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商品分类
首页>商品目录>三极管 / MOS管 / 晶体管>结型场效应管(JFET)

结型场效应管(JFET)

展示方式：
品牌
DIODES(美台)
ON(安森美)
TOSHIBA(东芝)
UTC(友顺)
品牌归属地
中国台湾
国际
封装/规格
3-CPH
CP-3
SC-59
SOT-23
SOT-23(to-236ab)
数量
1个N沟道
1个P沟道
2个N沟道
FET类型
N沟道
P沟道
栅源击穿电压(Vgss)
15V
25V
30V
35V
40V
栅源截止电压(VGS(off))
1.4V
1.5V
1V
2.5V
200mV
漏源电流(Idss)
1.2mA
1.5mA
10mA
14mA
15mA
导通电阻(RDS(on))
100Ω
125Ω
12Ω
18Ω
250Ω
输入电容(Ciss)
11pF
13pF
14pF
16pF
35pF
反向传输电容(Crss)
1.6pF
2.3pF
2.6pF
2.9pF
3pF
耗散功率(Pd)
100mW
150mW
200mW
225mW
250mW
工作温度
-55℃~+125℃
-55℃~+150℃
125°C（TJ）
认证信息
RoHS认证
包装/方式
托盘
编带
袋装
型号/品牌参数/描述库存批次价格阶梯(含税)数量操作
MMBF4392LT1G 产品实物图片
自营MMBF4392LT1G复制
品牌：ON(安森美)复制
封装：SOT-23复制
类目：结型场效应管(JFET)
￥12领取
数据手册复制
栅源截止电压(VGS(off))：2V复制
栅源击穿电压(Vgss)：30V复制
耗散功率(Pd)：225mW复制
导通电阻(RDS(on))：60Ω复制
描述：结型场效应管(JFET) 225mW 2V@10nA 30V N沟道复制
库存：172653复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次：两年内
1+￥0.454
3000+￥0.425
量大可议价
合计￥0.45
MMBFJ112 产品实物图片
自营MMBFJ112复制
品牌：ON(安森美)复制
封装：SOT-23-3L复制
类目：结型场效应管(JFET)
￥12领取
数据手册复制
数量：1个N沟道复制
栅源截止电压(VGS(off))：1V复制
栅源击穿电压(Vgss)：35V复制
耗散功率(Pd)：350mW复制
描述：结型场效应管(JFET) 350mW 1V@1uA 35V N沟道复制
库存：99035复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次：26+
1+￥0.481
3000+￥0.45
量大可议价
合计￥0.48
MMBFJ175LT1G 产品实物图片
自营MMBFJ175LT1G复制
品牌：ON(安森美)复制
封装：SOT-23复制
类目：结型场效应管(JFET)
￥12领取
数据手册复制
数量：1个P沟道复制
栅源截止电压(VGS(off))：3V复制
栅源击穿电压(Vgss)：30V复制
耗散功率(Pd)：225mW复制
描述：结型场效应管(JFET) 225mW 3V@10nA 30V P沟道复制
库存：63109复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次：两年内
1+￥0.572
3000+￥0.532
量大可议价
合计￥0.57
MMBF4393LT1G 产品实物图片
自营MMBF4393LT1G复制
品牌：ON(安森美)复制
封装：SOT-23复制
类目：结型场效应管(JFET)
￥12领取
数据手册复制
数量：1个N沟道复制
栅源截止电压(VGS(off))：500mV复制
栅源击穿电压(Vgss)：30V复制
耗散功率(Pd)：225mW复制
描述：结型场效应管(JFET) 225mW 500mV@10nA 30V N沟道复制
库存：29328复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次：两年内
1+￥0.349
3000+￥0.325
量大可议价
合计￥0.35
MMBF4393LT1G 产品实物图片
自营MMBF4393LT1G复制
品牌：ON(安森美)复制
封装：SOT-23复制
类目：结型场效应管(JFET)
￥12领取
数据手册复制
数量：1个N沟道复制
栅源截止电压(VGS(off))：500mV复制
栅源击穿电压(Vgss)：30V复制
耗散功率(Pd)：225mW复制
描述：结型场效应管(JFET) 225mW 500mV@10nA 30V N沟道复制
库存：1复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次：两年外
9.8折
1+￥0.34202
量大可议价
合计￥0.34
2SK208-GR(TE85L,F) 产品实物图片
自营2SK208-GR(TE85L,F)复制
品牌：TOSHIBA(东芝)复制
封装：SC-59复制
类目：结型场效应管(JFET)
￥12领取
数据手册复制
数量：1个N沟道复制
栅源截止电压(VGS(off))：400mV复制
栅源击穿电压(Vgss)：50V复制
耗散功率(Pd)：100mW复制
描述：结型场效应管(JFET) 100mW 400mV@100nA 50V N沟道复制
