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  4. 氮化镓晶体管(GaN HEMT)

氮化镓晶体管(GaN HEMT)

展示方式：
品牌
DK(东科半导体)
EPC
Grenergy(南京绿芯)
HTCSEMI(海天芯)
HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌归属地
中国大陆
国际
封装/规格
BGA-4
CSP-9
DFN(8x8)
DFN-3L(5x6)
DFN-3L(8x8)
类型
N沟道
数量
1个N沟道
2个N沟道
漏源电压(Vdss)
100V
150V
160V
30V
40V
连续漏极电流(Id)
10.4A
100A
10A
11.5A
11A
耗散功率(Pd)
106W
109W
113W
119W
13.2W
阈值电压(Vgs(th))
1.1V
1.2V
1.45V
1.5V
1.6V
栅极电荷量(Qg)
0.9nC
1.26nC
1.2nC
1.2nC；1.2nC
1.3nC
导通电阻(RDS(on))
0.025Ω
0.035Ω
0.2Ω
0.9mΩ
1.1mΩ
输入电容(Ciss)
1000pF
101pF
112pF
1200pF
1250pF
输出电容(Coss)
1.3nF
1.8nF
10.4pF
1010pF
10pF
反向传输电容(Crss)
0.13pF
0.17pF
0.1nF
0.21pF
0.26pF
技术路线
D-mode
E-mode
工作温度
-40°C ~ 125°C （TJ）
-40℃~+105℃
-40℃~+125℃
-40℃~+150℃
-50℃~+150℃
认证信息
RoHS认证
包装/方式
管装
编带
袋装
型号/品牌参数/描述库存批次价格阶梯(含税)数量操作
IGC019S06S1XTMA1 产品实物图片
自营IGC019S06S1XTMA1复制
品牌：Infineon(英飞凌)复制
封装：PG-TSON-6复制
类目：氮化镓晶体管(GaN HEMT)复制
￥12领取
数据手册复制
漏源电压(Vdss)：60V复制
连续漏极电流(Id)：99A复制
耗散功率(Pd)：45W复制
阈值电压(Vgs(th))：2V复制
描述：氮化镓 (GaN)晶体管 60 V 99 A 1900 µohm 13 nC TSON 表面安装复制
库存：1380复制
最小包 : 5000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次：25+
1+￥8.49
5000+￥8.2
合计￥8.49
现在下单最快1小时发货
TP65H070G4PS 产品实物图片
自营TP65H070G4PS复制
品牌：RENESAS(瑞萨)复制
封装：TO-220-3复制
类目：氮化镓晶体管(GaN HEMT)复制
￥12领取
数据手册复制
类型：N沟道复制
技术路线：E-mode复制
漏源电压(Vdss)：650V复制
连续漏极电流(Id)：29A复制
描述：GAN TRANSISTOR, 650V, 29A, TO-220AB-3复制
库存：98复制
最小包 : 1000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次：25+
1+￥23.19
1000+￥22.6
合计￥23.19
现在下单最快1小时发货
IGC025S08S1XTMA1 产品实物图片
自营IGC025S08S1XTMA1复制
品牌：Infineon(英飞凌)复制
封装：PG-TSON-6复制
类目：氮化镓晶体管(GaN HEMT)复制
￥12领取
数据手册复制
类型：N沟道复制
技术路线：E-mode复制
漏源电压(Vdss)：80V复制
连续漏极电流(Id)：86A复制
描述：氮化镓 (GaN)晶体管 80 V 86 A 2500 µohm 12 nC TSON 表面安装复制
库存：43复制
最小包 : 5000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次：25+
1+￥15.37
5000+￥15.06
合计￥15.37
现在下单最快1小时发货
IGT65R055D2ATMA1 产品实物图片
自营IGT65R055D2ATMA1复制
品牌：Infineon(英飞凌)复制
封装：PG-HSOF-8-3复制
类目：氮化镓晶体管(GaN HEMT)复制
别名：IGT65R055D2复制
￥12领取
数据手册复制
描述：HV GAN DISCRETES复制
库存：2复制
最小包 : 2000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次：25+
1+￥29.04
2000+￥28.33
合计￥29.04
现在下单最快1小时发货
HT65N23EVDRZ 产品实物图片
自营HT65N23EVDRZ复制
品牌：HTCSEMI(海天芯)复制
封装：PDFN-8L(5x6)复制
类目：氮化镓晶体管(GaN HEMT)复制
￥12领取
数据手册复制
类型：N沟道复制
技术路线：E-mode复制
漏源电压(Vdss)：650V复制
连续漏极电流(Id)：13A复制
描述：增强型650V平台23A的E-MODE氮化镓器件复制
库存：1复制
最小包 : 2500复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次：25+
1+￥4.49
2500+￥4.31
合计￥4.49
现在下单最快1小时发货
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