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智能功率模块(IPM)

展示方式:
品牌
AOS
CRMICRO(华润微)
Infineon(英飞凌)
MPS
ON(安森美)
品牌归属地
中国大陆
国际
封装/规格
26-POWERDIP 模块(1.134",28.80mm)
BFSOP-20-EP-300mil
DIP-24
DIP-24,36X21mm
DIP-24HL
类型
IGBT
MOSFET
配置
3 相
三相桥
半桥
漏源电压(Vdss)
40V
500V
600V
连续漏极电流(Id)
15A
20A
30A
3A
50A
工作电压
10V~20V
13.5V~16.5V
13.5V~18V
14.5V~18.5V
4.5V~16V
高侧偏置电压(Vbs)
13.5V~16.5V
13.5V~18.5V
13V~18.5V
13V~18V
4V~5.5V
开关频率
1.25MHz
1.5MHz
20kHz
25kHz
2MHz
耗散功率(Pd)
106W
12W
13W
38W
66W
静态电流(Iq)
100uA;2.65mA
1mA
1uA
300uA
370uA;300uA
隔离电压(Vrms)
1000Vrms
1500Vrms
1600Vrms
2000Vrms
2500Vrms
长度
29.15mm
32.15mm
38mm
5mm
7mm
宽度
12.45mm
24mm
5mm
8mm
工作温度
-40℃~+125℃
-40℃~+150℃
功能特性
欠压锁定带迟滞
过流保护;智能反向过流保护;热保护;欠压锁定;带使能
过流保护;欠压锁定带迟滞;带使能
过流保护;欠压锁定带迟滞;热保护;短路保护
过流保护;欠压锁定带迟滞;短路保护
认证信息
RoHS认证
包装/方式
管装
箱装
编带
型号/品牌参数/描述库存批次价格阶梯(含税)数量操作
SIC653ACD-T1-GE3 产品实物图片
品牌:VISHAY(威世)复制
封装:MLP55-31L复制
12领取
类型MOSFET复制
配置半桥复制
连续漏极电流(Id)50A复制
工作电压4.5V~5.5V复制
描述:场效应管(MOSFET) SIC653ACD-T1-GE3 QFN复制
库存:2938复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:24+
1+3.64
3000+3.5
量大可议价
合计3.64
现在下单最快1小时发货
AOZ5311NQI-03 产品实物图片
品牌:AOS复制
封装:PowerVFQFN-31复制
别名:AOZ5311NQI复制
12领取
功能特性过温保护带迟滞;欠压锁定带迟滞;带使能复制
描述:半桥 驱动器 同步降压转换器 DrMOS复制
库存:2872复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:25+
1+4.08
3000+3.92
量大可议价
合计4.08
现在下单最快1小时发货
STGIPQ3H60T-HZ 产品实物图片
品牌:ST(意法半导体)复制
封装:N2DIP-26复制
12领取
类型IGBT复制
配置三相桥复制
漏源电压(Vdss)600V复制
连续漏极电流(Id)3A复制
描述:电机驱动芯片 -40℃~+150℃@(Tj) 13.5V~18V 交流电机 N2DIP-26复制
库存:2300复制
最小包 : 15复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:22+
1+21.55
15+20.93
量大可议价
合计21.55
现在下单最快1小时发货
AOZ5516QI 产品实物图片
自营AOZ5516QI复制
品牌:AOS复制
封装:QFN5x5A-31L复制
12领取
复制
描述:DC-DC电源芯片 AOZ5516QI复制
库存:2288复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次:25+
1+4.53
3000+4.36
量大可议价
合计4.53
现在下单最快1小时发货
SDM05M50DASTR 产品实物图片
品牌:SILAN(士兰微)复制
封装:SOP-23H复制
12领取
类型MOSFET复制
配置三相桥复制
漏源电压(Vdss)500V复制
连续漏极电流(Id)5A复制
描述:未分类复制
库存:1115复制
最小包 : 500复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:25+
1+11.97
500+11.62
量大可议价
合计11.97
现在下单最快1小时发货