库存：25398复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次：两年内
1+￥0.407
3000+￥0.38
量大可议价
合计￥0.41
MMBFJ113 产品实物图片
自营MMBFJ113复制
品牌：ON(安森美)复制
封装：SOT-23复制
类目：结型场效应管(JFET)
￥12领取
数据手册复制
数量：1个N沟道复制
栅源截止电压(VGS(off))：3V；500mV复制
耗散功率(Pd)：350mW复制
导通电阻(RDS(on))：100Ω复制
描述：JFET-N-通道-35V-350mW-表面贴装型-SOT-23-3复制
库存：19537复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次：两年内
1+￥0.337
3000+￥0.315
量大可议价
合计￥0.34
MMBFJ113 产品实物图片
自营MMBFJ113复制
品牌：ON(安森美)复制
封装：SOT-23复制
类目：结型场效应管(JFET)
￥12领取
数据手册复制
数量：1个N沟道复制
栅源截止电压(VGS(off))：3V；500mV复制
耗散功率(Pd)：350mW复制
导通电阻(RDS(on))：100Ω复制
描述：JFET-N-通道-35V-350mW-表面贴装型-SOT-23-3复制
库存：11复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次：两年外
9.8折
1+￥0.33026
量大可议价
合计￥0.33
MMBF4391LT1G 产品实物图片
自营MMBF4391LT1G复制
品牌：ON(安森美)复制
封装：SOT-23复制
类目：结型场效应管(JFET)
￥12领取
数据手册复制
数量：1个N沟道复制
栅源截止电压(VGS(off))：4V复制
栅源击穿电压(Vgss)：30V复制
耗散功率(Pd)：225mW复制
描述：结型场效应管(JFET) 225mW 4V@10nA 30V N沟道复制
库存：16529复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次：25+
1+￥0.381
3000+￥0.356
量大可议价
合计￥0.38
SMMBFJ310LT1G 产品实物图片
自营SMMBFJ310LT1G复制
品牌：ON(安森美)复制
封装：SOT-23-3（TO-236）复制
类目：结型场效应管(JFET)
￥12领取
数据手册复制
数量：1个N沟道复制
栅源截止电压(VGS(off))：2V；6.5V复制
耗散功率(Pd)：225mW复制
漏源电流(Idss)：60mA复制
描述：结型场效应管(JFET) N沟道 SOT-23复制
库存：15000复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次：26+
1+￥1.11
3000+￥1.05
量大可议价
合计￥1.11
SMMBFJ177LT1G 产品实物图片
自营SMMBFJ177LT1G复制
品牌：ON(安森美)复制
封装：SOT-23（TO-236AB）复制
类目：结型场效应管(JFET)
￥12领取
数据手册复制
数量：1个P沟道复制
栅源截止电压(VGS(off))：800mV复制
栅源击穿电压(Vgss)：30V复制
耗散功率(Pd)：225mW复制
描述：结型场效应管(JFET) 225mW 800mV@10nA 30V P沟道 TO-236-3复制
库存：14915复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次：26+
1+￥1.06
3000+￥1
量大可议价
合计￥1.06
MMBFJ310LT1G 产品实物图片
自营MMBFJ310LT1G复制
品牌：ON(安森美)复制
封装：SOT-23复制
类目：结型场效应管(JFET)
￥12领取
数据手册复制
数量：1个N沟道复制
栅源截止电压(VGS(off))：6.5V复制
栅源击穿电压(Vgss)：25V复制
耗散功率(Pd)：225mW复制
描述：结型场效应管(JFET) N沟道复制
库存：13606复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次：25+
1+￥0.444
3000+￥0.415
量大可议价
合计￥0.44
NSVJ3910SB3T1G 产品实物图片
自营NSVJ3910SB3T1G复制
品牌：ON(安森美)复制
封装：3-CPH复制
类目：结型场效应管(JFET)
￥12领取
数据手册复制
数量：1个N沟道复制
栅源截止电压(VGS(off))：600mV复制
栅源击穿电压(Vgss)：25V复制
耗散功率(Pd)：400mW复制
描述：晶体管 JFET -25 V 40 mA -1.8 V CPH 3引脚 150 °C复制
库存：12000复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次：25+
1+￥1.9
3000+￥1.8
量大可议价
合计￥1.9
J109-D26Z 产品实物图片
自营J109-D26Z复制
品牌：ON(安森美)复制
封装：TO-92-3复制
类目：结型场效应管(JFET)
￥12领取
数据手册复制
栅源截止电压(VGS(off))：2V复制
栅源击穿电压(Vgss)：25V复制
耗散功率(Pd)：625mW复制
