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结型场效应管(JFET)
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数量：1个N沟道复制
栅源截止电压(VGS(off))：1V复制
栅源击穿电压(Vgss)：35V复制
耗散功率(Pd)：350mW复制
描述：结型场效应管(JFET) 350mW 1V@1uA 35V N沟道复制库存：85041复制
最小包 : 3000复制
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批次：26+
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数量：1个P沟道复制
栅源截止电压(VGS(off))：800mV复制
栅源击穿电压(Vgss)：30V复制
耗散功率(Pd)：225mW复制
描述：结型场效应管(JFET) 225mW 800mV@10nA 30V P沟道复制库存：81813复制
最小包 : 3000复制
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RoHS
批次：26+
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3000+￥0.431
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栅源截止电压(VGS(off))：2V复制
栅源击穿电压(Vgss)：30V复制
耗散功率(Pd)：225mW复制
导通电阻(RDS(on))：60Ω复制
描述：结型场效应管(JFET) 225mW 2V@10nA 30V N沟道复制库存：63544复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
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批次：两年内
1+￥0.423
3000+￥0.394
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数量：1个P沟道复制
栅源截止电压(VGS(off))：3V复制
栅源击穿电压(Vgss)：30V复制
耗散功率(Pd)：225mW复制
描述：结型场效应管(JFET) 225mW 3V@10nA 30V P沟道复制库存：55083复制
最小包 : 3000复制
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RoHS
批次：两年内
1+￥0.514
3000+￥0.48
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数量：1个N沟道复制
栅源截止电压(VGS(off))：4V复制
栅源击穿电压(Vgss)：30V复制
耗散功率(Pd)：225mW复制
描述：结型场效应管(JFET) 225mW 4V@10nA 30V N沟道复制库存：16041复制
最小包 : 3000复制
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RoHS
批次：25+
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