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商品分类

首页>商品目录>三极管 / MOS管 / 晶体管>达林顿管

达林顿管

展示方式：

品牌

BLUE ROCKET

CJ(江苏长电/长晶)

DIODES(美台)

FUXINSEMI(富芯森美)

HXY MOSFET(华轩阳电子)

品牌归属地

中国台湾

中国大陆

国际

封装/规格

D2PAK

DPAK

EP3SC

SOT-223

SOT-23

类型

NPN

PNP

集射极击穿电压(Vceo)

100V

120V

140V

160V

30V

射基极击穿电压(Vebo)

10V

12V

集电极电流(Ic)

1.2A

1.5A

10A

12A

耗散功率(Pd)

1.25W

1.5W

1.75W

100W

125W

直流电流增益(hFE)

1000

10000

10000；5000

1000；100

12000

集电极截止电流(Icbo)

100nA

100uA

10uA

1mA

1uA

基极-发射极饱和电压(VBE(sat))

1.7V

1.8V

1.9V

2.5V

集射极饱和电压(Vce(sat))

1.13V

1.25V

1.2V

1.2V；1.5V

1.3V

基极-发射极导通电压(VBE(on))

1.4V

1.75V

2.5V

2.8V

特征频率(fT)

120MHz

125MHz

140MHz

150MHz

170MHz

工作温度

-55°C ~ 150°C（TJ）

-55℃~+150℃

-55℃~+200℃

-65℃~+150℃

认证信息

RoHS认证

包装/方式

托盘

盒装

管装

编带

袋装

隐藏不可选项

型号/品牌参数/描述库存批次价格阶梯(含税)数量操作

BCV27复制

品牌：ON(安森美)复制

封装：SOT-23复制

类目：达林顿管

￥12领取

数据手册复制

类型：NPN复制

集射极击穿电压(Vceo)：30V复制

集电极电流(Ic)：1.2A复制

耗散功率(Pd)：350mW复制

描述：达林顿管 350mW 30V 20000@5V,100mA NPN复制

库存：90426复制

最小包 : 3000复制

起订量 : 1复制

增量 : 1复制

RoHS

批次：26+

1+￥0.283

3000+￥0.25

量大可议价

合计￥0.28

MJD122T4复制

品牌：ST(意法半导体)复制

封装：TO-252-2(DPAK)复制

类目：达林顿管

￥12领取

数据手册复制

类型：NPN复制

集射极击穿电压(Vceo)：100V复制

集电极电流(Ic)：8A复制

耗散功率(Pd)：20W复制

描述：达林顿管 20W 100V 1000@4V,4A NPN复制

库存：37117复制

最小包 : 2500复制

起订量 : 1复制

增量 : 1复制

RoHS

批次：25+

1+￥1.01

2500+￥0.954

量大可议价

合计￥1.01

MMBT6427LT1G复制

品牌：ON(安森美)复制

封装：SOT-23复制

类目：达林顿管

￥12领取

数据手册复制

类型：NPN复制

集射极击穿电压(Vceo)：40V复制

集电极电流(Ic)：500mA复制

耗散功率(Pd)：225mW复制

描述：达林顿管 225mW 40V 20000@5V,100mA NPN复制

库存：36257复制

最小包 : 3000复制

起订量 : 1复制

增量 : 1复制

RoHS

批次：25+

1+￥0.139

3000+￥0.123

量大可议价

合计￥0.14

FZT605TA复制

品牌：DIODES(美台)复制

封装：SOT-223复制

类目：达林顿管

￥12领取

数据手册复制

类型：NPN复制

集射极击穿电压(Vceo)：120V复制

集电极电流(Ic)：1.5A复制

耗散功率(Pd)：2W复制

描述：达林顿管 2W 120V 2000@1A,5V NPN复制

库存：22950复制

最小包 : 1000复制

起订量 : 1复制

增量 : 1复制

RoHS

批次：两年内

1+￥1.51

1000+￥1.4

量大可议价

合计￥1.51

LMBTA64LT1G复制

品牌：LRC(乐山无线电)复制

封装：SOT-23复制

类目：达林顿管

￥12领取

数据手册复制

