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商品分类

达林顿管

展示方式：

品牌

BLUE ROCKET

CBI(创基)

CJ(江苏长电/长晶)

Cmos(广东场效应半导体)

DIODES(美台)

品牌归属地

中国台湾

中国大陆

国际

封装/规格

D2PAK

DPAK

EP3SC

SOT-223

SOT-223-3

类型

NPN

PNP

集射极击穿电压(Vceo)

100V

120V

140V

160V

30V

射基极击穿电压(Vebo)

10V

12V

5V

8V

集电极电流(Ic)

1.2A

1.5A

10A

12A

1A

耗散功率(Pd)

1.25W

1.3W

1.5W

1.75W

100W

直流电流增益(hFE)

1000

10000

10000；5000

1000；100

12000

集电极截止电流(Icbo)

100nA

100uA

10uA

1mA

1uA

基极-发射极饱和电压(VBE(sat))

1.5V

1.7V

1.8V

1.9V

2.5V

集射极饱和电压(Vce(sat))

1.25V

1.2V

1.2V；1.5V

1.3V

1.5V

基极-发射极导通电压(VBE(on))

1.4V

1.75V

2.5V

2.8V

2V

特征频率(fT)

120MHz

125MHz

140MHz

150MHz

170MHz

工作温度

-55℃~+150℃

-55℃~+150℃@(Tj)

-55℃~+200℃

-55℃~+200℃@(Tj)

-65℃~+150℃

认证信息

RoHS认证

包装/方式

托盘

盒装

管装

编带

袋装

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型号/品牌参数/描述库存批次价格阶梯(含税)数量操作

BCV27 产品实物图片

BCV27复制

品牌：ON(安森美)复制

封装：SOT-23复制

类目：达林顿管复制

￥15领取

数据手册复制

类型：NPN复制

集射极击穿电压(Vceo)：30V复制

集电极电流(Ic)：1.2A复制

耗散功率(Pd)：350mW复制

描述：达林顿管 350mW 30V 20000@5V,100mA NPN复制

库存：72821复制

最小包 : 3000复制

起订量 : 1复制

增量 : 1复制

RoHS

批次：26+

1+￥0.215

3000+￥0.19

量大可议价

合计￥0.22

现在下单最快1小时发货

LMBTA64LT1G 产品实物图片

LMBTA64LT1G复制

品牌：LRC(乐山无线电)复制

封装：SOT-23复制

类目：达林顿管复制

￥15领取

数据手册复制

类型：PNP复制

集射极击穿电压(Vceo)：30V复制

集电极电流(Ic)：500mA复制

耗散功率(Pd)：225mW；300mW复制

描述：三极管(BJT) 30V 500mA PNP复制

库存：30057复制

最小包 : 3000复制

起订量 : 1复制

增量 : 1复制

批次：26+

1+￥0.105

3000+￥0.0833

量大可议价

合计￥0.11

现在下单最快1小时发货

MMBT6427LT1G 产品实物图片

MMBT6427LT1G复制

品牌：ON(安森美)复制

封装：SOT-23复制

类目：达林顿管复制

￥15领取

数据手册复制

类型：NPN复制

集射极击穿电压(Vceo)：40V复制

集电极电流(Ic)：500mA复制

耗散功率(Pd)：225mW复制

描述：达林顿管 225mW 40V 20000@5V,100mA NPN复制

库存：29547复制

最小包 : 3000复制

起订量 : 1复制

增量 : 1复制

RoHS

批次：25+

1+￥0.134

3000+￥0.119

量大可议价

合计￥0.13

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MJD122T4 产品实物图片

品牌：ST(意法半导体)复制

封装：TO-252-2(DPAK)复制

类目：达林顿管复制

￥15领取

数据手册复制

类型：NPN复制

集射极击穿电压(Vceo)：100V复制

集电极电流(Ic)：8A复制

耗散功率(Pd)：20W复制

描述：达林顿管 20W 100V 1000@4V,4A NPN复制

库存：23794复制

最小包 : 2500复制

起订量 : 1复制

增量 : 1复制

RoHS

批次：25+

1+￥1.01

2500+￥0.954

量大可议价

合计￥1.01

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MJD127T4G 产品实物图片

MJD127T4G复制

品牌：ON(安森美)复制

封装：TO-252(DPAK)复制

类目：达林顿管复制

￥15领取

数据手册复制

类型：PNP复制

集射极击穿电压(Vceo)：100V复制

集电极电流(Ic)：8A复制

耗散功率(Pd)：1.75W复制

描述：达林顿管 1.75W 100V 1000@4V,4A PNP复制

库存：10446复制

最小包 : 2500复制

起订量 : 1复制

增量 : 1复制

RoHS

批次：24+

1+￥1.59

2500+￥1.53

量大可议价

合计￥1.59

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