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  4. 结型场效应管(JFET)

结型场效应管(JFET)

展示方式：
品牌
AOS
DIODES(美台)
INTERFET
Mini-Circuits
ON(安森美)
品牌归属地
中国台湾
国际
封装/规格
3-CP
3-CPH
5-MCPH
6-CPH
CP-3
数量
1个N沟道
1个P沟道
2个N沟道
FET类型
N沟道
P沟道
栅源击穿电压(Vgss)
15V
25V
30V
35V
40V
栅源截止电压(VGS(off))
1.2V
1.5V
1.5V@0.1uA
1.8V
1V
漏源电流(Idss)
1.2mA
1.5mA
10mA
14mA
15mA
导通电阻(RDS(on))
100Ω
125Ω
12Ω
18Ω
250Ω
输入电容(Ciss)
1.7pF
1.8pF
10.5pF
10pF
11pF
输出电容(Coss)
8pF
反向传输电容(Crss)
0.7pF
1.1pF
1.4pF
2.3pF
2.6pF
耗散功率(Pd)
100mW
150mW
200mW
225mW
250mW
配置
共源
工作温度
-40℃~+125℃
-40℃~+85℃
-55°C ~ 150°C（TJ）
-55℃~+125℃
-55℃~+150℃
认证信息
RoHS认证
包装/方式
托盘
盒装
管装
编带
袋装
型号/品牌参数/描述库存批次价格阶梯(含税)数量操作
MMBFJ177LT1G 产品实物图片
自营MMBFJ177LT1G复制
品牌：ON(安森美)复制
封装：SOT-23复制
类目：结型场效应管(JFET)复制
￥12领取
数据手册复制
数量：1个P沟道复制
栅源截止电压(VGS(off))：800mV复制
栅源击穿电压(Vgss)：30V复制
耗散功率(Pd)：225mW复制
描述：结型场效应管(JFET) 225mW 800mV@10nA 30V P沟道复制
库存：139076复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次：26+
1+￥0.401
3000+￥0.375
合计￥0.4
现在下单最快1小时发货
MMBFJ112 产品实物图片
自营MMBFJ112复制
品牌：ON(安森美)复制
封装：SOT-23-3L复制
类目：结型场效应管(JFET)复制
￥12领取
数据手册复制
数量：1个N沟道复制
栅源截止电压(VGS(off))：1V复制
栅源击穿电压(Vgss)：35V复制
耗散功率(Pd)：350mW复制
描述：结型场效应管(JFET) 350mW 1V@1uA 35V N沟道复制
库存：71211复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次：26+
1+￥0.403
3000+￥0.376
合计￥0.4
现在下单最快1小时发货
MMBFJ175LT1G 产品实物图片
自营MMBFJ175LT1G复制
品牌：ON(安森美)复制
封装：SOT-23复制
类目：结型场效应管(JFET)复制
￥12领取
数据手册复制
数量：1个P沟道复制
栅源截止电压(VGS(off))：3V复制
栅源击穿电压(Vgss)：30V复制
耗散功率(Pd)：225mW复制
描述：结型场效应管(JFET) 225mW 3V@10nA 30V P沟道复制
库存：52596复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次：两年内
1+￥0.492
3000+￥0.46
合计￥0.49
现在下单最快1小时发货
2SK208-GR(TE85L,F) 产品实物图片
自营2SK208-GR(TE85L,F)复制
品牌：TOSHIBA(东芝)复制
封装：SC-59复制
类目：结型场效应管(JFET)复制
￥12领取
数据手册复制
数量：1个N沟道复制
栅源截止电压(VGS(off))：400mV复制
栅源击穿电压(Vgss)：50V复制
耗散功率(Pd)：100mW复制
描述：结型场效应管(JFET) 100mW 400mV@100nA 50V N沟道复制
库存：41300复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次：26+
1+￥0.428
3000+￥0.4
合计￥0.43
现在下单最快1小时发货
MMBFJ111 产品实物图片
自营MMBFJ111复制
品牌：ON(安森美)复制
封装：SOT-23复制
类目：结型场效应管(JFET)复制
￥12领取
数据手册复制
数量：1个N沟道复制
栅源截止电压(VGS(off))：3V复制
栅源击穿电压(Vgss)：35V复制
耗散功率(Pd)：350mW复制
描述：结型场效应管(JFET) 350mW 3V@1uA 35V N沟道复制
库存：25850复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次：两年内
1+￥0.57
3000+￥0.53
合计￥0.57
现在下单最快1小时发货
MMBFJ111 产品实物图片
自营MMBFJ111复制
品牌：ON(安森美)复制
封装：SOT-23复制
类目：结型场效应管(JFET)复制
￥12领取
数据手册复制
数量：1个N沟道复制
栅源截止电压(VGS(off))：3V复制
栅源击穿电压(Vgss)：35V复制
耗散功率(Pd)：350mW复制
描述：结型场效应管(JFET) 350mW 3V@1uA 35V N沟道复制
库存：35复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次：两年外
9.8折
1+￥0.5586
合计￥0.56
已优惠-￥0.01
现在下单最快1小时发货
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