(Vr)：1.2kV复制
描述：总电容电荷（Qc）:77.5nC
总功率(Ptot):174.5W复制库存：413复制
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起订量 : 1复制
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批次：25+
1+￥5.41
50+￥5.15
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合计￥5.41
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整流电流：6A复制
正向压降(Vf)：2.3V@6A复制
直流反向耐压(Vr)：600V复制
反向电流(Ir)：50uA@600V复制
描述：碳化硅肖特基二极管 SIC复制库存：407复制
最小包 : 50复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次：25+
1+￥6.27
50+￥5.98
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合计￥6.27
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二极管配置：1个独立式复制
整流电流：2A复制
正向压降(Vf)：1.36V@2A复制
直流反向耐压(Vr)：1.2kV复制
描述：未分类复制库存：300复制
最小包 : 50复制
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批次：26+
1+￥2.07
50+￥1.88
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合计￥2.07
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二极管配置：1个独立式复制
整流电流：39A复制
正向压降(Vf)：1.5V复制
直流反向耐压(Vr)：1.2kV复制
描述：总电容电荷（Qc）:37nC
总功率(Ptot):270W复制库存：298复制
最小包 : 30复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次：25+
1+￥9.67
30+￥9.21
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合计￥9.67
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二极管配置：1个独立式复制
整流电流：54.5A复制
正向压降(Vf)：1.5V复制
直流反向耐压(Vr)：1.2kV复制
描述：总电容电荷（Qc）:99nC
总功率(Ptot):242W复制库存：296复制
最小包 : 50复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次：25+
1+￥9.97
50+￥9.49
量大可议价
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二极管配置：1个独立式复制
整流电流：14.4A复制
正向压降(Vf)：1.7V复制
直流反向耐压(Vr)：1.7kV复制
描述：总电容电荷（Qc）:96nC
总功率(Ptot):185W复制库存：121复制
最小包 : 50复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次：两年内
1+￥16.29
50+￥15.82
量大可议价
合计￥16.29
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二极管配置：1个独立式复制
整流电流：54A复制
正向压降(Vf)：1.5V复制
直流反向耐压(Vr)：1.2kV复制
描述：总电容电荷（Qc）:52nC
总功率(Ptot):352W复制库存：96复制
最小包 : 30复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次：26+
1+￥8.94
30+￥8.51
量大可议价
合计￥8.94
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二极管配置：1对共阴极复制
整流电流：38A复制
正向压降(Vf)：1.5V复制
直流反向耐压(Vr)：1.2kV复制
描述：总电容电荷（Qc）:54nC
总功率(Ptot):187W复制库存：78复制
最小包 : 30复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次：两年内
1+￥8.61
30+￥8.2
量大可议价
合计￥8.61
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二极管配置：1对共阴极复制
整流电流：39A复制
正向压降(Vf)：1.5V复制
直流反向耐压(Vr)：650V复制
描述：总电容电荷（Qc）:44.5nC
总功率(Ptot):300W复制库存：54复制
最小包 : 30复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次：26+
1+￥10.37
30+￥10.07
量大可议价
合计￥10.37
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二极管配置：1个独立式复制
整流电流：128A复制
正向压降(Vf)：1.5V复制
直流反向耐压(Vr)：1.2kV复制
描述：总电容电荷（Qc）:99nC
总功率(Ptot):532W复制库存：44复制
最小包 : 30复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次：26+
1+￥21.97
30+￥21.33
量大可议价
合计￥21.97
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二极管配置：1个独立式复制
整流电流：30A复制
正向压降(Vf)：1.5V复制
直流反向耐压(Vr)：650V复制
描述：碳化硅肖特基二极管 直流反向耐压(Vr):650V 平均整流电流(Io):30A 正向压降(Vf):1.27V 总电容电荷（Qc）:24nC 总功率(Ptot):136W复制库存：37复制
最小包 : 30复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次：25+
1+￥5.44
30+￥5.18
量大可议价
合计￥5.44
￥12领取
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二极管配置：1对共阴极复制
整流电流：34A复制
正向压降(Vf)：1.5V复制
直流反向耐压(Vr)：1.2kV复制
描述：总电容电荷（Qc）:52nC
总功率(Ptot):352W复制库存：31复制
最小包 : 30复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次：两年内
1+￥9.98
30+￥9.5
量大可议价
合计￥9.98
￥12领取
数据手册复制
二极管配置：1个独立式复制
整流电流：5A复制
正向压降(Vf)：1.5V@5A复制
直流反向耐压(Vr)：1.2kV复制
描述：二极管-碳化硅肖特基-1200V-5A-通孔-TO-220AC复制库存：27复制
最小包 : 1000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次：22+
1+￥11.11
1000+￥10.8
量大可议价
合计￥11.11
￥12领取
数据手册复制
二极管配置：1对共阴极复制
整流电流：44A复制
正向压降(Vf)：1.8V@15A复制
直流反向耐压(Vr)：1.2kV复制
描述：总电容电荷（Qc）:77.5nC
总功率(Ptot):440W复制库存：24复制
最小包 : 30复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次：25+
1+￥22.66
30+￥22
量大可议价
合计￥22.66
￥12领取
数据手册复制
二极管配置：1对共阴极复制
整流电流：10A复制
正向压降(Vf)：1.35V@10A复制
直流反向耐压(Vr)：650V复制
描述：二极管阵列-1-对共阴极-碳化硅肖特基-650V-10A（DC）-通孔-TO-247-3复制库存：4复制
最小包 : 360复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次：18+
1+￥21.35
360+￥20.77
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合计￥21.35
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