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  4. 氮化镓晶体管(GaN HEMT)

氮化镓晶体管(GaN HEMT)

展示方式：
品牌
HTCSEMI(海天芯)
Infineon(英飞凌)
品牌归属地
中国大陆
国际
封装/规格
PDFN-8L(5x6)
PG-HSOF-8-3
PG-TSON-6
VSON-4
类型
N沟道
漏源电压(Vdss)
100V
650V
80V
连续漏极电流(Id)
13A
23A
86A
耗散功率(Pd)
15W
45W
47W
阈值电压(Vgs(th))
1.2V
2V
栅极电荷量(Qg)
1.8nC
12nC
3.4nC
导通电阻(RDS(on))
1.8mΩ
140mΩ
9.4mΩ
输入电容(Ciss)
1250pF
155pF
300pF
输出电容(Coss)
140pF
22pF
570pF
反向传输电容(Crss)
0.31pF
10pF
2.3pF
技术路线
E-mode
工作温度
-40℃~+150℃
-55℃~+150℃
认证信息
RoHS认证
包装/方式
编带
袋装
型号/品牌参数/描述库存批次价格阶梯(含税)数量操作
IGB110S101XTMA1 产品实物图片
自营IGB110S101XTMA1复制
品牌：Infineon(英飞凌)复制
封装：VSON-4复制
类目：氮化镓晶体管(GaN HEMT)复制
￥15领取
数据手册复制
漏源电压(Vdss)：100V复制
连续漏极电流(Id)：23A复制
耗散功率(Pd)：15W复制
阈值电压(Vgs(th))：2V复制
描述：GAN TRANSISTOR, 100V, 23A, VSON-4复制
库存：260复制
最小包 : 5000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次：24+
1+￥5.97
5000+￥5.76
量大可议价
合计￥5.97
现在下单最快1小时发货
IGT65R055D2ATMA1 产品实物图片
自营IGT65R055D2ATMA1复制
品牌：Infineon(英飞凌)复制
封装：PG-HSOF-8-3复制
类目：氮化镓晶体管(GaN HEMT)复制
别名：IGT65R055D2复制
￥15领取
复制
描述：HV GAN DISCRETES复制
库存：6复制
最小包 : 2000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次：25+
1+￥29.04
2000+￥28.33
量大可议价
合计￥29.04
现在下单最快1小时发货
HT65N23EVDRZ 产品实物图片
自营HT65N23EVDRZ复制
品牌：HTCSEMI(海天芯)复制
封装：PDFN-8L(5x6)复制
类目：氮化镓晶体管(GaN HEMT)复制
￥15领取
数据手册复制
类型：N沟道复制
技术路线：E-mode复制
漏源电压(Vdss)：650V复制
连续漏极电流(Id)：13A复制
描述：增强型650V平台23A的E-MODE氮化镓器件复制
库存：1复制
最小包 : 2500复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次：25+
1+￥4.69
2500+￥4.5
量大可议价
合计￥4.69
现在下单最快1小时发货
IGC025S08S1XTMA1 产品实物图片
自营IGC025S08S1XTMA1复制
品牌：Infineon(英飞凌)复制
封装：PG-TSON-6复制
类目：氮化镓晶体管(GaN HEMT)复制
￥15领取
数据手册复制
类型：N沟道复制
技术路线：E-mode复制
漏源电压(Vdss)：80V复制
连续漏极电流(Id)：86A复制
描述：氮化镓 (GaN)晶体管 80 V 86 A 2500 µohm 12 nC TSON 表面安装复制
库存：0复制
最小包 : 5000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
-
1+￥15.37
5000+￥15.06
量大可议价
合计￥15.37