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智能功率模块(IPM)

展示方式:
品牌
AOS
CRMICRO(华润微)
Infineon(英飞凌)
ON(安森美)
SILAN(士兰微)
品牌归属地
中国大陆
国际
封装/规格
26-POWERDIP 模块(1.134",28.80mm)
BFSOP-20-EP-300mil
DIP-24
DIP-24HL
DIP-26
类型
IGBT
MOSFET
配置
3 相
三相桥
半桥
漏源电压(Vdss)
40V
500V
600V
连续漏极电流(Id)
15A
30A
3A
50A
5A
工作电压
10V~20V
12V~17V
13.5V~16.5V
13.5V~18V
14.5V~18.5V
高侧偏置电压(Vbs)
11.5V~17V
13.5V~16.5V
13.5V~18.5V
13V~18.5V
13V~18V
开关频率
1.5MHz
20kHz
25kHz
2MHz
耗散功率(Pd)
106W
12W
13W
38W
66W
静态电流(Iq)
100uA;2.65mA
1mA
1uA
300uA
370uA;300uA
隔离电压(Vrms)
1000Vrms
1500Vrms
1600Vrms
2000Vrms
2500Vrms
长度
29.15mm
32.15mm
38mm
5mm
7mm
宽度
12.45mm
24mm
5mm
8mm
工作温度
-40℃~+125℃
-40℃~+150℃
功能特性
欠压锁定带迟滞
过流保护;欠压锁定带迟滞;热保护;短路保护
过流保护;欠压锁定带迟滞;短路保护
过流保护;欠压锁定;短路保护
过流保护;热保护;短路保护;带使能
认证信息
RoHS认证
包装/方式
盒装
管装
箱装
编带
型号/品牌参数/描述库存批次价格阶梯(含税)数量操作
TLE9104SH 产品实物图片
自营TLE9104SH复制
品牌:Infineon(英飞凌)复制
封装:BFSOP-20-EP-300mil复制
12领取
功能特性过流保护;热保护;短路保护;带使能复制
描述:AC-DC控制器和稳压器 TLE9104SH DSO-20复制
库存:6021复制
最小包 : 1000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次:25+
1+13.88
1000+13.5
量大可议价
合计13.88
SIC653ACD-T1-GE3 产品实物图片
品牌:VISHAY(威世)复制
封装:MLP55-31L复制
12领取
类型MOSFET复制
配置半桥复制
连续漏极电流(Id)50A复制
工作电压4.5V~5.5V复制
描述:场效应管(MOSFET) SIC653ACD-T1-GE3 QFN复制
库存:2973复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:24+
1+3.64
3000+3.5
量大可议价
合计3.64
AOZ5311NQI-03 产品实物图片
品牌:AOS复制
封装:PowerVFQFN-31复制
别名:AOZ5311NQI复制
12领取
功能特性过温保护带迟滞;欠压锁定带迟滞;带使能复制
描述:半桥 驱动器 同步降压转换器 DrMOS复制
库存:2927复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:25+
1+4.16
3000+4
量大可议价
合计4.16
STGIPQ3H60T-HZ 产品实物图片
品牌:ST(意法半导体)复制
封装:N2DIP-26复制
12领取
类型IGBT复制
配置三相桥复制
漏源电压(Vdss)600V复制
连续漏极电流(Id)3A复制
描述:电机驱动芯片 -40℃~+150℃@(Tj) 13.5V~18V 交流电机 N2DIP-26复制
库存:2400复制
最小包 : 15复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:22+
1+23.68
15+23
量大可议价
合计23.68
AOZ5516QI 产品实物图片
自营AOZ5516QI复制
品牌:AOS复制
封装:QFN5x5A-31L复制
12领取
复制
描述:DC-DC电源芯片 AOZ5516QI复制
库存:2313复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次:25+
1+4.63
3000+4.45
量大可议价
合计4.63
SDM05M50DASTR 产品实物图片
品牌:SILAN(士兰微)复制
封装:SOP-23H复制
12领取
类型MOSFET复制
配置三相桥复制
漏源电压(Vdss)500V复制
连续漏极电流(Id)5A复制
描述:未分类复制
库存:1177复制
最小包 : 500复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:25+
1+12.42
500+12.06
量大可议价
合计12.42
CS5755MTO 产品实物图片
自营CS5755MTO复制
品牌:CRMICRO(华润微)复制
封装:SOP-23H复制
12领取
描述:高度集成、高可靠性的三相无刷直流电机驱动电路,主要应用于较低功率电机驱动,如风扇电机。其内置了 6 个快恢复 MOSFET 和 3 个半桥 HVIC 栅极驱动电路。内部集成了欠压保护电路,提供了优异的保护和故障安全操作。由于每一相都有一个独立的负直流端,其电流可以分别单独检测。提供一个温度感测输出端口,另外内部集成了自举二极管,简化了外围线路。复制
库存:947复制