类型：PNP复制

集射极击穿电压(Vceo)：30V复制

集电极电流(Ic)：500mA复制

耗散功率(Pd)：225mW；300mW复制

描述：三极管(BJT) 30V 500mA PNP复制

库存：15057复制

最小包 : 3000复制

起订量 : 1复制

增量 : 1复制

批次：26+

1+￥0.111

3000+￥0.088

量大可议价

合计￥0.11

BSP52T1G复制

品牌：ON(安森美)复制

封装：SOT-223复制

类目：达林顿管

￥12领取

数据手册复制

类型：NPN复制

集射极击穿电压(Vceo)：80V复制

集电极电流(Ic)：1A复制

耗散功率(Pd)：800mW复制

描述：达林顿管 800mW 80V 2000@10V,500mA NPN复制

库存：14900复制

最小包 : 1000复制

起订量 : 1复制

增量 : 1复制

RoHS

批次：两年内

1+￥1.22

1000+￥1.13

量大可议价

合计￥1.22

BSP52T1G复制

品牌：ON(安森美)复制

封装：SOT-223复制

类目：达林顿管

￥12领取

数据手册复制

类型：NPN复制

集射极击穿电压(Vceo)：80V复制

集电极电流(Ic)：1A复制

耗散功率(Pd)：800mW复制

描述：达林顿管 800mW 80V 2000@10V,500mA NPN复制

库存：1复制

最小包 : 1000复制

起订量 : 1复制

增量 : 1复制

RoHS

批次：两年外

9.8折

1+￥1.1956

量大可议价

合计￥1.2

MJD122T4G复制

品牌：ON(安森美)复制

封装：TO-252(DPAK)复制

类目：达林顿管

￥12领取

数据手册复制

类型：NPN复制

集射极击穿电压(Vceo)：100V复制

集电极电流(Ic)：8A复制

耗散功率(Pd)：1.75W复制

描述：达林顿管 1.75W 100V 1000@4V,4A NPN复制

库存：10163复制

最小包 : 2500复制

起订量 : 1复制

增量 : 1复制

RoHS

批次：26+

1+￥1.57

2500+￥1.5

量大可议价

合计￥1.57

MJD127复制

品牌：CJ(江苏长电/长晶)复制

封装：TO-252-2(DPAK)复制

类目：达林顿管

￥12领取

数据手册复制

类型：PNP复制

集射极击穿电压(Vceo)：100V复制

集电极电流(Ic)：8A复制

耗散功率(Pd)：1.5W复制

描述：达林顿管 MJD127复制

库存：9905复制

最小包 : 2500复制

起订量 : 1复制

增量 : 1复制

RoHS

批次：25+

1+￥0.85428

2500+￥0.79056

量大可议价

合计￥0.85

BD681G复制

品牌：ON(安森美)复制

封装：TO-225-3复制

类目：达林顿管

￥12领取

数据手册复制

类型：NPN复制

集射极击穿电压(Vceo)：100V复制

集电极电流(Ic)：4A复制

耗散功率(Pd)：40W复制

描述：达林顿管 40W 100V 750@3V,1.5A NPN复制

库存：6139复制

最小包 : 500复制

起订量 : 1复制

增量 : 1复制

RoHS

批次：26+

1+￥2.69

500+￥2.5

量大可议价

合计￥2.69

2SD2719(TE85L,F)复制

品牌：TOSHIBA(东芝)复制

封装：TSM复制

类目：达林顿管

￥12领取

数据手册复制

类型：NPN复制

集射极击穿电压(Vceo)：60V复制

集电极电流(Ic)：800mA复制

耗散功率(Pd)：800mW复制

描述：三极管(BJT) 2SD2719(TE85L,F) TSM复制

库存：6000复制

最小包 : 3000复制

起订量 : 1复制

增量 : 1复制

批次：25+

1+￥0.64

3000+￥0.594

量大可议价

合计￥0.64

MMBTA13复制

品牌：FUXINSEMI(富芯森美)复制

封装：SOT-23复制

类目：达林顿管

￥12领取

数据手册复制

集射极击穿电压(Vceo)：30V复制

集电极电流(Ic)：300mA复制

耗散功率(Pd)：300mW复制

集电极截止电流(Icbo)：100nA复制

描述：三极管(BJT) 625mW 30V 1A NPN SOT-23复制

库存：5995复制

