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达林顿管

展示方式:
品牌
BLUE ROCKET
CBI(创基)
CJ(江苏长电/长晶)
Central(中环)
ChipNobo(无边界)
品牌归属地
中国台湾
中国大陆
国际
封装/规格
CPT3
D2PAK
DIP-16
DPAK
DPAK(to-252)
类型
NPN
NPN;PNP
PNP
集射极击穿电压(Vceo)
1.2kV
100V
110V
116V
120V
射基极击穿电压(Vebo)
10V
12V
4V
5V
6V
集电极电流(Ic)
1.2A
1.5A
100mA
10A
12A
耗散功率(Pd)
1.1W
1.25W
1.2W
1.3W
1.5W
直流电流增益(hFE)
1000
10000
10000@10mA,5V
10000@5V,100mA
10000;4000;2000
集电极截止电流(Icbo)
100nA
100uA
100uA;500uA
10nA
10uA
基极-发射极饱和电压(VBE(sat))
0.75V
0.86V
1.5V
1.65V
1.7V
集射极饱和电压(Vce(sat))
1.13V
1.25V
1.2V
1.2V;1.5V
1.3V
基极-发射极导通电压(VBE(on))
0.8V
1.4V
1.5V
1.75V
1.7V
特征频率(fT)
100MHz
120MHz
125MHz
140MHz
150MHz
工作温度
-40℃~+85℃
-55°C ~ 150°C(TJ)
-55℃~+125℃
-55℃~+150℃
-55℃~+150℃@(Tj)
认证信息
RoHS认证
包装/方式
托盘
盒装
管装
编带
袋装
型号/品牌参数/描述库存批次价格阶梯(含税)数量操作
BCV27 产品实物图片
自营BCV27复制
品牌:ON(安森美)复制
封装:SOT-23复制
类目:达林顿管复制
¥12领取
类型:NPN复制
集射极击穿电压(Vceo):30V复制
集电极电流(Ic):1.2A复制
耗散功率(Pd):350mW复制
描述:达林顿管 350mW 30V 20000@5V,100mA NPN复制
库存:68632复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:26+
1+¥0.203
3000+¥0.18
合计¥0.2
现在下单最快1小时发货
TIP122 产品实物图片
自营TIP122复制
品牌:ST(意法半导体)复制
封装:TO-220复制
类目:达林顿管复制
¥12领取
类型:NPN复制
集射极击穿电压(Vceo):100V复制
集电极电流(Ic):5A复制
耗散功率(Pd):65W复制
描述:达林顿管 2W 100V 1000@3V,3A NPN复制
库存:33444复制
最小包 : 1000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:26+
1+¥1.01
1000+¥0.93
合计¥1.01
现在下单最快1小时发货
LMBTA64LT1G 产品实物图片
品牌:LRC(乐山无线电)复制
封装:SOT-23复制
类目:达林顿管复制
¥12领取
类型:PNP复制
集射极击穿电压(Vceo):30V复制
集电极电流(Ic):500mA复制
耗散功率(Pd):225mW;300mW复制
描述:三极管(BJT) 30V 500mA PNP复制
库存:27000复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次:两年内
1+¥0.105
3000+¥0.0833
合计¥0.11
现在下单最快1小时发货
LMBTA64LT1G 产品实物图片
品牌:LRC(乐山无线电)复制
封装:SOT-23复制
类目:达林顿管复制
¥12领取
类型:PNP复制
集射极击穿电压(Vceo):30V复制
集电极电流(Ic):500mA复制
耗散功率(Pd):225mW;300mW复制
描述:三极管(BJT) 30V 500mA PNP复制
库存:57复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次:两年外
9.8折
1+¥0.1029
合计¥0.1
已优惠-¥0.01
现在下单最快1小时发货
MJD122 产品实物图片
自营MJD122复制
封装:TO-252-2(DPAK)复制
类目:达林顿管复制
¥12领取
类型:NPN复制
集射极击穿电压(Vceo):100V复制
集电极电流(Ic):8A复制
耗散功率(Pd):1.5W复制
描述:达林顿管 MJD122 TO-252复制
库存:18521复制
最小包 : 2500复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:26+
1+¥0.799
2500+¥0.74
合计¥0.8
现在下单最快1小时发货
SSTA28MGT116 产品实物图片
品牌:ROHM(罗姆)复制
封装:SOT-23复制
类目:达林顿管复制
¥12领取
类型:NPN复制
集射极击穿电压(Vceo):80V复制
集电极电流(Ic):300mA复制
耗散功率(Pd):200mW复制
描述:达林顿管 SSTA28MGT116复制
库存:18002复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:26+
1+¥0.2058
3000+¥0.182
合计¥0.21
现在下单最快1小时发货
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