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结型场效应管(JFET)
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栅源截止电压(VGS(off))：2V复制
栅源击穿电压(Vgss)：30V复制
耗散功率(Pd)：225mW复制
导通电阻(RDS(on))：60Ω复制
描述：结型场效应管(JFET) 225mW 2V@10nA 30V N沟道复制库存：170940复制
最小包 : 3000复制
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RoHS
批次：两年内
1+￥0.454
3000+￥0.425
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合计￥0.45
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数量：1个N沟道复制
栅源截止电压(VGS(off))：1V复制
栅源击穿电压(Vgss)：35V复制
耗散功率(Pd)：350mW复制
描述：结型场效应管(JFET) 350mW 1V@1uA 35V N沟道复制库存：98503复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次：26+
1+￥0.481
3000+￥0.45
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数量：1个P沟道复制
栅源截止电压(VGS(off))：3V复制
栅源击穿电压(Vgss)：30V复制
耗散功率(Pd)：225mW复制
描述：结型场效应管(JFET) 225mW 3V@10nA 30V P沟道复制库存：62838复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次：两年内
1+￥0.572
3000+￥0.532
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合计￥0.57
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数量：1个N沟道复制
栅源截止电压(VGS(off))：6.5V复制
栅源击穿电压(Vgss)：25V复制
耗散功率(Pd)：225mW复制
描述：结型场效应管(JFET) N沟道复制库存：42885复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次：25+
1+￥0.444
3000+￥0.415
量大可议价
合计￥0.44
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数量：1个N沟道复制
栅源截止电压(VGS(off))：500mV复制
栅源击穿电压(Vgss)：30V复制
耗散功率(Pd)：225mW复制
描述：结型场效应管(JFET) 225mW 500mV@10nA 30V N沟道复制库存：28478复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
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RoHS
批次：两年内
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3000+￥0.318
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合计￥0.34
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数量：1个N沟道复制
栅源截止电压(VGS(off))：500mV复制
栅源击穿电压(Vgss)：30V复制
耗散功率(Pd)：225mW复制
描述：结型场效应管(JFET) 225mW 500mV@10nA 30V N沟道复制库存：1复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次：两年外
9.8折
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