最小包 : 3000复制

起订量 : 1复制

增量 : 1复制

批次：26+

1+￥0.12

3000+￥0.106

量大可议价

合计￥0.12

BDX53C复制

品牌：ST(意法半导体)复制

封装：TO-220复制

类目：达林顿管

￥12领取

数据手册复制

类型：NPN复制

集射极击穿电压(Vceo)：100V复制

集电极电流(Ic)：8A复制

耗散功率(Pd)：60W复制

描述：达林顿管 60W 100V 750@3V,3A NPN复制

库存：5975复制

最小包 : 1000复制

起订量 : 1复制

增量 : 1复制

RoHS

批次：25+

1+￥2.11

1000+￥1.95

量大可议价

合计￥2.11

ZTX601复制

品牌：DIODES(美台)复制

封装：TO-92复制

类目：达林顿管

￥12领取

数据手册复制

类型：NPN复制

集射极击穿电压(Vceo)：160V复制

集电极电流(Ic)：1A复制

耗散功率(Pd)：1W复制

描述：其他晶体管复制

库存：5669复制

最小包 : 4000复制

起订量 : 1复制

增量 : 1复制

RoHS

批次：两年外

8.5折

1+￥1.003

4000+￥0.952

量大可议价

合计￥1

已优惠-￥0.18

MMBTA14LT1G复制

品牌：ON(安森美)复制

封装：SOT-23复制

类目：达林顿管

￥12领取

数据手册复制

类型：NPN复制

集射极击穿电压(Vceo)：30V复制

集电极电流(Ic)：300mA复制

耗散功率(Pd)：225mW复制

描述：达林顿管 225mW 30V 20000@5V,100mA NPN复制

库存：5576复制

最小包 : 3000复制

起订量 : 1复制

增量 : 1复制

RoHS

批次：25+

1+￥0.164

3000+￥0.145

量大可议价

合计￥0.16

MMSTA63-7-F复制

品牌：DIODES(美台)复制

封装：SOT-323复制

类目：达林顿管

￥12领取

数据手册复制

类型：PNP复制

集射极击穿电压(Vceo)：30V复制

集电极电流(Ic)：500mA复制

耗散功率(Pd)：200mW复制

描述：达林顿管 200mW 30V 10000@5V,100mA PNP复制

库存：5383复制

最小包 : 3000复制

起订量 : 1复制

增量 : 1复制

RoHS

批次：22+

8.5折

1+￥0.52955

3000+￥0.493

量大可议价

合计￥0.53

已优惠-￥0.09

MMBTA14复制

品牌：CJ(江苏长电/长晶)复制

封装：SOT-23复制

类目：达林顿管

￥12领取

数据手册复制

类型：NPN复制

集射极击穿电压(Vceo)：30V复制

集电极电流(Ic)：300mA复制

耗散功率(Pd)：300mW复制

描述：SOT-23复制

库存：4713复制

最小包 : 3000复制

起订量 : 1复制

增量 : 1复制

RoHS

批次：两年内

1+￥0.13803

3000+￥0.12198

量大可议价

合计￥0.14

2SD1383KT146B复制

品牌：ROHM(罗姆)复制

封装：TO-236-3(SOT-23-3)复制

类目：达林顿管

￥12领取

数据手册复制

类型：NPN复制

集射极击穿电压(Vceo)：32V复制

集电极电流(Ic)：300mA复制

耗散功率(Pd)：200mW复制

描述：达林顿管 200mW 32V 5000@100mA,5V NPN复制

库存：4292复制

最小包 : 3000复制

起订量 : 1复制

增量 : 1复制

RoHS

批次：21+

8.5折

1+￥0.29835

3000+￥0.2788

量大可议价

合计￥0.3

已优惠-￥0.05

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MJD112T4G复制

品牌：ON(安森美)复制

封装：TO-252(DPAK)复制

类目：达林顿管

￥12领取

数据手册复制

类型：NPN复制

集射极击穿电压(Vceo)：100V复制

集电极电流(Ic)：2A复制

集电极截止电流(Icbo)：20uA复制

描述：达林顿管 20W 100V 1000@3V,2A NPN复制

库存：3979复制

最小包 : 2500复制

起订量 : 1复制

增量 : 1复制

