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商品分类

首页>商品目录>三极管 / MOS管 / 晶体管>氮化镓晶体管(GaN HEMT)

氮化镓晶体管(GaN HEMT)

展示方式：

品牌

HTCSEMI(海天芯)

Infineon(英飞凌)

品牌归属地

中国大陆

国际

封装/规格

PDFN-8L(5x6)

PG-HSOF-8-3

类型

N沟道

漏源电压(Vdss)

650V

连续漏极电流(Id)

13A

耗散功率(Pd)

47W

阈值电压(Vgs(th))

1.2V

栅极电荷量(Qg)

1.8nC

导通电阻(RDS(on))

140mΩ

输入电容(Ciss)

155pF

输出电容(Coss)

22pF

反向传输电容(Crss)

0.31pF

技术路线

E-mode

工作温度

-55℃~+150℃

包装/方式

编带

隐藏不可选项

型号/品牌参数/描述库存批次价格阶梯(含税)数量操作

IGT65R055D2ATMA1 产品实物图片

IGT65R055D2ATMA1复制

品牌：Infineon(英飞凌)复制

封装：PG-HSOF-8-3复制

类目：氮化镓晶体管(GaN HEMT)

￥12领取

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描述：HV GAN DISCRETES复制

库存：20复制

最小包 : 2000复制

起订量 : 1复制

增量 : 1复制

批次：25+

1+￥29.04

2000+￥28.33

量大可议价

合计￥29.04

HT65N23EVDRZ 产品实物图片

HT65N23EVDRZ复制

品牌：HTCSEMI(海天芯)复制

封装：PDFN-8L(5x6)复制

类目：氮化镓晶体管(GaN HEMT)

￥12领取

数据手册复制

类型：N沟道复制

技术路线：E-mode复制

漏源电压(Vdss)：650V复制

连续漏极电流(Id)：13A复制

描述：增强型650V平台23A的E-MODE氮化镓器件复制

库存：1复制

最小包 : 2500复制

起订量 : 1复制

增量 : 1复制

批次：25+

1+￥4.45

2500+￥4.27

量大可议价

合计￥4.45