最小包 : 960复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次:25+
1+11.51
100+10.28
960+10
量大可议价
合计11.51
IGCM10F60GA 产品实物图片
品牌:Infineon(英飞凌)复制
封装:模块复制
12领取
功能特性过流保护;欠压锁定带迟滞;短路保护复制
描述:IC: driver; IGBT three-phase bridge,thermistor; PG-MDIP24; 20kHz复制
库存:840复制
最小包 : 280复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:26+
1+43.7
280+42.5
量大可议价
合计43.7
IKCM30F60GD 产品实物图片
品牌:Infineon(英飞凌)复制
封装:插件复制
12领取
类型IGBT复制
配置三相桥复制
漏源电压(Vdss)600V复制
连续漏极电流(Id)30A复制
描述:-
库存:278复制
最小包 : 280复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:26+
1+57.4
280+56
量大可议价
合计57.4
IGCM10F60GAXKMA1 产品实物图片
品牌:Infineon(英飞凌)复制
封装:DIP-24复制
12领取
复制
类型IGBT复制
配置3 相复制
电流10A复制
电压600V复制
描述:IGBT 600V复制
库存:258复制
最小包 : 280复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次:26+
1+46.26
280+45
量大可议价
合计46.26
AIM5D05B060N1 产品实物图片
品牌:AOS复制
封装:IPM-5复制
12领取
复制
描述:其他复制
库存:60复制
最小包 : 90复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次:两年内
8.5
1+20.264
90+19.7115
量大可议价
合计20.26
已优惠-¥3.58
AIM5D05B060N1 产品实物图片
品牌:AOS复制
封装:IPM-5复制
12领取
复制
描述:其他复制
库存:90复制
最小包 : 90复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次:两年外
8.0
1+19.072
90+18.552
量大可议价
合计19.07
SIC620ACD-T1-GE3 产品实物图片
品牌:VISHAY(威世)复制
封装:MLP55-31L(5x5)复制
12领取
驱动配置低边;高边复制
负载类型MOSFET复制
驱动通道数2复制
工作电压4.5V~18V复制
描述:半桥-驱动器-同步降压转换器-功率-MOSFET-PowerPAK®-MLP55-31L复制
库存:103复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:21+
1+4.11
3000+3.96
量大可议价
合计4.11
AOZ5332QI 产品实物图片
自营AOZ5332QI复制
品牌:AOS复制
封装:QFN-31(5x5)复制
12领取
类型MOSFET复制
连续漏极电流(Id)50A复制
工作电压4.5V~5.5V复制
开关频率2MHz复制
描述:-
库存:100复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:24+
1+11.27
3000+11.04
量大可议价
合计11.27
FSBB20CH60C 产品实物图片
品牌:ON(安森美)复制
封装:SPM-CC-027复制
12领取
功能特性过流保护;过温保护带迟滞;欠压锁定带迟滞;短路保护复制
描述:功率驱动器模块-IGBT-3-相-600V-20A-27-PowerDIP-模块(1.205"-30.60mm)复制
库存:99复制
最小包 : 10复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:26+
1+78.74
10+76.44
量大可议价
合计78.74
IKCM10H60GAXKMA1 产品实物图片
品牌:Infineon(英飞凌)复制
封装:DIP-24复制
12领取
复制
安装类型通孔复制
电流10A复制
电压 - 隔离2000Vrms复制
配置3 相复制
描述:智能功率模块(IPM) 2000Vrms IGBT复制
库存:69复制
最小包 : 280复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次:23+
1+25.9
280+25.2
量大可议价
合计25.9
SD30M60AC 产品实物图片
自营SD30M60AC复制
品牌:SILAN(士兰微)复制
封装:DIP-27H复制
12领取
类型IGBT复制
配置三相桥复制
漏源电压(Vdss)600V复制
连续漏极电流(Id)30A复制
描述:栅极驱动芯片 SD30M60AC复制
库存:60复制
最小包 : 60复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:26+
1+66.62
60+65
量大可议价
合计66.62
SDM30G60FC 产品实物图片
品牌:SILAN(士兰微)复制
封装:DIP-24HL复制
12领取
类型IGBT复制
配置三相桥复制
漏源电压(Vdss)600V复制