RoHS

批次：两年内

1+￥1.49

2500+￥1.42

量大可议价

合计￥1.49

MJD112T4G复制

品牌：ON(安森美)复制

封装：TO-252(DPAK)复制

类目：达林顿管

￥12领取

数据手册复制

类型：NPN复制

集射极击穿电压(Vceo)：100V复制

集电极电流(Ic)：2A复制

集电极截止电流(Icbo)：20uA复制

描述：达林顿管 20W 100V 1000@3V,2A NPN复制

库存：63复制

最小包 : 2500复制

起订量 : 1复制

增量 : 1复制

RoHS

批次：两年外

9.8折

1+￥1.4602

量大可议价

合计￥1.46

ZTX614复制

品牌：DIODES(美台)复制

封装：EP3SC复制

类目：达林顿管

￥12领取

数据手册复制

类型：NPN复制

集射极击穿电压(Vceo)：100V复制

集电极电流(Ic)：800mA复制

耗散功率(Pd)：1W复制

描述：达林顿管 1W 100V 10000@500mA,5V NPN复制

库存：3998复制

最小包 : 4000复制

起订量 : 1复制

增量 : 1复制

RoHS

批次：26+

1+￥2.8

4000+￥2.69

量大可议价

合计￥2.8

MJD112复制

品牌：CJ(江苏长电/长晶)复制

封装：TO-252-2(DPAK)复制

类目：达林顿管

￥12领取

数据手册复制

类型：NPN复制

集射极击穿电压(Vceo)：100V复制

集电极电流(Ic)：2A复制

耗散功率(Pd)：1W复制

描述：达林顿管 MJD112复制

库存：3920复制

最小包 : 2500复制

起订量 : 1复制

增量 : 1复制

RoHS

批次：两年内

1+￥0.721

2500+￥0.668

量大可议价

合计￥0.72

MJD122复制

品牌：YONGYUTAI(永裕泰)复制

封装：TO-252复制

类目：达林顿管

￥12领取

数据手册复制

集射极击穿电压(Vceo)：100V复制

集电极电流(Ic)：3A复制

耗散功率(Pd)：1.75W复制

集电极截止电流(Icbo)：200uA复制

描述：-

库存：3377复制

最小包 : 2500复制

起订量 : 1复制

增量 : 1复制

RoHS

批次：26+

1+￥0.383

2500+￥0.351

量大可议价

合计￥0.38

FMMT614TA复制

品牌：DIODES(美台)复制

封装：SOT-23复制

类目：达林顿管

￥12领取

数据手册复制

类型：NPN复制

集射极击穿电压(Vceo)：100V复制

集电极电流(Ic)：500mA复制

耗散功率(Pd)：500mW复制

描述：达林顿管 500mW 100V 15000@100mA,5V NPN复制

库存：3055复制

最小包 : 3000复制

起订量 : 1复制

增量 : 1复制

RoHS

批次：23+

1+￥0.819

3000+￥0.76

量大可议价

合计￥0.82

MMBTA13复制

品牌：CJ(江苏长电/长晶)复制

封装：SOT-23复制

类目：达林顿管

￥12领取

数据手册复制

类型：NPN复制

集射极击穿电压(Vceo)：30V复制

集电极电流(Ic)：300mA复制

耗散功率(Pd)：300mW复制

描述：特性：达林顿放大器。标记：K2D复制

库存：3000复制

最小包 : 3000复制

起订量 : 1复制

增量 : 1复制

RoHS

批次：26+

1+￥0.122

3000+￥0.108

量大可议价

合计￥0.12

LMBTA14LT1G复制

品牌：LRC(乐山无线电)复制

封装：SOT-23复制

类目：达林顿管

￥12领取

数据手册复制

集射极击穿电压(Vceo)：30V复制

集电极电流(Ic)：300mA复制

耗散功率(Pd)：225mW；300mW复制

集电极截止电流(Icbo)：100nA复制

描述：三极管(BJT) 30V 300mA NPN复制

库存：3000复制

最小包 : 3000复制

起订量 : 1复制

增量 : 1复制

批次：25+

1+￥0.119

3000+￥0.0938

量大可议价

合计￥0.12

MMSTA14-7-F复制

品牌：DIODES(美台)复制

封装：SOT-323复制

类目：达林顿管

￥12领取

数据手册复制

类型：NPN复制