导通电阻(RDS(on))：12Ω复制
描述：Trans JFET N-CH 3-Pin TO-92 T/R复制
库存：6000复制
最小包 : 2000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次：26+
1+￥1.08
2000+￥1
量大可议价
合计￥1.08
MMBFJ177LT1G 产品实物图片
自营MMBFJ177LT1G复制
品牌：ON(安森美)复制
封装：SOT-23复制
类目：结型场效应管(JFET)
￥12领取
数据手册复制
数量：1个P沟道复制
栅源截止电压(VGS(off))：800mV复制
栅源击穿电压(Vgss)：30V复制
耗散功率(Pd)：225mW复制
描述：结型场效应管(JFET) 225mW 800mV@10nA 30V P沟道复制
库存：5991复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次：26+
1+￥0.481
3000+￥0.45
量大可议价
合计￥0.48
2SK208-R(TE85L,F) 产品实物图片
自营2SK208-R(TE85L,F)复制
品牌：TOSHIBA(东芝)复制
封装：TO-236-3(SOT-23-3)复制
类目：结型场效应管(JFET)
￥12领取
数据手册复制
数量：1个N沟道复制
栅源截止电压(VGS(off))：400mV复制
栅源击穿电压(Vgss)：50V复制
耗散功率(Pd)：100mW复制
描述：Junction FET (Surface mount复制
库存：5675复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次：26+
1+￥0.967
3000+￥0.918
量大可议价
合计￥0.97
BSR58 产品实物图片
自营BSR58复制
品牌：ON(安森美)复制
封装：SOT-23复制
类目：结型场效应管(JFET)
￥12领取
数据手册复制
数量：1个N沟道复制
栅源截止电压(VGS(off))：800mV复制
栅源击穿电压(Vgss)：40V复制
耗散功率(Pd)：250mW复制
描述：结型场效应管(JFET) 250mW 800mV@0.5nA 40V N沟道复制
库存：5394复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次：26+
1+￥0.698
3000+￥0.65
量大可议价
合计￥0.7
MMBFJ270 产品实物图片
自营MMBFJ270复制
品牌：ON(安森美)复制
封装：SOT-23复制
类目：结型场效应管(JFET)
￥12领取
数据手册复制
数量：1个P沟道复制
栅源截止电压(VGS(off))：500mV复制
栅源击穿电压(Vgss)：30V复制
耗散功率(Pd)：225mW复制
描述：结型场效应管(JFET) 225mW 500mV@1nA 30V P沟道复制
库存：5167复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次：25+
1+￥0.661
3000+￥0.615
量大可议价
合计￥0.66
2SK208-Y(TE85L,F) 产品实物图片
自营2SK208-Y(TE85L,F)复制
品牌：TOSHIBA(东芝)复制
封装：SC-59复制
类目：结型场效应管(JFET)
￥12领取
数据手册复制
数量：1个N沟道复制
栅源截止电压(VGS(off))：400mV复制
栅源击穿电压(Vgss)：50V复制
耗散功率(Pd)：100mW复制
描述：结型场效应管(JFET) 100mW 400mV@100nA 50V N沟道复制
库存：4831复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次：两年内
1+￥0.46
3000+￥0.431
量大可议价
合计￥0.46
2SK208-Y(TE85L,F) 产品实物图片
自营2SK208-Y(TE85L,F)复制
品牌：TOSHIBA(东芝)复制
封装：SC-59复制
类目：结型场效应管(JFET)
￥12领取
数据手册复制
数量：1个N沟道复制
栅源截止电压(VGS(off))：400mV复制
栅源击穿电压(Vgss)：50V复制
耗散功率(Pd)：100mW复制
描述：结型场效应管(JFET) 100mW 400mV@100nA 50V N沟道复制
库存：4复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次：两年外
9.8折
1+￥0.4508
量大可议价
合计￥0.45
2SK209-Y(TE85L,F) 产品实物图片
自营2SK209-Y(TE85L,F)复制
品牌：TOSHIBA(东芝)复制
封装：SOT-346复制
类目：结型场效应管(JFET)
￥12领取
数据手册复制
耗散功率(Pd)：150mW复制
漏源电流(Idss)：14mA复制
输入电容(Ciss)：13pF复制
反向传输电容(Crss)：3pF复制
描述：RF-Mosfet-N-通道-JFET-10V-500µA-1kHz-SC-59复制
库存：2460复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次：两年内
8.5折
1+￥0.4233
3000+￥0.3961
量大可议价
合计￥0.42