连续漏极电流(Id)30A复制
描述:电机驱动芯片 SDM30G60FC DIP-24HL复制
库存:48复制
最小包 : 12复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:26+
1+57.94
12+56.25
量大可议价
合计57.94
巨风 授权圣禾堂在线为代理商
品牌:巨风复制
封装:DIP27复制
12领取
复制
描述:其他晶体管复制
库存:14复制
最小包 : 60复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次:两年内
8.0
1+14.832
60+14.4
量大可议价
合计14.83
已优惠-¥3.71
TRM206C1S1 产品实物图片
品牌:巨风复制
封装:DIP27复制
12领取
复制
描述:其他晶体管复制
库存:29复制
最小包 : 60复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次:两年外
9.8
1+18.1692
量大可议价
合计18.17
FNA41560T2 产品实物图片
品牌:ON(安森美)复制
封装:26-PowerDIP 模块(1.134",28.80mm)复制
12领取
类型IGBT复制
配置三相桥复制
漏源电压(Vdss)600V复制
连续漏极电流(Id)15A复制
描述:功率驱动器模块-IGBT-三相反相器-600V-15A-26-PowerDIP-模块(1.134"-28.80mm)复制
库存:28复制
最小包 : 12复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:25+
1+49.3
12+47.87
量大可议价
合计49.3
SDM05M50DAS 产品实物图片
品牌:SILAN(士兰微)复制
封装:SOP-23H复制
12领取
类型MOSFET复制
配置三相桥复制
漏源电压(Vdss)500V复制
连续漏极电流(Id)5A复制
描述:智能功率模块(IPM) 5A 1500Vrms 500V MOSFET复制
库存:15复制
最小包 : 240复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次:25+
1+13.77
240+13.38
量大可议价
合计13.77
FNB35060T 产品实物图片
自营FNB35060T复制
品牌:ON(安森美)复制
封装:SPM-27-RA复制
12领取
功能特性过流保护;欠压锁定;短路保护复制
描述:智能功率模块 (IPM) IGBT 600 V 50 A 2500 Vrms SPM27-RA复制
库存:10复制
最小包 : 10复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:25+
1+132.57
10+128.71
量大可议价
合计132.57
FNB33060T 产品实物图片
自营FNB33060T复制
品牌:ON(安森美)复制
封装:SPM-27-RA复制
12领取
功能特性过流保护;欠压锁定;短路保护复制
描述:智能功率模块 (IPM) IGBT 600 V 30 A 2.5 kV SPM27-RA复制
库存:10复制
最小包 : 10复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:26+
1+96.46
10+93.64
量大可议价
合计96.46
PSS20S71F6 产品实物图片
品牌:三菱半导体复制
封装:MOUDLE复制
12领取
复制
描述:-
库存:1复制
最小包 : 10复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次:19+
1+103.46
10+100.45
量大可议价
合计103.46
IRSM005-800MHTR 产品实物图片
品牌:Infineon(英飞凌)复制
封装:PQFN-27(7x8)复制
12领取
类型MOSFET复制
配置半桥复制
漏源电压(Vdss)40V复制
连续漏极电流(Id)80A复制
描述:半桥-驱动器-AC-电机-DC-电机-DC-DC-转换器-通用-功率-MOSFET-27-PQFN(7x8)复制
库存:1复制
最小包 : 2000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:21+
1+12.72
2000+12.41
量大可议价
合计12.72
STGIB10CH60TS-LZ 产品实物图片
品牌:ST(意法半导体)复制
封装:DIP-26复制
12领取
类型IGBT复制
配置三相桥复制
漏源电压(Vdss)600V复制
连续漏极电流(Id)15A复制
描述:智能功率模块(IPM) 1500Vrms IGBT复制
库存:0复制
最小包 : 156复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
-
1+38.31
156+37.26
量大可议价
合计38.31
STGIPN3H60AT 产品实物图片
品牌:ST(意法半导体)复制
封装:NDIP-26L复制
12领取
类型IGBT复制
配置三相桥复制
漏源电压(Vdss)600V复制
连续漏极电流(Id)3A复制
描述:智能功率模块(IPM) 1000Vrms IGBT DIP-26复制
库存:0复制
最小包 : 479复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
-
1+29.81
479+29
量大可议价
合计29.81