集射极击穿电压(Vceo)：30V复制

集电极电流(Ic)：300mA复制

耗散功率(Pd)：200mW复制

描述：达林顿管 200mW 30V 20000@100mA,5V NPN复制

库存：2900复制

最小包 : 3000复制

起订量 : 1复制

增量 : 1复制

RoHS

批次：两年内

1+￥0.322

3000+￥0.302

量大可议价

合计￥0.32

MMSTA14-7-F复制

品牌：DIODES(美台)复制

封装：SOT-323复制

类目：达林顿管

￥12领取

数据手册复制

类型：NPN复制

集射极击穿电压(Vceo)：30V复制

集电极电流(Ic)：300mA复制

耗散功率(Pd)：200mW复制

描述：达林顿管 200mW 30V 20000@100mA,5V NPN复制

库存：53复制

最小包 : 3000复制

起订量 : 1复制

增量 : 1复制

RoHS

批次：两年外

9.8折

1+￥0.31556

量大可议价

合计￥0.32

LMBT6427LT1G复制

品牌：LRC(乐山无线电)复制

封装：SOT-23(SOT-23-3)复制

类目：达林顿管

￥12领取

数据手册复制

类型：NPN复制

集射极击穿电压(Vceo)：40V复制

集电极电流(Ic)：500mA复制

耗散功率(Pd)：225mW；300mW复制

描述：三极管(BJT) 40V 500mA NPN SOT-23复制

库存：2898复制

最小包 : 3000复制

起订量 : 1复制

增量 : 1复制

批次：26+

1+￥0.122

3000+￥0.0965

量大可议价

合计￥0.12

MJD127T4复制

品牌：ST(意法半导体)复制

封装：TO-252-2(DPAK)复制

类目：达林顿管

￥12领取

数据手册复制

类型：PNP复制

集射极击穿电压(Vceo)：100V复制

集电极电流(Ic)：8A复制

耗散功率(Pd)：20W复制

描述：达林顿管 20W 100V 1000@4V,4A PNP复制

库存：2471复制

最小包 : 2500复制

起订量 : 1复制

增量 : 1复制

RoHS

批次：25+

1+￥1.23

2500+￥1.16

量大可议价

合计￥1.23

STD901T复制

品牌：ST(意法半导体)复制

封装：DPAK复制

类目：达林顿管

￥12领取

数据手册复制

类型：NPN复制

集射极击穿电压(Vceo)：350V复制

集电极电流(Ic)：4A复制

耗散功率(Pd)：35W复制

描述：晶体管双极 (BJT) 单 NPN 达林顿 350 V 4 A 35 W 表面贴装型 DPAK复制

库存：2468复制

最小包 : 2500复制

起订量 : 1复制

增量 : 1复制

RoHS

批次：26+

1+￥7.24

2500+￥6.99

量大可议价

合计￥7.24

TIP122D复制

品牌：BLUE ROCKET复制

封装：TO-252复制

类目：达林顿管

￥12领取

数据手册复制

类型：NPN复制

集射极击穿电压(Vceo)：100V复制

集电极电流(Ic)：5A复制

耗散功率(Pd)：40W复制

描述：未分类复制

库存：2283复制

最小包 : 2500复制

起订量 : 1复制

增量 : 1复制

批次：25+

1+￥0.815

2500+￥0.754

量大可议价

合计￥0.82

BD682G复制

品牌：ON(安森美)复制

封装：TO-225-3复制

类目：达林顿管

￥12领取

数据手册复制

晶体管类型：PNP - 达林顿复制

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：4A复制

电压 - 集射极击穿（最大值）：100V复制

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：2.5V @ 30mA，1.5A复制

描述：BD Series 100 V 4 A Medium Power Silicon PNP Darlington Transistor -复制

库存：2274复制

最小包 : 500复制

起订量 : 1复制

增量 : 1复制

RoHS

批次：24+

1+￥2.67

500+￥2.47

量大可议价

合计￥2.67

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