已优惠-￥0.08
2SK209-Y(TE85L,F) 产品实物图片
自营2SK209-Y(TE85L,F)复制
品牌：TOSHIBA(东芝)复制
封装：SOT-346复制
类目：结型场效应管(JFET)
￥12领取
数据手册复制
耗散功率(Pd)：150mW复制
漏源电流(Idss)：14mA复制
输入电容(Ciss)：13pF复制
反向传输电容(Crss)：3pF复制
描述：RF-Mosfet-N-通道-JFET-10V-500µA-1kHz-SC-59复制
库存：1392复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次：两年外
8.0折
1+￥0.4368
3000+￥0.4056
量大可议价
合计￥0.44
2SK880-Y(TE85L,F) 产品实物图片
自营2SK880-Y(TE85L,F)复制
品牌：TOSHIBA(东芝)复制
封装：SOT-323复制
类目：结型场效应管(JFET)
￥12领取
数据手册复制
数量：1个N沟道复制
栅源截止电压(VGS(off))：1.5V复制
栅源击穿电压(Vgss)：50V复制
耗散功率(Pd)：100mW复制
描述：结型场效应管(JFET) 100mW 1.5V@100nA 50V N沟道复制
库存：3398复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次：两年内
1+￥0.623
3000+￥0.58
量大可议价
合计￥0.62
2SK880-GR(TE85L,F) 产品实物图片
自营2SK880-GR(TE85L,F)复制
品牌：TOSHIBA(东芝)复制
封装：SOT-323-3复制
类目：结型场效应管(JFET)
￥12领取
数据手册复制
数量：1个N沟道复制
栅源截止电压(VGS(off))：200mV复制
栅源击穿电压(Vgss)：50V复制
耗散功率(Pd)：100mW复制
描述：Trans JFET N-CH 6.5mA Si 3-Pin USM T/R复制
库存：2990复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次：26+
1+￥0.495
3000+￥0.462
量大可议价
合计￥0.5
DMN61D9UT-7 产品实物图片
自营DMN61D9UT-7复制
品牌：DIODES(美台)复制
封装：-复制
类目：结型场效应管(JFET)
￥12领取
复制
描述：绝缘栅场效应管（MOSFET）复制
库存：2899复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次：23+
1+￥0.211
3000+￥0.188
量大可议价
合计￥0.21
2SK209-BL(TE85L,F) 产品实物图片
自营2SK209-BL(TE85L,F)复制
品牌：TOSHIBA(东芝)复制
封装：SC-59复制
类目：结型场效应管(JFET)
￥12领取
数据手册复制
数量：1个N沟道复制
栅源截止电压(VGS(off))：1.5V复制
栅源击穿电压(Vgss)：50V复制
耗散功率(Pd)：150mW复制
描述：结型场效应管(JFET) 150mW 1.5V@100nA 50V N沟道复制
库存：2713复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次：两年内
1+￥0.958
3000+￥0.907
量大可议价
合计￥0.96
2SK508G-K51-AE3-R 产品实物图片
自营2SK508G-K51-AE3-R复制
品牌：UTC(友顺)复制
封装：SOT-23复制
类目：结型场效应管(JFET)
￥12领取
数据手册复制
数量：1个N沟道复制
栅源截止电压(VGS(off))：1.4V复制
栅源击穿电压(Vgss)：15V复制
耗散功率(Pd)：200mW复制
描述：结型场效应管（JFET）复制
库存：2533复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次：26+
1+￥0.31808
3000+￥0.28112
量大可议价
合计￥0.32
UTC(友顺)点击线下购买享更多折扣
J112-D74Z 产品实物图片
自营J112-D74Z复制
品牌：ON(安森美)复制
封装：TO-92-3复制
类目：结型场效应管(JFET)
￥12领取
数据手册复制
数量：1个N沟道复制
栅源截止电压(VGS(off))：1V复制
栅源击穿电压(Vgss)：35V复制
耗散功率(Pd)：625mW复制
描述：Trans JFET N-CH 3-Pin TO-92 Ammo复制
库存：2507复制
最小包 : 2000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次：25+
1+￥0.667
2000+￥0.615
量大可议价
合计￥0.67
MMBF4416 产品实物图片
自营MMBF4416复制
品牌：ON(安森美)复制
封装：SOT-23-3复制
类目：结型场效应管(JFET)
￥12领取
数据手册复制
数量：1个N沟道复制
栅源截止电压(VGS(off))：2.5V复制
栅源击穿电压(Vgss)：30V复制
耗散功率(Pd)：225mW复制
描述：RF-Mosfet-N-通道-JFET-15V-5mA-100MHz-18dB-SOT-23-3复制
库存：2290复制
