可控硅击穿的原因过压击穿是可控硅击穿的主要原因之一,可控硅对过压的承受能力几乎是没有时间的,即使在几毫秒的短时间内 过压也会被击穿的,因此实际应用电路中,在可控硅两端一定要接入RC吸收回路,以避免各种无规则的干扰脉冲 所引起的瞬间过压2021-12-30 16:49:17行业资讯
疫情严峻!三星西安厂停工、暂停报价,力成产能降50%今日有媒体表示,据财联社报道,三星电子今日向客户发函通知,预计NAND产品制造能力可能会受到西安疫情影响,并暂时停止报价,NAND价格上涨的市场氛围持续酝酿。2021-12-29 16:49:11行业资讯