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RoHS
批次：25+
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MMBFJ176 产品实物图片
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品牌：ON(安森美)复制
封装：SOT-23复制
类目：结型场效应管(JFET)
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栅源截止电压(VGS(off))：1V复制
栅源击穿电压(Vgss)：30V复制
耗散功率(Pd)：225mW复制
导通电阻(RDS(on))：250Ω复制
描述：结型场效应管(JFET) 225mW 1V@10nA 30V P沟道复制
库存：1985复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
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RoHS
批次：26+
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2SK3666G-3-AE3-R 产品实物图片
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品牌：UTC(友顺)复制
封装：SOT-23复制
类目：结型场效应管(JFET)
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数量：1个N沟道复制
栅源截止电压(VGS(off))：950mV复制
耗散功率(Pd)：200mW复制
导通电阻(RDS(on))：270Ω复制
描述：UTC 2SK3666 是一个N沟道结型硅FET，使用UTC的先进技术提供低IGss和低CRss。适用于低频通用放大器、阻抗转换和红外传感器应用。复制
库存：1753复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
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批次：25+
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3000+￥0.2464
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MMBFJ202 产品实物图片
自营MMBFJ202复制
品牌：ON(安森美)复制
封装：SOT-23复制
类目：结型场效应管(JFET)
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数量：1个N沟道复制
耗散功率(Pd)：350mW复制
漏源电流(Idss)：4.5mA复制
工作温度：-55℃~+150℃复制
描述：Trans JFET N-CH 3-Pin SOT-23复制
库存：1419复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
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RoHS
批次：两年内
1+￥0.573
3000+￥0.533
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J113 产品实物图片
自营J113复制
品牌：ON(安森美)复制
封装：TO-92-3L复制
类目：结型场效应管(JFET)
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数量：1个N沟道复制
栅源截止电压(VGS(off))：500mV；3V复制
栅源击穿电压(Vgss)：35V复制
耗散功率(Pd)：625mW复制
描述：结型场效应管(JFET) J113复制
库存：1091复制
最小包 : 1000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次：25+
1+￥0.815
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J112 产品实物图片
自营J112复制
品牌：ON(安森美)复制
封装：TO-92复制
类目：结型场效应管(JFET)
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数量：1个N沟道复制
栅源截止电压(VGS(off))：1V复制
栅源击穿电压(Vgss)：35V复制
耗散功率(Pd)：625mW复制
描述：结型场效应管(JFET) 625mW 1V@1uA 35V N沟道 TO-92-3复制
库存：949复制
最小包 : 1000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次：25+
1+￥0.754
1000+￥0.695
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合计￥0.75
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